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[发明专利]晶圆、半导体装置及其制造方法-CN202210123253.2在审
发明人：櫛部光弘;西尾让司;饭岛良介;清水达雄;太田千春;须山章子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供能够提高特性的晶圆、半导体装置及其制造方法。根据实施方式，晶圆包括基板以及结晶层。所述基板包括包含SiC的多个SiC区域和设置于所述多个SiC区域之间且包含Si的SiC间区域。所述结晶层包括包含SiC的第一层和在第一方向上设置于所述基板与所述第一层之间且包含SiC的第一中间层。所述第一层以第一层浓度包含氮。所述第一中间层中的氮的第一中间层浓度比所述第一浓度高。
晶圆半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210069128.8在审
发明人：小林勇介;清水达雄;井口智明;雁木比吕;根本宏树 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供能够提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1导电构件半导体构件以及第1绝缘构件。第1绝缘构件包括第1～第3位置。第1绝缘构件在第3位置处包含第1元素，该第1元素包括从包括氮、铝、铪以及锆的群选择的至少一个元素。第1绝缘构件在第1位置以及第2位置处不包含第1元素。或者，第1位置处的第1元素的浓度以及第2位置处的第1元素的浓度分别比第3位置处的第1元素的浓度低。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010950518.7在审
发明人：井口智明;雁木比吕;小林勇介;蔵口雅彦;高尾和人;饭岛良介;清水达雄;西脇达也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、逆变器电路、驱动装置、车辆以及升降机-CN201710766839.X有效
发明人： 清水达雄 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法、逆变器电路、驱动装置、车辆以及升降机。提供一种半导体装置，该半导体装置能够降低碳化硅层与氧化硅层之间的界面能级密度，提高性能。实施方式的半导体装置具备：碳化硅层；以及氧化硅层，位于碳化硅层之上，包含磷(P)、砷(As)、锑(Sb)以及铋(Bi)的群中的至少一种元素，上述至少一种元素的至少一部分通过单键结合而与3个氧结合并通过双键结合而与1个氧结合。
半导体装置制造方法逆变器电路驱动车辆以及升降机

[发明专利]半导体装置、电源电路、计算机和半导体装置的制造方法-CN201710766840.2有效
发明人： 清水达雄;斋藤尚史;大野浩志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、电源电路、计算机和半导体装置的制造方法，提供能够抑制电流崩塌的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层，包含Ga；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层上，带隙比第一氮化物半导体层大，包含Ga；第一电极及第二电极，设置于第一氮化物半导体层上且与第一氮化物半导体层电连接；栅电极，设置于第一电极与第二电极之间；导电层，设置于第二氮化物半导体层上，与第二电极之间的第一距离小于第二电极与栅电极之间的第二距离，与第一电极或者栅电极电连接；第一氧化铝层，设置于栅电极与第二电极之间，设置于第二氮化物半导体层与导电层之间；氧化硅层；以及第二氧化铝层。
半导体装置电源电路计算机制造方法

[发明专利]半导体装置、电源电路以及计算机-CN201810177242.6有效
发明人： 清水达雄;斋藤尚史;大野浩志;米原健矢 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及半导体装置、电源电路以及计算机。提供阈值电压的变动得到抑制的可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：氮化物半导体层、栅电极、位于氮化物半导体层上的第1电极、位于氮化物半导体层上且在与第1电极之间有栅电极的第2电极以及位于氮化物半导体层与栅电极之间且具有包含Al和B中的至少任一个元素、Ga及Si的第1氧化物区域的栅极绝缘层，在将第1氧化物区域的氮化物半导体层侧的端部设为第1端部、第1氧化物区域的栅电极侧的端部设为第2端部、第1端部与第2端部间的距离设为d1、从第1端部向第2端部的方向分开d1/10的位置设为第1位置时，第1位置中的镓的原子浓度是至少任一个元素的原子浓度的80％以上120％以下。
半导体装置电源电路以及计算机

[发明专利]半导体装置-CN201610772518.6有效
发明人：斋藤尚史;蔵口雅彦;清水达雄;中野慎太郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供阈值变动得到抑制的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1氮化物半导体层；源极电极，设置在第1氮化物半导体层上；漏极电极，设置在第1氮化物半导体层上；栅极电极，设置在源极电极与漏极电极之间；第1膜，设置在第1氮化物半导体层上的源极电极与栅极电极之间以及栅极电极与漏极电极之间，该第1膜的氢扩散系数比硅氧化膜的氢扩散系数低；以及第2膜，设置在第1膜上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机-CN201610119874.8有效
发明人：高尾和人;饭岛良介;清水达雄;大桥辉之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。
半导体装置电路驱动车辆以及升降机

[发明专利]半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机-CN201910675969.1在审
发明人：高尾和人;饭岛良介;清水达雄;大桥辉之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。
电极基板开关元件半导体装置电路单元邻接升降机逆变电路驱动装置并列电连接地电串联

[发明专利]具有偏心量调整机构的车床-CN201680061160.4有效
发明人： 清水达雄;中村多喜夫;仲窪广文;西山晃 -专利权人：株式会社O-M制作所
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： B23B31/36 文献下载
摘要：提供具有偏心量调整机构的车床，能够将容易受到环境影响的电装部件从转台上移除，特别是也能够将产生高速旋转时的信号传递的耐久性的问题的集电环移除，能够容易地实现安全且稳定的工件的偏心调整。具有如下的偏心量调整机构的车床：在转台(1)的中心部与所述中心轴(5)的轴向移动部(5A)卡合的卡合部处呈倾斜状态设置有直线运动引导部(6)，使中心轴(5)移动，从而通过所述直线运动引导部(6)倾斜而产生的径向按压力，使所述转台(1)在径向上移动而对所述工件(3)的偏心量进行调整。
偏心量调整机构车床转台中心轴移除电装部件环境影响偏心调整倾斜状态向上移动信号传递轴向移动按压力集电环偏心量中心部卡合移动安全

[发明专利]半导体装置、倒相电路、驱动装置、车辆以及升降机-CN201610124548.6有效
发明人： 清水达雄;饭岛良介 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明的实施方式的半导体装置具备：具备第一面的SiC层；绝缘层；以及SiC层的第一面与绝缘层之间的区域，该区域含有Be(铍)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)之中的至少一个元素，元素的浓度峰的半值全宽为1nm以下，当将在第一面上具有未与SiC层中的Si(硅)或C(碳)之中的任一个键合的键的Si(硅)和C(碳)的面密度设定为第一面密度时，元素的面密度即第二面密度为第一面密度的1/2以下。
半导体装置电路驱动车辆以及升降机

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201480057180.5有效
发明人：有吉惠子;清水达雄;四户孝;先崎纯寿;原田信介;小岛贵仁 -专利权人：株式会社东芝;独立行政法人产业技术综合研究所;富士电机株式会社
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据一个实施方式，半导体装置包括第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、第一电极、第二电极、控制电极和绝缘膜。第一半导体区域是第一导电型的并且包含SiC。第二半导体区域设置在第一半导体区域上并且具有第一表面。第二半导体区域是第二导电型的并且包含SiC。第三半导体区域设置在第二半导体区域上、是第一导电型的并且包含SiC。第一电极电连接到第一半导体区域。第二电极电连接到第三半导体区域。控制电极设置在第二半导体区域上。绝缘膜设置在第二半导体区域与控制电极之间。绝缘膜接触第一表面以及控制电极并且包含氮。氮的浓度分布的峰值的位置远离第一表面至少2nm但小于10nm，峰值的半峰宽为至少10nm但小于20nm。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410076369.0有效
发明人：太田千春;清水达雄;西尾让司;四户孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明的半导体装置具备具有第一面和第二面的n型SiC衬底、设置在第一面上的SiC层、设置在第一面侧的第一电极和设置在第二面上的第二电极，所述n型SiC衬底含有p型杂质和n型杂质，当将p型杂质记为元素A、将n型杂质记为元素D时，元素A与元素D的组合为Al（铝）、Ga（镓）或In（铟）与N（氮）的组合以及B（硼）与P（磷）的组合中的至少一种组合，构成组合的元素A的浓度与元素D的浓度之比大于0.40且小于0.95，构成组合的元素D的浓度为1×1018cm‑3以上且1×1022cm‑3以下。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN201410427850.X有效
发明人：饭岛良介;高尾和人;太田千春;清水达雄;四户孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据一个实施例，半导体器件包括第一半导体区、第二半导体区、第三半导体区、第一电极、第一绝缘部和第二绝缘部。该第一半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并且包括第一部分和第二部分。该第二半导体区包括碳化硅，它是第二导电类型，并设于所述第二部分上。所述第三半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并被设置在所述第二半导体区上。所述第一电极设置在所述第一部分和所述第三半导体区上。所述第一绝缘部设置在第三半导体区上，并与所述第一电极并列。该第二绝缘部设置在所述第一电极与所述第一部分之间以及所述第一电极和所述第一绝缘部之间。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410412444.6有效
发明人： 清水达雄 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备SiC层、设置在上述SiC层的表面上的栅绝缘膜和设置在栅绝缘膜上的栅电极，所述栅绝缘膜含有与上述SiC层的表面接触的氧化膜或氧氮化膜，所述氧化膜或氧氮化膜含有选自B(硼)、Al(铝)、Ga(镓)、In(铟)、Sc(钪)、Y(钇)、La(镧)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)中的至少1种元素，栅绝缘膜中的上述元素的峰位于栅绝缘膜的SiC侧，上述元素的峰位于氧化膜或氧氮化膜中，并且在峰的与所述SiC层相反的一侧具有元素的浓度为1×1016cm‑3以下的区域。
半导体装置及其制造方法

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