专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种搅拌机用下料机构-CN202320542933.8有效
  • 胡迎宾 - 福建中镁材料科技有限公司
  • 2023-03-20 - 2023-09-01 - B28C7/04
  • 本实用新型公开了一种搅拌机用下料机构,包括搅拌机本体,搅拌机本体的上方设有下料斗,下料斗呈漏斗状,下料斗的底部与搅拌机本体的顶部入料口相连通,下料斗的顶部安装有盖板,盖板的一侧开设有通槽,下料斗的内部设置有清理组件,下料斗的一侧连接有与下料斗内部相连通的入料管,下料斗的底部设有支撑腿。本实用新型在使用的过程中,该搅拌机用下料机构能够有效地对下料斗内部进行清理,避免了混凝土通过下料斗排入搅拌机内部时,部分混凝土粘黏在下料斗内壁上,需要人员在使用后对装置进行清理,导致人员清理费时费力的现象,从而减轻人员工作负担,提升下料机构的实用性。
  • 一种搅拌机用下料机构
  • [实用新型]一种水泥搅拌机-CN202320581872.6有效
  • 胡迎宾 - 福建中镁材料科技有限公司
  • 2023-03-23 - 2023-08-29 - B28C5/16
  • 本实用新型属于水泥生产技术领域,具体的说是一种水泥搅拌机,包括箱体;所述箱体外壁底端为锥形状;所述箱体的外壁底端中心处固接有下料管,且下料管与箱体相连通,下料管与箱体的连接处设有阀门;所述箱体的外壁底端边缘处固接有一组立柱;所述箱体的外壁顶端固接有进料口,且进料口与箱体相连通;以解决现有技术中的水泥搅拌机在对水泥原料进行加水搅拌时,由于水泥原料加水搅拌之后会有较大的粘附性,使水泥原料的一部分会粘附在水泥搅拌机的内壁上,导致一部分水泥原料的浪费,以及水泥原料粘附在水泥搅拌机的内壁上风干之后会导致水泥搅拌机容易出现故障,为此需要人工清理水泥搅拌机的内壁,从而增加了工作人员的工作量的问题。
  • 一种水泥搅拌机
  • [实用新型]一种板材切边设备-CN202320662971.7有效
  • 胡迎宾 - 福建中镁材料科技有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-08-29 - B27G3/00
  • 本实用新型属于板材加工技术领域,具体的说是一种板材切边设备,包括包括工作台,所述工作台侧壁固接有支撑板;所述支撑板侧壁设有切割电机;所述工作台顶壁开设有切割槽;所述切割槽侧壁转动连接有切割刀片,且切割刀片侧壁与切割电机输出端连接;所述支撑板侧壁固接有挡罩;所述工作台顶壁滑动连接有限位块;本实用新型提供一种板材切边设备,很好的解决切割刀片高速旋转对板材进行切边时,产生的粉尘向四周迸射进入空气中,工作人员长期处于这种环境,吸入过量的粉尘对身体有一定的损伤的问题。
  • 一种板材切边设备
  • [实用新型]一种料斗防堵装置-CN202320896340.1有效
  • 胡迎宾 - 福建中镁材料科技有限公司
  • 2023-04-20 - 2023-08-29 - B65D88/68
  • 本实用新型涉及玻镁板加工辅助机构技术领域,本实用新型公开了一种料斗防堵装置,包括支撑座以及安装在支撑座端部的导料料斗,所述导料料斗底端固定设置有连接环,所述连接环底端固定设置有导料管道,所述导料管道内侧安装有用于疏通原料防止堵塞的防堵组件,所述防堵组件包括安装轴承、转动轴柱、安装外杆、疏通转环和工作电机。本实用新型与现有的相比该装置通过将原料倒入导料料斗内,使得原料向下导出进入导料管道内,此时启动工作电机带动转动轴柱转动,使得疏通转环随着转动轴柱同步转动,利用疏通转环对下滑的原料进行分流搅动,防止其堆积而堵塞,起到了防堵的效果,从而更具有实用性。
  • 一种料斗装置
  • [发明专利]半导体器件的制备方法-CN202310293480.4有效
  • 胡迎宾;郭廷晃;林智伟 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-03-24 - 2023-07-18 - H01L29/08
  • 本发明提供了一种半导体器件的制备方法,包括:提供单晶衬底,单晶衬底上形成有栅极结构,栅极结构包括栅极多晶硅层、侧墙及刻蚀停止层,栅极多晶硅层位于单晶衬底上,刻蚀停止层覆盖栅极多晶硅层的顶面,侧墙覆盖栅极多晶硅层和刻蚀停止层的侧面;形成单晶膜层覆盖单晶衬底的表面,以及形成多晶膜层覆盖刻蚀停止层的顶面及侧墙的侧面;形成氧化层覆盖单晶膜层和多晶膜层,且覆盖至栅极结构的上方;执行研磨工艺研磨氧化层及刻蚀停止层的顶面的多晶膜层,以显露出刻蚀停止层的顶面;以及,刻蚀去除侧墙的侧面的多晶膜层,以及去除氧化层。本发明无需Mask工艺,实现了单晶膜层的选择性生长,工艺简单易于实现。
  • 半导体器件制备方法
  • [发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN202310043076.1有效
  • 胡迎宾;郭廷晃;林智伟 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-01-29 - 2023-05-12 - H01L29/06
  • 本发明提出了一种半导体器件及其制作方法,属于半导体制造技术领域,所述半导体器件至少包括:衬底;阱区,设置在所述衬底内;栅极,设置在所述阱区上;源掺杂区,设置在所述栅极一侧的所述衬底内;漏掺杂区,设置在所述栅极另一侧的所述衬底内;第一隔离结构,设置在所述栅极和所述源掺杂区之间、所述栅极和所述漏掺杂区之间,且所述第一隔离结构由所述衬底表面延伸至所述阱区中;以及第二隔离结构,设置在所述源掺杂区和所述漏掺杂区表面。本发明提供的一种半导体器件及其制作方法,能有效改善半导体器件的短沟道效应。
  • 一种半导体器件及其制作方法

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