[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710086346.8 | 申请日： | 2007-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101055893A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 西川幸江;高岛章;清水达雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请涉及一种非易失性半导体存储器件中的存储单元，其包括隧穿绝缘膜、由包含Si的导电材料制成的浮动栅电极、由稀土氧化物、稀土氮化物或稀土氧氮化物制成的电极间绝缘膜、控制栅电极、以及在浮动栅电极和电极间绝缘膜之间形成的金属硅化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有存储单元的非易失性半导体存储器件，每个存储单元包括：具有第一导电类型的半导体区；具有第二导电类型的源极和漏极区；在源极和漏极区之间形成的沟道区；在半导体区中形成的隔离区；在沟道区上形成的隧穿绝缘膜；在隧穿绝缘膜上形成的并且由包含Si的导电材料制成的浮动栅电极；在浮动栅电极上形成的金属硅化膜；在金属硅化膜上形成的电极间绝缘膜，其由稀土氧化物、稀土氮化物或稀土氧氮化物制成；以及在电极间绝缘膜上形成的控制栅电极。
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