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[发明专利]基板载置台和基板处理装置-CN201910488033.8有效
发明人：佐佐木芳彦;南雅人;齐藤英树;神户乔史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种在对FPD用的基板进行蚀刻等处理时、进行面内均匀性较高的处理的基板载置台和基板处理装置。一种基板载置台，其是于在处理容器内对基板进行处理之际载置所述基板并对该基板进行调温的基板载置台，其具有：第1板，其包括隔着间隙而隔开的多个金属制的分离板；以及第2板，其为金属制，并与各所述分离板接触，该第2板具有比所述第1板的导热系数低的导热系数，各所述分离板内置有进行固有的调温的调温部。
基板载置台处理装置

[发明专利]蚀刻方法-CN201910681549.4有效
发明人：依田悠;神户乔史;松井久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻方法，抑制因在布线层的蚀刻中使用的气体引起的半导体层的特性恶化。蚀刻方法包括供给工序、第一蚀刻工序、停止工序以及第二蚀刻工序。在供给工序中，为了形成半导体元件而向收容有被处理基板的腔室内供给还原性气体和含氯气体，被处理基板具有在氧化物半导体上层叠有包含铝的布线层的构造。在第一蚀刻工序中，利用包含混合气体的处理气体的等离子体对布线层进行蚀刻，该混合气体由被供给到腔室内的还原性气体和含氯气体构成。在停止工序中，在通过第一蚀刻工序将布线层蚀刻至规定的厚度的情况下，停止向腔室内供给还原性气体。在第二蚀刻工序中，利用包含被供给至腔室内的含氯气体的处理气体的等离子体，进一步对布线层进行蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]蚀刻方法和半导体器件的制造方法-CN201910716800.6有效
发明人：饗场康;神户乔史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制有机绝缘膜的表面粗糙的蚀刻方法和半导体器件的制造方法。该蚀刻方法的特征在于：通过在层叠于层叠结构之上的有机绝缘膜设置的开口对该层叠结构进行蚀刻，其中所述层叠结构是将至少1层氧化硅膜和至少1层氮化硅膜层叠而形成的，上述蚀刻方法包括：第一步骤，其利用由CF系气体和含有氧原子的气体构成的第一处理气体而生成的等离子体，通过上述开口来蚀刻上述层叠结构；和第二步骤，其利用等离子体，通过上述开口对上述层叠结构进行蚀刻，其中上述等离子体是利用由CF系气体和稀有气体构成的或者由CHF系气体和稀有气体构成的第二处理气体而生成的。
蚀刻方法半导体器件制造

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN201810567822.6有效
发明人： 神户乔史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明的目的在于提高FPD的品质。在搬入工序中，设置有多个包括第一Ti膜、Al膜和第二Ti膜的电极层形成于半导体层上的多个元件的被处理基片被搬入腔体内。在供给工序中，向腔体内供给第一处理气体。在第一蚀刻工序中，利用第一处理气体的等离子体，对包含于各个元件的电极层中的第二Ti膜进行蚀刻，进而对包含于各个元件的电极层中的Al膜进行蚀刻直至在任一个元件中第一Ti膜露出。在切换工序中，将向腔体内供给的处理气体从第一处理气体切换成包含N2气体的第二处理气体。在第二蚀刻工序中，利用第二处理气体的等离子体，重新开始对各个元件的电极层进行蚀刻。
蚀刻方法装置

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN202211004556.9在审
发明人：依田悠;神户乔史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在内表面具有含铝物的处理容器内，使用含氯气体对Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻时，抑制含铝物的消耗。本发明的等离子体蚀刻方法包括：向内表面的至少一部分由含铝物形成的处理容器内，搬入具有下层Ti膜、Al膜和上层Ti膜叠层而成的Ti/Al/Ti叠层膜、且在其上形成有图案化的抗蚀剂层的基板的工序；和生成包含含氯气体的蚀刻气体和氮气的等离子体，以抗蚀剂层为掩模，利用生成的等离子体对Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻的蚀刻工序。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201710680020.1有效
发明人： 神户乔史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制在有机膜上形成的金属膜的蚀刻速率下降的基板处理方法。当对具有形成在有机绝缘膜(26)上的金属膜(30)的基板(S)实施利用等离子体的蚀刻时，脉冲式施加用于将等离子体中的阳离子(34)引入基板(S)的偏置电压。
处理方法装置

[发明专利]水蒸气处理装置及方法、基板处理系统以及干蚀刻方法-CN202011615450.3在审
发明人：若林孝德;伊藤毅;依田悠;神户乔史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及一种水蒸气处理装置及方法、基板处理系统以及干蚀刻方法。一种水蒸气处理装置，具有：上腔室和下腔室，所述上腔室和下腔室上下层叠；以及隔离件，其介于所述上腔室及所述下腔室与第一闸门之间，与所述上腔室、所述下腔室以及所述第一闸门相连，其中，所述上腔室具备第一开口，所述下腔室具备第二开口，所述隔离件具备与所述第一开口及所述第二开口分别连通的第三开口及第四开口，所述第三开口及所述第四开口分别与所述第一闸门具备的第五开口及第六开口连通，所述上腔室及所述下腔室与共用的或单独的水蒸气的气化器连通，所述隔离件在所述第三开口的周围具备第一温度调节部，在所述第四开口的周围具备第二温度调节部。
水蒸气处理装置方法系统以及蚀刻

[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台-CN201710574737.8有效
发明人：佐佐木芳彦;南雅人;藤永元毅;神户乔史;山涌纯;宇贺神肇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
等离子体蚀刻方法装置基板载置台

[发明专利]等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台-CN202011136319.9在审
发明人：佐佐木芳彦;南雅人;藤永元毅;神户乔史;山涌纯;宇贺神肇 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
等离子体蚀刻方法装置基板载置台

[发明专利]等离子体蚀刻方法-CN201710794831.4在审
发明人：依田悠;神户乔史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在内表面具有含铝物的处理容器内，使用含氯气体对Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻时，抑制含铝物的消耗。本发明的等离子体蚀刻方法包括向内表面的至少一部分由含铝物形成的处理容器内，搬入具有下层Ti膜、Al膜和上层Ti膜叠层而成的Ti/Al/Ti叠层膜、且在其上形成有图案化的抗蚀剂层的基板的工序；和生成包含含氯气体的蚀刻气体和氮气的等离子体，以抗蚀剂层为掩模，利用生成的等离子体对Ti/Al/Ti叠层膜进行等离子体蚀刻的蚀刻工序。
等离子体蚀刻方法

[发明专利]终点检测方法和基板处理装置-CN201310285902.X在审
发明人： 神户乔史;藤井祐希 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供即使在基板表面形成的形状变化，也能够可靠地检测出形状形成处理的终点的终点检测方法。将在被处理区域（A）形成的特定形状的形成结束时和强度的时间变化发生奇异性变化的奇异点的出现时刻一致的波长的光选定为监视光，使用等离子体对基板（S）实施蚀刻处理时，由照射单元（14）向基板（S）的表面的被处理区域（A）照射具有包括多个波长的规定的波段的照射光（L），监视从由光接收单元（15）接收的反射光（R）中选定的监视光的强度的时间变化，判定监视光的强度的时间变化是否到达监视光的强度变化分布图中强度发生奇异性变化的奇异点，在判定监视光的强度的时间变化到达奇异点的情况下，判断为在被处理区域（A）形成的特定形状的形成结束。
终点检测方法处理装置

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