[发明专利]金属层表面处理方法无效
| 申请号： | 200910049995.X | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101872722A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 周俊;赵东涛;李彬;谭宇琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属层表面处理方法，包括：提供一具有金属层的半导体衬底；以及使用弱酸溶液清洗所述金属层表面，本发明可以有效的去除金属层表面的氧化铜，避免气泡的产生，解决了由于气泡造成的半导体器件产率下降的问题，并且不会对金属互连制程带来任何副作用，本发明还可去除其它附着于金属层表面的碱性杂质，提高了半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种金属层表面处理方法，包括：提供一具有金属层的半导体衬底；以及使用弱酸溶液清洗所述金属层表面。
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- 郝青 - 陕西玉航电子有限公司
- 2017-11-07 - 2018-04-13 - H01L21/3213
- 本发明涉及粉末冶金技术领域，具体涉及一种金薄膜的反应离子刻蚀方法。一种金薄膜的反应离子刻蚀方法，包括以下步骤沉积薄膜；获得刻蚀掩膜；干法刻蚀。本发明提供的方法简单，易于操作，通过本发明提供的方法得带的产品结构稳定，性能优良；且本发明提供的刻蚀技术刻蚀过程简便且速率可控，适于大范围推广使用。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
