[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200710090652.9 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101068030A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 森茂 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84;H01L21/31;H01L21/3115;H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法，在该半导体器件中，半导体层形成在绝缘衬底上，并且在半导体层和绝缘衬底之间插入有前端绝缘层，前端绝缘层能够防止绝缘衬底中包含的杂质对半导体层产生作用，并且能够提高半导体器件的可靠性。在TFT(薄膜晶体管)中，硼被包含在位于距绝缘衬底表面约100nm或者更近的区域中，使得硼的浓度从绝缘衬底表面朝向半导体层以每1nm约1/1000倍的平均速率降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成在绝缘衬底上的半导体层，并且在所述半导体层和所述绝缘衬底之间插入有前端绝缘层，其中杂质被包含在所述前端绝缘层中使得杂质浓度从所述绝缘衬底表面朝向所述半导体层以每1nm约1/1000倍或者更小的平均速率降低。
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