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[发明专利]微型发光二极管像素电路及驱动方法-CN202211490892.9在审
发明人：申澳;董承远 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司;上海交通大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管像素电路、驱动方法及显示装置。像素电路包括初始化模块、阈值电压补偿模块以及负载驱动模块；初始化模块与阈值电压补偿模块以及负载驱动模块连接，用于在初始化信号的控制下，通过参考电压对阈值电压补偿模块以及负载驱动模块进行初始化；阈值电压补偿模块与负载驱动模块连接，用于在扫描信号的控制下，通过数据电压对负载驱动模块进行阈值电压的补偿，以获得用于驱动负载驱动模块的发光器件的驱动电压；负载驱动模块用于在稳定控制信号和发光控制信号的控制下，将阈值电压补偿模块提供的驱动电压转换为驱动发光器件的发光电流。本发明提供的微型发光二极管像素电路可以进一步提升阈值电压漂移的补偿效果。
微型发光二极管像素电路驱动方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN202110181636.0在审
发明人：章雯;董承远 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司;上海交通大学
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供衬底基板，在衬底基板上形成栅电极；在衬底基板上沉积覆盖栅电极的栅电极绝缘层；在栅电极绝缘层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层上连续沉积第二金属层和第一金属层；在第一金属层上涂布光阻胶；采用第一刻蚀液对暴露的第一金属层进行第一次湿法刻蚀；采用第二刻蚀液对暴露的第二金属层进行第二次湿法刻蚀；去除光阻胶。本发明提供的薄膜晶体管及其制作方法，能够很好地保护氧化物半导体层不被刻蚀液刻蚀掉，解决了沟道处的氧化物半导体层被刻断的问题。
薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法-CN202011084344.7在审
发明人： 董承远;章雯 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司;上海交通大学
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板，依次设置在基板上的栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体层和源漏极金属层，源漏极金属层包括间隔设置的源极和漏极，氧化物半导体层包括第一氧化物层和层叠设置在第一氧化物层上方的第二氧化物层，第一氧化物层的含氧量低于第二氧化物层；部分第一氧化物层从第二氧化物层的两侧露出，源极和漏极相互间隔并分别与从第二氧化物层的两侧露出的第一氧化物层直接接触连接，使得源极、漏极与氧化物半导体层形成了较好的欧姆接触，有效地提高了薄膜晶体管的开态电流，优化了薄膜晶体管的综合性能。本发明还涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法。
氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]用于半导体薄膜晶体管的保护层及其实现和应用方法-CN201810989320.2有效
发明人：解海艇;董承远 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种用于半导体薄膜晶体管的保护层及其实现和应用方法，即铝锰锌氧化物薄膜(AMZO)，由氧化铝Al2O3、氧化锰MnO和氧化锌ZnO组成，其掺杂量范围分别为3％～90％wt％。本发明利用磁控溅射在薄膜晶体管之上沉积得到上述单层AMZO薄膜或双层SiO2/AMZO薄膜作为器件保护层。单层AMZO保护层能够遮蔽短波长的紫外光且透过较长波长的可见光，从而大幅改善掺氮非晶氧化物半导体薄膜晶体管的光照稳定性。而双层SiO2/AMZO保护层解决了单层AMZO保护层所造成的器件操作特性的劣化，同时也可以获得高稳定性的掺氮非晶氧化物半导体薄膜晶体管。
用于半导体薄膜晶体管保护层及其实现应用方法

[发明专利]微发光二极管显示器的数字驱动方法及装置-CN201811363966.6在审
发明人： 董承远 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：一种微发光二极管显示器的数字驱动方法及装置，在每一帧的各个子帧的发光(Glow)时段，采用随着时间的增加而逐渐增大的功率信号电压V_power施加至微发光二极管上以补偿其在发光时段的电流衰减，从而优化显示效果，更准确地实现灰度显示。
微发光二极管数字驱动显示器电流衰减发光时段功率信号灰度显示显示效果逐渐增大子帧发光施加优化

[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板和液晶显示面板-CN201510364687.1有效
发明人：解海艇;董承远;谢汉萍;李珊 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板和液晶显示面板。本发明的薄膜晶体管，包括：栅极、在所述栅极上方形成的栅极绝缘层、在所述栅极绝缘层上方形成的有源层、以及在所述有源层两侧形成的源极和漏极；所述有源层由掺氮氧化物半导体层和无氮氧化物半导体层构成。本发明通过在掺氮薄膜晶体管的有源层中设置无氮氧化物半导体层保持薄膜晶体管的迁移率不变,提升了薄膜晶体管的可靠性。
一种薄膜晶体管阵列液晶显示面板

[发明专利]一种治疗慢性溃疡性结肠炎的中药制剂-CN201410412892.6在审
发明人：魏春红;董承远 -专利权人：魏春红
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： A61K36/898 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于治疗慢性溃疡性结肠炎的中药制剂，选取的原料药及其重量组份分别是：白头翁20-30克、秦皮10-20克、黄柏10-20克、苍术10-20克、萹蓄10-20克、杜仲炭10-20克、白芨10-20克、人参10-20克、猪苓8-12克、藿香梗8-15克、乌梅8-12克、川连8-12克、板蓝根8-12克、蒲公英8-12克、马齿苋8-12克、双花8-12克、甘草8-12克。诸药配伍精良，共奏健脾和胃，益气生津，清热利湿，凉血止血，宣肺通利之功效，用于治疗慢性溃疡性结肠炎具有见效快、疗程短，无副作用且治愈率高的优势，值得临床推广和应用。
一种治疗慢性溃疡性结肠炎中药制剂

[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法-CN201310754071.6有效
发明人：胡哲;陈宇霆;詹润泽;董承远;江政隆;陈柏林;赖梓杰 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法，制程简单，通过连续成膜氧化物半导体层与源/漏极实现良好的接触界面，避免了由于接触电阻过大而产生的拥挤效应，同时，源/漏极通过含有钽的金属材料制得并在源/漏极蚀刻制程中采用含有过氧化氢的蚀刻液对其进行蚀刻，避免了传统蚀刻液对于氧化物半导体层的破坏，提升了薄膜晶体管基板的品质，且，不需要另外制作一层刻蚀阻挡层来保护背沟道处的氧化物半导体层，保证了较高的沟道宽长比（W/L），简化了薄膜晶体管基板的结构，减少了制作过程，降低了生产成本，提高了生产良率。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]一种治疗乙肝的中药-CN201310541703.0无效
发明人： 董承远;陈秀敏 -专利权人： 董承远
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： A61K36/9066 文献下载
摘要：本发明提供了一种治疗乙肝的中药，该中药由羚羊角粉、泽兰、败酱草、土茯苓、仙人对坐草、平地木、紫丹参、酒白芍、炒白术、炒枳壳、郁金、青皮、柴胡、炒麦芽、炒山楂、鸡内金、炙甘草十七味药组成。制备方法：按重量份称取各原料，加冷水高于药面浸泡1～1.5小时，大火烧开，小火煮30～45分钟，过滤去渣，得药液；煎两次，将两次的药液混合后再煮沸，小火煮4～5分钟，共煎出500ml，平均分为两份。综合全方，本发明中药不仅具有清热解毒、疏肝活血、化淤、理气、抗病毒、调节免疫、改善肝脏炎症及抗纤维化的功效，还能降低药物的毒性和不良反应，疗程短，效果好，从而达到治愈的目的。
一种治疗乙肝中药

[发明专利]氧化物薄膜晶体管的制造方法-CN201310282038.8有效
发明人：施俊斐;董承远 -专利权人：昆山龙腾光电有限公司;上海交通大学
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/477 文献下载
摘要：一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：在有氧氛围内，将所述氧化物薄膜晶体管置于退火炉中进行第一次退火，其中，第一次退火时退火炉中的温度T1的范围为200℃-400℃；以及在第一次退火完成后，将所述氧化物薄膜晶体管置于退火炉中进行第二次退火，其中，第二次退火时退火炉中的温度T2的范围为150℃-250℃，并且所述第二次退火时退火炉中的温度T2低于所述第一次退火时退火炉中的温度T1。本发明的氧化物薄膜晶体管的制造方法通过采用两段式退火工艺，既有利于氧原子扩散进入有源层，又有利于改善氧化物薄膜晶体管的所有膜层的特性。
氧化物薄膜晶体管制造方法

[发明专利]底栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法-CN201110009722.X有效
发明人： 董承远;施俊斐 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体制造技术领域的底栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，通过依次制备栅电极、金属氧化物材料；然后在金属氧化物材料表面涂敷光刻胶并对光刻胶层采用化学机械抛光进行平坦化处理；再通过退火处理或等离子体处理未被光刻胶掩蔽的金属氧化物；最后剥离光刻胶并磁控溅射沉积源漏电极材料并通过光刻和湿法刻蚀形成源漏电极。本发明利用金属氧化物材料经特殊处理后可以由绝缘体转化为半导体的特点，制造有源层具有特殊结构的金属氧化物薄膜晶体管，能有效防止源漏极薄膜断裂现象的发生。
金属氧化物薄膜晶体管制备方法

[发明专利]顶栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法-CN201110009753.5有效
发明人： 董承远;施俊斐 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体技术领域的顶栅金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，通过依次制备源漏电极、金属氧化物材料；然后在金属氧化物材料的表面涂敷光刻胶并对光刻胶层进行采用化学机械抛光；并通过退火处理或等离子体处理未被光刻胶掩蔽的金属氧化物，最后剥离光刻胶并磁控溅射沉积栅绝缘层材料并通过湿法刻蚀形成栅极。本发明利用金属氧化物材料经特殊处理后可以由半导体转化为导体的特点，可以使金属氧化物薄膜与源漏电极间形成可靠的欧姆接触。
金属氧化物薄膜晶体管制备方法

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管制备方法-CN201110009739.5有效
发明人： 董承远;施俊斐 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体技术领域的金属氧化物薄膜晶体管制备方法，通过依次制备栅极层、栅绝缘层、金属氧化物层、漏电极层和器件保护层，并通过湿法刻蚀得到漏电极，通过干法蚀刻得到位于器件保护层上的接触孔，最后采用退火或等离子体处理接触孔中外露的金属氧化物使其转化成导体特性，实现晶体管制备。本发明利用金属氧化物半导体材料经特殊处理后可以转化为透明导电材料的特点，整个工艺流程通常仅需要四张掩模版，且不需要额外的像素电极成膜、光刻和刻蚀等工艺步骤，简化现有制备步骤并保持晶体管特性及显示驱动功能，降低了生产制造的成本。
金属氧化物薄膜晶体管制备方法

[发明专利]包含非均匀线光源的侧光式LCD背光模组-CN200910307927.9无效
发明人：崔晴宇;姜凌峰;董承远;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：一种液晶显示技术领域的包含非均匀线光源的侧光式LCD背光模组，包括：导光板、线光源、反射罩，其中：线光源设置于导光板外侧并与导光板紧密接触，反射罩设置于导光板及线光源外侧并与导光板及线光源紧密贴合。本发明充分利用了侧光式背光模组线光源的特点，通过分组控制LED颗粒的亮度来提高背光模组的均匀度；在现有的侧光式LED背光技术上做较小的调整，以很小的代价克服导光板两侧边附近照度偏低的问题，提高背光模组的出光均匀度。
包含均匀光源侧光式 lcd 背光模组

[实用新型]一种一次性口罩-CN200820173585.7无效
发明人：崔利华;陈桂霞;董承远 -专利权人：崔利华
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： A41D13/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种一次性口罩，包括罩体，罩体上连接有固定带，罩体的内侧边缘设有带有弹性的密封垫，罩体内侧设有将罩体向外撑起的支撑筋。为了增强本一次性口罩的通用性和舒适度，密封垫与人体口鼻部位形状相适应。作为一种实现方式，密封垫由多层棉纱或卫生纱布构成。为了使支撑筋达到最好的支撑效果，支撑筋由海绵、泡沫或塑料构成。采用这种结构的一次性口罩，结构简单、结构简单、可以有效隔离空气中细菌、病毒，适用于各种污染场所使用，特别适合在涉及细菌或病毒的手术中使用。
一种一次性口罩

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