[发明专利]自修复聚合物组合物有效
| 申请号： | 03817067.1 | 申请日： | 2003-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1669132A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·斯基波;斯特夫·沙伊弗;比尔·奥尔松 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;G02B26/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郭国清;樊卫民 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种自修复聚合物组合物10，其含有聚合物介质12和多个分散在聚合物介质12中的易流动的可聚合材料的微胶囊16，其中易流动的可聚合材料的微胶囊16含有易流动的可聚合材料15，并具有外表面142，其上连接至少一种聚合剂13。微胶囊16随聚合介质12的坡断有效地断裂，微胶囊14一旦破裂开后，当可聚合材料15与聚合剂13接触时易流动的可聚合材料15与聚合剂13发生反应。也提供使用自修复聚合组合物10修补聚合物中断裂的方法，也提供含有自修复体系的制品及微胶囊化的可聚合粒子16本身。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 聚合物 组合 | ||
【主权项】：
1.一种微胶囊化的可聚合组合物，其包括：微胶囊；所述微胶囊内的易流动的可聚合材料；及与所述微胶囊的外表面相关的至少一种聚合剂，一旦所述微胶囊破裂，及所述聚合剂与所述易流动的可聚合材料接触，所述聚合剂有效地引发所述易流动的可聚合材料的聚合。
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- 本发明属于半导体器件欧姆接触电极制作技术领域，提供了一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，步骤如下：步骤1、在氧化镓层上依次预沉积镁层和金层，镁层的厚度为1nm～1mm，金层的厚度为1nm～1mm；步骤2、将上述样品进行热处理，热处理的条件如下：热处理温度为100℃～800℃；热处理时间为30s～3600s；热处理压强为1×10
- TFT基板的制作方法及TFT基板-201910431502.2
- 韦显旺 - 深圳市华星光电技术有限公司
- 2019-05-22 - 2020-08-04 - H01L21/44
- 本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明TFT基板的制作方法，以栅极为遮蔽层对金属氧化物半导体层进行UV光照射，使金属氧化物半导体层被UV光照射的部分导体化而形成源极、漏极及像素电极，使金属氧化物半导体层被栅极遮挡的部分仍保留半导体性质而形成半导体沟道，本发明通过栅极自对准及金属氧化物半导体层导体化工艺实现了源漏极与栅极的对准，能够有效控制源漏极与栅极的重叠区域，从而减小寄生电容，提高显示品质，且制作方法简单，提高了生产效率。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
