[发明专利]超级结半导体器件结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种超级结半导体器件结构的制作方法，包括第一硅外延层生长、第一介质膜生长、P阱窗口刻蚀和P阱注入、P阱推进和第二介质膜生长、深沟槽刻蚀、第二硅外延层沟槽填充、化学机械研磨、介质膜刻蚀；其中，在沟槽刻蚀前第一硅外延层表面有两层介质膜，第一介质膜不连续，在沟槽开口处断开且断开距离大于沟槽开口，第二介质膜连续。本发明能够提高超级结半导体器件的稳定性和化学机械研磨的工艺窗口。

主权项

一种超级结半导体器件结构的制作方法，包括如下步骤：步骤一、在衬底硅片上形成第一硅外延层；步骤二、在第一硅外延层上形成第一介质膜；其特征在于：步骤三、涂光刻胶并形成P阱窗口，刻蚀所述第一介质膜使其在P阱窗口处是断开的，进行P阱注入；步骤四、去除光刻胶，进行P阱推进，在所述第一硅外延层上端形成P阱；在所述第一介质膜和P阱上方淀积第二介质膜，该第二介质膜是连续的；步骤五、进行沟槽刻蚀，在所述第一硅外延层中形成沟槽；步骤六、在所述沟槽内填充第二硅外延层；步骤七、化学机械研磨对沟槽表面平坦化，去除第二介质膜上面的第二硅外延层；步骤八、去除第一介质膜和第二介质膜。