[发明专利]一种多结分布反馈半导体激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110636880.1 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN113422295A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 罗毅;王健 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/343;H01S5/12 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提出一种多结分布反馈半导体激光器，包含衬底及在衬底表面上生长的激光器DFB‑LD功能层；所述DFB‑LD功能层中包含多个半导体PN结和光栅；所述多个半导体PN结之间上下分布并且相互电连接，且每个PN结的结区均有发光区；所述光栅位于所述任意一个半导体PN结或半导体PN结之间的连接层。该DFB‑LD可以增加激光器的有效发光面积，改善波导截面横向光场分布的对称性，降低激光器的寄生电容参数，从而兼具高功率、高调制速率、高光纤耦合效率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分布 反馈 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110636880.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种褐煤的钝化和部分脱硫工艺
- 下一篇：桥梁环境评分的获取方法及装置
