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[发明专利]具有开关元件和续流二极管的半导体装置及其控制方法-CN201410381270.1有效
发明人：西角拓高;山本刚;水野祥司;住友正清;藤井哲夫;榊原纯;山口仁;服部佳晋;田口理惠;桑原诚 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
具有开关元件二极管半导体装置及其控制方法

[发明专利]具有开关元件和续流二极管的半导体装置及其控制方法-CN201410381254.2有效
发明人：西角拓高;山本刚;水野祥司;住友正清;藤井哲夫;榊原纯;山口仁;服部佳晋;田口理惠;桑原诚 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
具有开关元件二极管半导体装置及其控制方法

[发明专利]包含安装在引线框上的半导体芯片的半导体装置-CN201310063230.8无效
发明人：山田雅央;藤井哲夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种半导体装置（11）包括引线框（22）、半导体芯片（12）、基片（35）、多个片形元件（14）、多个导线（16）和树脂件（15）。所述引线框（22）包括芯片安装部分（23）和多个引线部分（24）。半导体芯片（12）安装在芯片安装部分（23）上。基片（35）安装在芯片安装部分（23）上。多个片形元件（14）安装在基片（35）上。每个片形元件（14）在一个方向具有第一端部和第二端部，每个片形元件（14）在第一端部具有第一电极（14a），在第二端部具有第二电极（14b）。每个导线（16）连接片形元件（14）之一的第二电极（14b）和一个引线部分（24）。树脂件（15）覆盖所述引线框（22）、半导体芯片（12）、基片（35）、片形元件（14）和导线（16）。
包含安装引线半导体芯片装置

[发明专利]具有开关元件和续流二极管的半导体装置及其控制方法-CN201110211992.9有效
发明人：西角拓高;山本刚;水野祥司;住友正清;藤井哲夫;榊原纯;山口仁;服部佳晋;田口理惠;桑原诚 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
具有开关元件二极管半导体装置及其控制方法

[发明专利]具有内置半导体芯片的电路板以及制造该电路板的方法-CN201110086634.X有效
发明人：前田幸宏;近藤宏司;原田嘉治;山内毅;藤井哲夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明涉及具有内置半导体芯片的电路板以及制造该电路板的方法。具体地，本发明提出一种电路板(10)，其包括绝缘构件(20)以及由绝缘构件的热塑性树脂部封装的半导体芯片(50)。布线构件位于绝缘构件中并且电连接半导体芯片的相应侧面上的第一和第二电极(51a-51c)。布线构件包括焊盘(31)、层间连接构件(40)、以及连接部(52)。在第一电极与连接部之间、焊盘与连接部之间、以及第二电极与层间连接构件之间具有扩散层。层间连接构件的至少一种元素具有低于热塑性树脂部的玻璃转化点的熔点。连接部由熔点高于热塑性树脂部的熔点的材料制成。本发明还提出一种制造电路板(10)的方法。
具有内置半导体芯片电路板以及制造方法

[发明专利]搭载在电动压缩机中的电子装置-CN201110080539.9有效
发明人：山田雅央;吉村聪史;藤井哲夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-04-01 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： F04B39/00 文献下载
摘要：本发明提供一种搭载在电动压缩机中的电子装置。电子装置具备：电路基板(10)，配置在机壳(41、44、45、60)内的冷媒中，具有电子部件(15)和外部连接用电极(14)，该电子部件被密封而搭载在基板上，该电子部件与外部连接用电极电连接；外部连接用端子(1000)，与上述外部连接用电极电连接；隔离部件(11、50、51、60、70、80、90)，将上述外部连接用端子、以及上述外部连接用电极与上述外部连接用端子的连接部与上述冷媒隔离。
搭载电动压缩机中的电子装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110058290.1无效
发明人： 藤井哲夫;杉浦和彦 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：具有表面的板状传感器元件(10)，其包括设置在该传感器元件(10)的表面部分中的传感器结构(15到17)；以及结合到传感器元件(10)的表面的板状帽元件(20)。所述帽元件(20)具有面对传感器元件(10)的布线图案部分(23到25)。所述布线图案部分(23到25)连接传感器元件(10)的表面的外侧边缘和传感器结构(15到17)，从而使传感器结构(15到17)通过所述外侧边缘与外部元件电耦合。所述传感器元件(10)不具有复杂的多层结构，从而简化了传感器元件(10)。此外，还减小了器件的尺寸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有半导体芯片和金属板的半导体设备及其制造方法-CN201010258186.2有效
发明人：福冈大辅;手岛孝纪;真光邦明;坂本健;富坂学;藤井哲夫;田井明;赤松和夫;西畑雅由 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2010-08-18 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种半导体设备包括用于覆盖第一金属布线(18)的第一保护膜(25)。第二保护膜(26)布置于第一保护膜(25)上，第二保护膜(26)由焊料层(29)覆盖。即使在焊料层(29)形成于第二保护膜(26)上之前裂纹产生于第二保护膜(26)中，也限制裂纹行进入第一保护膜(25)。
具有半导体芯片金属板半导体设备及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法、内置该半导体器件的多层基板-CN201010002979.8有效
发明人：千田厚慈;白木聪;前田幸宏;广濑伸一;藤井哲夫;中野敬志 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：半导体器件的制造方法包括：准备由SOI基板(30)构成的晶片的工序；在主面表层部形成电路部(LV、HV)的工序；除去SOI基板的支撑基板(29)的工序；以与电路部相对的方式将绝缘构件(3)固定在半导体层(7a)的背面的工序；切割晶片从而使其分割成多个芯片的工序；以与低电位基准电路部(LV)的一部分相对的方式，将第1导电构件(4a、62、64、65)配置在绝缘构件上，以与高电位基准电路部(HV)的一部分相对的方式，将第2导电构件(4b、62、64、65)配置在绝缘构件上的工序；以及，将第1导电构件与低电位基准电路部的第1部分电连接，将第2导电构件与高电位基准电路部的第2部分电连接的工序。
半导体器件及其制造方法内置多层

[发明专利]包含安装在引线框上的半导体芯片的半导体装置-CN200910207690.7无效
发明人：山田雅央;藤井哲夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种半导体装置(11)包括引线框(22)、半导体芯片(12)、基片(35)、多个片形元件(14)、多个导线(16)和树脂件(15)。所述引线框(22)包括芯片安装部分(23)和多个引线部分(24)。半导体芯片(12)安装在芯片安装部分(23)上。基片(35)安装在芯片安装部分(23)上。多个片形元件(14)安装在基片(35)上。每个片形元件(14)在一个方向具有第一端部和第二端部，每个片形元件(14)在第一端部具有第一电极(14a)，在第二端部具有第二电极(14b)。每个导线(16)连接片形元件(14)之一的第二电极(14b)和一个引线部分(24)。树脂件(15)覆盖所述引线框(22)、半导体芯片(12)、基片(35)、片形元件(14)和导线(16)。
包含安装引线半导体芯片装置

[发明专利]压力传感器及其制造方法-CN200880000240.4无效
发明人：田中宏明;藤井哲夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-02-12 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：一种用于压力介质的压力传感器包括：传感器芯片(3)，其包括半导体衬底(3a)、在衬底上的膜片(3b)和在膜片上的量规电阻器(3c)；覆盖膜片的保护罩(5)；用于容纳芯片、将压力介质引导到所述罩以及将大气引导到衬底的外壳(2)；终端(2c)；布线(4)；以及密封元件(7)。布线的嵌入部分(4a-4c，4e)与量规电阻器相连。布线的连接部分(4d，4f)与嵌入部分和终端相连。嵌入部分由所述罩覆盖以与压力介质隔离。密封元件布置在外壳与衬底之间以使连接部分与压力介质和大气隔离。
压力传感器及其制造方法

[发明专利]半导体设备及其制造方法-CN200810170455.2有效
发明人：赤木望;山口仁;藤井哲夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了一种半导体设备。所述半导体设备包括具有彼此相对的第一表面(10a)和第二表面(10b)的半导体衬底(10)。所述半导体设备还包括其中每一个都具有一对分别位于半导体衬底(10)的第一和第二表面(10a，10b)上的电极(18a，18b，21，21a，21b)的多个双-面电极元件(50，50a，50b)。电流在所述第一和第二电极(18a，18b，21，21a，21b)之间流动。每一双-面电极元件(50，50a，50b)具有位于所述半导体衬底(10)内的PN柱形区域(13)。所述半导体设备还包括包围所述多个双-面电极元件(50，50a，50b)中的每一个的绝缘沟槽(30)，所述绝缘沟槽(30)使所述多个双-面电极元件(50，50a，50b)相互绝缘并隔离。
半导体设备及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810128483.8有效
发明人： 藤井哲夫;杉浦和彦 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：具有表面的板状传感器元件(10)，其包括设置在该传感器元件(10)的表面部分中的传感器结构(15到17)；以及结合到传感器元件(10)的表面的板状帽元件(20)。所述帽元件(20)具有面对传感器元件(10)的布线图案部分(23到25)。所述布线图案部分(23到25)连接传感器元件(10)的表面的外侧边缘和传感器结构(15到17)，从而使传感器结构(15到17)通过所述外侧边缘与外部元件电耦合。所述传感器元件(10)不具有复杂的多层结构，从而简化了传感器元件(10)。此外，还减小了器件的尺寸。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710196466.3有效
发明人：尾关善彦;河野宪司;藤井哲夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：通过以下节省成本的方式制造一种具有在一个半导体衬底(20)上具有多个有源元件(31－33、41－43)和无源元件(51、52)的半导体器件(100)，即使当所述有源和无源元件包括双侧电极元件(41－43、51、52)也是如此。当将半导体衬底划分为多个场区域(F1－F8)时，穿透半导体衬底的绝缘隔离沟槽(T)包围每一个场区域，以及多个有源元件或多个无源元件中的任意一方的每一个。此外，多个元件中的每一个具有一对分别设置在半导体衬底的两侧(S1、S2)中的每一侧上的用于电源的功率电极(dr1、dr2)，用作双侧电极元件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有横向MOS晶体管和齐纳二极管的半导体器件-CN200710147106.4有效
发明人：高桥茂树;中野敬志;赤木望;樋口安史;藤井哲夫;服部佳晋;桑原诚;冈田京子 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底(1－3)；设置在衬底(1－3)中的横向MOS晶体管(LTa－LTd)；设置在衬底(1－3)中的齐纳二极管(ZDa－ZDd)；以及设置在衬底(1－3)中的电容器(Ca－Ce)。所述晶体管(LTa－LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa－ZDd)和电容器(Ca－Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。
具有横向 mos 晶体管齐纳二极管半导体器件

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