“天空激光二极管有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有选择性分辨率的激光照明-CN201680071783.X有效
发明人：弗拉德·约瑟夫·诺沃特尼;保罗·鲁迪 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H04N9/31 文献下载
摘要：在一个示例中，本发明提供了一种光学引擎设备。该设备具有激光二极管器件，该激光二极管器件由300nm至2000nm的波长范围或其任何变体表征。在一个示例中，该设备具有耦接到激光二极管器件的输出端的透镜和可操作地耦接到激光二极管器件的扫描镜器件。在一个示例中，所述设备具有未图案化荧光板，所述未图案化荧光板耦接到扫描镜并且配置有激光器件；以及形成在未图案化荧光板的一部分上的由激光的调制和扫描镜器件的移动构成的空间图像。
具有选择性分辨率激光照明

[发明专利]包括含镓和氮的激光光源的LIDAR系统-CN201880080619.4在审
发明人：詹姆斯·W·拉林;梅尔文·麦克劳林;保罗·鲁迪;夫拉德·诺沃特尼 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G01S17/894 文献下载
摘要：一种移动机器，包括基于激光二极管的照明系统，所述照明系统包括集成封装，该集成封装至少容纳含镓和氮的激光二极管和波长转换元件。含镓和氮的激光二极管被配置为发射具有第一峰值波长的第一激光束。波长转换元件被配置为至少部分地接收具有第一峰值波长的第一激光束，以激发具有比第一峰值波长更长的第二峰值波长的发射，并生成第二峰值波长和第一峰值波长混合的白光。该移动机器还包括光探测和测距(LIDAR)系统，该系统被配置为生成第二激光束并操纵第二激光束，以感测远程距离的目标物体的空间图。
包括激光光源 lidar 系统

[发明专利]含镓和氮激光源的智能可见光-CN201880064002.3在审
发明人：迈尔文·麦克劳林;詹姆斯·W·拉林;保罗·鲁迪;弗拉德·诺沃特尼 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种被配置用于可见光通信的智能光源。所述光源包括控制器，所述控制器包括调制解调器，该调制解调器被配置为接收数据信号并基于该数据信号生成驱动电流和调制信号。此外，所述光源包括光发射器，所述光发射器被配置为泵浦光装置，以接收驱动电流，用于产生具有紫外或蓝色波长范围内的第一峰值波长的定向电磁辐射，使用调制信号调制所述定向电磁辐射，以携带数据信号。此外，所述光源包括：路径，被配置为引导定向电磁辐射；以及波长转换器，光学耦合到所述路径，以接收定向电磁辐射并输出白色光谱。此外，所述光源包括光束整形器，所述光束整形器被配置为引导白色光谱，以照明感兴趣目标并传输数据信号。
激光智能可见光

[发明专利]具有限制区域的含镓和氮的激光装置-CN201410559573.8有效
发明人：波·山·许;迈尔文·麦克劳林;詹姆斯·W·拉林;亚历山大·斯特蔡恩;本亚明·布勒 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供了具有限制区域的含镓和氮的激光装置。在实例中，本发明提供了一种用于制造激光二极管装置的方法。该方法包括，提供含镓和氮的基板构件，所述含镓和氮的基板构件包括表面区域、覆盖表面区域的释放材料、n型含镓和氮的材料；覆盖n型含镓和氮的材料的有源区域，p型含镓和氮的材料；以及覆盖p型含镓和氮的材料的第一透明导电氧化物材料、和覆盖第一透明导电氧化物材料的界面区域。该方法包括将界面区域与处理基板结合，并使释放材料经由能源以开始含镓和氮的基板构件的释放。
具有限制区域激光装置

[发明专利]利用改进的基板材料用法制造含镓和氮的激光器件的方法-CN201410728015.X有效
发明人：亚历山大·施泰因;迈尔文·麦克劳林;许博善;詹姆斯·W·拉林 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供了利用改进的基板材料用法制造含镓和氮的激光器件的方法。在实施例中，本发明提供一种用于制造含镓和氮的激光二极管器件的方法，包括：提供具有表面区域的含镓和氮的基板；形成与表面区域重叠的外延材料，所述外延材料包括n型包层区域、包括与所述n型包层区域重叠的至少一个有源层的有源区域、以及与所述有源层区域重叠的p型包层区域；使所述外延材料图案化以形成多个芯片，所述芯片中的每个均对应于至少一个激光器件，特征在于一对芯片之间的第一节距，所述第一节距小于设计宽度；将所述多个芯片中的每个转移至载体晶片，使得每对芯片均被配置为在每对芯片之间具有第二节距，所述第二节距大于对应于所述设计宽度的所述第一节距。
节距芯片激光器件外延材料基板材料区域重叠源层制造激光二极管器件载体晶片图案化源区域基板改进配置

[发明专利]可制造的激光二极管-CN201580018833.3有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：一种用于制造激光二极管器件的方法包括提供具有表面区域的基板并且形成上覆表面区域的外延材料，外延材料包括n型包覆区域、包括上覆n型包覆区域的至少一个有源层的有源区、以及上覆有源层区域的p型包覆区域。外延材料被图案化以形成多个管芯，管芯中的每一个对应于至少一个激光器件。多个管芯中的每一个被转移至一个或多个载体基板，并且处理在一个或多个载体基板上的多个管芯中的至少一个。管芯利用基板封装以构造模块器件。
制造激光二极管

[发明专利]使用激光二极管的专用集成光源-CN201680061038.7在审
发明人：詹姆斯·W·拉林;保罗·鲁迪;埃里克·古泰恩;特洛伊·特罗蒂尔;迈尔文·麦克劳林;詹姆斯·哈里森 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： F21S41/16 文献下载
摘要：本文描述的实施方式提供了用于集成白色电磁辐射源的器件，其使用基于含镓和氮的材料的激光二极管激发源和基于磷光体材料的发光源的组合。可使基于镓和氮的材料的紫色、蓝色或者其他波长的激光二极管源与磷光体材料，例如黄色磷光体紧密地集成，以形成紧凑的、高亮度的和高效的白光源。
激光二极管磷光体材料激光二极管源专用集成光源电磁辐射源黄色磷光体白光源发光源激发源波长紫色紧凑

[发明专利]一种投影系统-CN201610323828.X有效
发明人：詹姆斯·W·拉林;保罗·鲁迪 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种投影系统，包括接口，用于接收图像或视频信号；光源，包括在490nm～540nm波长范围内工作的绿色激光二极管，所述绿色激光二极管设置在安装基底和一表面上，所述安装基底包括氮化镓材料，且所述表面具有{20‑21}半极性取向，所述绿色激光二极管在所述表面上具有由在c方向的投影上的腔取向表征的激光条区域；以及电源，电连接至所述光源。
一种投影系统

[发明专利]具有在基板构件上构造的多个发射器的激光器封装件-CN201611110833.9在审
发明人：詹姆斯·W·拉林;保罗·鲁迪;白辰东 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2012-01-30 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供了具有在基板构件上构造的多个发射器的激光器封装件。提供了一种用于以高功率发射电磁辐射的方法和装置，使用非极性或半极性含镓基板如GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN和AlInGaN。在各种实施方式中，该激光装置包括集成有基板的发射绿色或蓝色激光的多个激光发射器。本发明的激光装置包括含有镓和氮材料的基板，基板具有特征在于半极性或非极性取向的表面区，基板具有前侧和背侧；位于基板内的至少一个有源区；覆盖有源区的N个发射器的阵列，N大于3，N个发射器的阵列彼此基本上平行并且位于前侧和背侧之间；电耦接于N个发射器的阵列的至少一个电极；以及位于基板的前侧处的至少一个光学构件。
具有构件构造发射器激光器封装

[实用新型]照明装置-CN201520758768.5有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L25/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种包括激光二极管器件的照明装置，所述装置包括：外延材料，包括n型包覆层区域、包括与所述n型包覆层区域重叠的至少一个有源层的有源区以及与所述有源层区域重叠的p型包覆层区域；至少一个晶片，由多个晶片配置，每一个所述晶片对应于至少一个激光二极管器件；一个或多个载体，包括由所述多个晶片中的每一个至所述一个或多个载体基板的转移配置的所述多个晶片中的一个或多个；波长转换元件，光学耦接至所述晶片以在白色光谱中发射电磁辐射，所述电磁辐射通过所述波长转换元件被部分转换或通过所述波长转换元件被完全转换。
照明装置

[实用新型]光学装置-CN201520826757.6有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01S5/327 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光学装置，包括：具有界面区域的基台装置上的外延生长材料，在基台装置的表面区域上，外延生长材料与生长外延材料的基板分开；包括发红光AlInGaAsP外延激光器结构或发红光AlInGaAsP外延结构的至少一个激光器器件，发红光AlInGaAsP外延激光器结构从含镓和砷的基板构件转移到表面区域的第一部分，发红光AlInGaAsP外延结构形成在表面区域的第一部分上；包括发绿光的含镓和氮的激光器外延结构的至少一个激光器器件；包括发蓝光的含镓和氮的激光器外延结构的至少一个激光器器件；基台装置的外围区域，由单一化的载体配置以提供基台装置；以及至少一对接合垫，配置在基台装置上以电连接至每个激光器器件，并且被配置为将电流注入每个激光器器件中。
光学装置

[实用新型]激光二极管器件-CN201520096855.9有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种激光二极管器件，所述激光二极管器件包括：载体芯片，从载体基板上单一化；一个或多个外延材料晶片，从基板上被转移至所述载体基板；所述外延材料包括n型包覆层区域、包括与所述n型包覆层区域重叠的至少一个有源层的有源区以及与所述有源层区域重叠的p型包覆层区域；以及一个或多个激光二极管带区域，形成在所述外延材料晶片中。
激光二极管器件

[实用新型]光学装置-CN201520096866.7有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光学装置，选自灯泡、显示器和其他装置中的一个，所述光学装置包括：外延生长材料，在基台装置的表面区域上接合至具有界面区域的所述基台装置，所述外延生长材料与生长所述外延材料的基板分开；至少一个激光器器件，由所述外延生长材料配置，所述一个激光器器件包括以所述外延生长材料制备的激光器脊；所述基台装置的外围区域，由单一化的载体配置以提供所述基台装置，所述外围区域由锯切、划线和折断或者切割处理来配置；以及至少一对接合垫，配置在所述基台装置上以电连接至所述激光器器件，并且被配置为将电流注入所述激光器器件中。
光学装置

[实用新型]光学装置-CN201520095427.4有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本文涉及一种光学装置，包括：共用载体构件，包括表面区域；发红光的AlInGaAsP外延激光器结构(RED)，被配置在含镓和砷的基板构件上并且从含镓和砷的基板构件转移到表面区域的第一部分上，或者发红光的AlInGaAsP激光器外延结构形成在共用载体构件的表面区域上；发绿光的含镓和氮的激光器外延结构(GREEN)，被配置在含镓和氮的基板构件上并且从含镓和氮的基板构件转移到表面区域的第二部分上；发蓝光的含镓和氮的激光器外延结构(BLUE)，被配置在含镓和氮的基板构件上并且从含镓和氮的基板构件转移到表面区域的第三部分上；以及红色激光器器件、绿色激光器器件和蓝色激光器器件，经由RED、GREEN和BLUE的处理分别从RED、GREEN和BLUE配置为形成波导区域、面区域和接触区域。
光学装置

[实用新型]照明装置-CN201520095428.9有效
发明人：迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 -专利权人： 天空激光二极管有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： H01L25/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种包括激光二极管器件的照明装置，所述装置包括：外延材料，包括n型包覆层区域、包括与所述n型包覆层区域重叠的至少一个有源层的有源区以及与所述有源层区域重叠的p型包覆层区域；至少一个晶片，由多个晶片配置，每一个所述晶片对应于至少一个激光二极管器件；一个或多个载体，包括由所述多个晶片中的每一个至所述一个或多个载体基板的转移配置的所述多个晶片中的一个或多个；波长转换元件，光学耦接至所述晶片以在白色光谱中发射电磁辐射，所述电磁辐射通过所述波长转换元件被部分转换或通过所述波长转换元件被完全转换。
照明装置

1
2
下一页»
尾页
共 17 条