[发明专利]半导体器件及其制造方法、内置该半导体器件的多层基板

摘要

半导体器件的制造方法包括：准备由SOI基板(30)构成的晶片的工序；在主面表层部形成电路部(LV、HV)的工序；除去SOI基板的支撑基板(29)的工序；以与电路部相对的方式将绝缘构件(3)固定在半导体层(7a)的背面的工序；切割晶片从而使其分割成多个芯片的工序；以与低电位基准电路部(LV)的一部分相对的方式，将第1导电构件(4a、62、64、65)配置在绝缘构件上，以与高电位基准电路部(HV)的一部分相对的方式，将第2导电构件(4b、62、64、65)配置在绝缘构件上的工序；以及，将第1导电构件与低电位基准电路部的第1部分电连接，将第2导电构件与高电位基准电路部的第2部分电连接的工序。

主权项

一种半导体器件(1)的制造方法，其特征在于，包括：准备晶片的工序，所述晶片由依次层叠支撑基板(29)、绝缘层(8a)、半导体层(7a)的SOI基板(30)构成；在半导体层(7a)的主面表层部形成电路部的工序，该电路部包括低电位基准电路部(LV)和高电位基准电路部(HV)，低电位基准电路部(LV)将第1电位作为基准电位进行动作，高电位基准电路部(HV)将第2电位作为基准电位进行动作，第2电位比第1电位高，低电位基准电路部(LV)与高电位基准电路部(HV)之间进行信号的收发；在电路部形成后，除去SOI基板(30)的支撑基板(29)的工序；在除去支撑基板(29)后，以绝缘构件(3)与电路部相对的方式，将绝缘构件(3)固定在半导体层(7a)的背面的工序；在固定绝缘构件(3)后，切割晶片，从而使该晶片分割成多个包含低电位基准电路部(LV)以及高电位基准电路部(HV)的芯片的工序；以第1导电构件(4a、62、64、65)与低电位基准电路部(LV)的至少一部分相对的方式，将第1导电构件(4a、62、64、65)配置在绝缘构件(3)上，以第2导电构件(4b、62、64、65)与高电位基准电路部(HV)的至少一部分相对的方式，将第2导电构件(4b、62、64、65)配置在绝缘构件(3)上的工序，第1导电构件(4a、62、64、65)被施加的电位与第2导电构件(4b、62、64、65)被施加的电位不同；以及，将第1导电构件(4a、62、64、65)与被施加第1电位的低电位基准电路部(LV)的第1部分电连接，将第2导电构件(4b、62、64、65)与被施加第2电位的高电位基准电路部(HV)的第2部分电连接的工序。