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[发明专利]一种准确测量双电层电势分布的方法-CN202211350209.1有效
发明人：李洋;胡鑫;赵守鑫;徐成彦;甄良 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01Q60/30 文献下载
摘要：一种准确测量双电层电势分布的方法，属于界面特性调控领域，涉及固态电解质基底和二维材料双电层器件，结合开尔文探针力显微镜的表面电势测量方法调控表征双电层界面特性。本发明是要解决现有的离子双电层器件界面不清晰，无法阐述微观纳米尺度下双电层结构、离子迁移的运行规律的技术问题。本发明通过调节固态电解质基底材料的栅极电势调节界面双电层电场，以开尔文探针力显微镜测试二维材料表面电势分布，获得随双电层界面电场变化趋势。本发明以固态电解质为依托暴露双电层界面，结合开尔文探针力显微镜实现在微纳米尺度下对双电层结构以及电势分布的准确表征。
一种准确测量双电层电势分布方法

[发明专利]一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法-CN202010435764.9有效
发明人：李洋;徐成彦;徐博;甄良 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法。本发明属于电子和光电子领域。本发明是要解决现有改善TMDs电接触方法改善效果不明显，以及绝缘插入层厚度严格受限的技术问题。本发明方法如下：一、通过机械剥离方法制备TMDs层，通过干法转移将TMDs层转移到清洗干净的SiO2/Si衬底上的SiO2一侧，然后进行退火处理；二、通过机械剥离方法制备InSe纳米片层，然后通过光学显微镜和原子力显微镜选择所需厚度的InSe纳米片层，并通过干法转移将InSe纳米片层转移至步骤一后的TMDs层上，然后进行退火处理，退火后自然冷却至室温，得到InSe与TMDs的异质结。本发明的方法简单有效，不同于其他插入的绝缘层必须严格地限制在1‑3nm之内，可有效地改善TMDs的电接触。
一种插入二维半导体硒化铟纳米改善过渡金属化合物接触方法

[发明专利]一种利用热探针对二维过渡金属硫属化物/丝素蛋白柔性衬底进行微纳结构加工的方法-CN202211351298.1有效
发明人：李洋;王瑞;常顺宇;耿延泉;赵守鑫;邵文柱;甄良;徐成彦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种利用热探针对二维过渡金属硫属化物/丝素蛋白柔性衬底进行微纳结构加工的方法，涉及一种对丝素蛋白柔性衬底进行微纳结构加工的方法。本发明是要解决现有的微纳加工技术加工精度低、制造工艺复杂和可加工材料受限的技术问题。本发明选用可加热的原子力探针作为加工工具，制备二维过渡金属硫属化物/丝素蛋白异质结构，按照设定的加工轨迹和加工尺寸在二维过渡金属硫属化物/丝素蛋白柔性衬底进行可控尺寸加工，制备微纳结构。利用热探针刻划加工的微纳米制造方法是一种具有加工方法简单、易于操作、加工环境需求低、可加工材料广泛、可实现纳米级加工精度等优势的微纳米制造方法。
一种利用探针二维过渡金属硫属化物丝素蛋白柔性衬底进行结构加工方法

[发明专利]一种基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件及其制备方法和应用-CN202310257072.3在审
发明人：秦敬凯;孙若瑶;徐成彦 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及存储器件技术领域，尤其涉及一种基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法，包括：在硅衬底的表面制备二维三硒化铌纳米带，得到表面有二维三硒化铌纳米带的硅衬底；在所述表面含有二维三硒化铌纳米带的硅衬底的表面涂覆光刻胶后，在所述二维三硒化铌纳米带的两端分别刻蚀出电极位点，制备电极，去胶后，进行锂化，得到所述基于二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件。所述制备方法制备得到的二维三硒化铌纳米带的阻变式随机存储器件具有良好的高低阻切换行为和优良的保持特性。
一种基于二维三硒化铌纳米阻变式随机存储器件及其制备方法应用

[发明专利]一种脱硝催化剂及其制备方法和应用-CN202310227803.X在审
发明人：朱荣淑;刘豪;徐成彦;朱振业;朱满玉 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B01J29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种脱硝催化剂及其制备方法和应用，本发明的脱硝催化剂包括铟、H‑Beta分子筛和镍锰复合氧化物，铟、镍锰复合氧化物均负载在H‑Beta分子筛的表面；该脱硝催化剂的制备方法包括以下步骤：1)将高锰酸盐、H‑Beta分子筛、镍盐混合后，再加入二价锰盐，经水热反应、第一次焙烧，得到镍锰改性的H‑Beta分子筛；2)将镍锰改性的H‑Beta分子筛和铟盐混合，经离子交换、第二次焙烧，得到脱硝催化剂。本发明的脱硝催化剂不仅在低温条件下具备起活快、CH4转化率高、NOx去除率高的优势，而且还具备制备简单、可控、成本低、节能的效果，特别适合应用于CH4‑SCR脱硝设备或工艺中。
一种催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种基于三硫化钛/二氧化钛/三硫化钛横向异质结的忆阻器件及其制备方法和应用-CN202310255164.8在审
发明人：秦敬凯;陈鸿基;孙海淋;徐成彦 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及忆阻器件技术领域，尤其涉及一种基于三硫化钛/二氧化钛/三硫化钛横向异质结的忆阻器件及其制备方法和应用。本发明所述制备方法首先采用云母限域空间辅助化学气相运输法(CVT法)合成的TiS3纳米片，具有规则的形状、较大的二维尺寸、厚度较小、结晶质量高，用其构筑的晶体管具备较好的电学性能；接着采用激光原位氧化所述TiS3纳米片形成TiS3/TiO2/TiS3横向异质结，激光氧化灵活度高、可控性强，可以根据需要设计异质结的沟道形状；所述制备过程简单快速、在室温大气环境下进行，无苛刻的实验环境要求；制备得到的异质结界面清晰、质量较好，可以较好的实现模拟忆阻器功能和模拟突触可塑性等功能。
一种基于硫化氧化横向异质结器件及其制备方法应用

[发明专利]一种空心碳十二面体封装WC、W2-CN202210628573.3有效
发明人： 徐成彦;孙书超;马飞翔;李洋;甄良 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种空心碳十二面体封装WC、W2C或双相WC/W2C纳米颗粒电催化剂的制备方法，属于电催化制氢技术领域。本发明解决了现有高温化合物碳化钨难以纳米化，以及碳化钨较弱的电催化活性的问题。本发明采用模板法辅助制备空心碳十二面体封装WC、W2C或双相WC/W2C纳米颗粒电催化剂，由于该催化剂具有独特的空心十二面体结构，不仅可以增加催化剂与电解液的接触面积，还增加活性位点的数量。同时在空心碳十二面体封装双相WC/W2C纳米颗粒电催化剂中由于W2C的引入还可以调节WC的电子结构，改善在析氢过程中对H+的吸附能，从而促进析氢反应的进行，提升活性位点的催化能力。
一种空心十二封装 wc base sub

[发明专利]一种基于光谱法判断二维铁弹材料的畴取向以及局域光学各向异性的调控方法-CN202211365926.1在审
发明人：李洋;伏捷瑞;赵守鑫;徐成彦;甄良 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：一种基于光谱法判断二维铁弹材料的畴取向以及局域光学各向异性的调控方法，涉及二维纳米材料表征与畴结构调控技术领域。本发明是要解决目前二维铁弹材料难以通过透射电子显微镜等微观的表征方法表征畴取向，传统的铁弹畴调制方法由于过于不均匀的应变也难以在机械剥离的二维材料中得到控制的技术问题。本发明将二维铁弹材料置于通过偏振光显微镜引入的激光下，在收集拉曼信号端增加一个偏振方向可调的偏振片，旋转样品收集不同旋转角度的拉曼信号，通过拉曼信号的强度变化规律判断二维铁弹材料的畴取向，并通过外加应变调控二维铁弹材料中畴的分布。本发明是一种无损判断二维铁弹材料中畴的取向并实现有效调控的方法。
一种基于光谱判断二维材料取向以及局域光学各向异性调控方法

[发明专利]一种化合物低温连续合成装置及合成方法-CN202210938160.5在审
发明人：史艳磊;孙聂枫;王书杰;刘峥;付莉杰;徐成彦;秦敬凯;邵会民;王阳;李晓岚;刘惠生;张晓丹;张鑫;李亚旗;赵红飞;康永;谷伟侠;吴中超;吴畏;高鹏;王赫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B01J3/00 文献下载
摘要：一种化合物低温连续合成装置及合成方法，属于化合物半导体技术领域，所述装置包括恒温腔、旋转飞轮系统、气源供气系统、金属滴液系统，所述方法包括：将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中，将恒温腔升温并保持，将气氛元素注入恒温腔，启动旋转飞轮系统，加热金属滴液系统并将金属液滴注入到恒温腔，实现化合物的合成。本发明的合成温度远低于化合物的熔点温度，降低了化合物与容器的接触沾污，合成纯度高、设备制造难度低，气源损失少，可实现化合物多晶材料的高纯、低成本的合成。
一种化合物低温连续合成装置方法

[发明专利]一种离心扩散合成化合物的装置和方法-CN202210938188.9在审
发明人：史艳磊;孙聂枫;徐成彦;秦敬凯;王书杰;付莉杰;徐森锋;康永;姜剑;刘惠生;邵会民;王阳;李晓岚;刘峥;张晓丹;张鑫;李亚旗;赵红飞;薛静;谷伟侠;吴中超;吴畏;高鹏;王赫 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：一种离心扩散合成化合物的装置和方法，属于化合物半导体技术领域，所述装置包括恒温腔、离心扩散系统、气源供气系统、金属滴液系统，所述方法包括：将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中，将恒温腔升温并保持，将气氛元素注入恒温腔，启动离心扩散系统，加热金属滴液系统并将金属液滴注入到恒温腔，实现化合物的合成。本发明的合成温度远低于化合物的熔点温度，降低了化合物与容器的接触沾污，合成纯度高、设备制造难度低，气源损失少，可实现化合物多晶材料的高纯、低成本的合成。
一种离心扩散合成化合物装置方法

[实用新型]一种添加化合物半导体材料的装置-CN202222566734.9有效
发明人：史艳磊;孙聂枫;徐成彦;秦敬凯;王书杰;邵会民;刘惠生 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：一种添加化合物半导体材料的装置，属于半导体晶体制备领域。所述装置包括炉体和坩埚，在炉体内设置可升降的环形投料架，在投料架上放置环形多晶胶囊架，在多晶胶囊架上设置上下开口的多晶胶囊；籽晶杆连接驱动电机，籽晶杆上设置凸台；籽晶杆的外形及环形多晶胶囊架中心孔的形状为匹配的多边形；在坩埚上沿的材料释放装置，所述材料释放装置连接材料释放装置的驱动机构。采用本实用新型提出的装置，采取多步骤填料，装料前，坩埚中放置覆盖剂，当覆盖剂熔化后，再分多次添加多晶材料，确保添入的多晶料被熔化的覆盖剂淹没，在液面下熔化，不会造成多晶料中元素的损失。
一种添加化合物半导体材料装置

[发明专利]一种添加化合物半导体材料的装置和方法-CN202211186438.4在审
发明人：史艳磊;孙聂枫;徐成彦;秦敬凯;王书杰;邵会民;刘惠生 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：一种添加化合物半导体材料的装置和方法，属于半导体晶体制备领域。所述装置包括炉体和坩埚，在炉体内设置可升降的环形投料架，在投料架上放置环形多晶胶囊架，在多晶胶囊架上设置上下开口的多晶胶囊；籽晶杆连接驱动电机，籽晶杆上设置凸台；籽晶杆的外形及环形多晶胶囊架中心孔的形状为匹配的多边形；在坩埚上沿的材料释放装置，所述材料释放装置连接材料释放装置的驱动机构。所述方法包括：准备材料、加热坩埚、依次打开多晶胶囊的封堵进行添料。本发明方法采取多步骤填料，装料前，坩埚中放置覆盖剂，当覆盖剂熔化后，再分多次添加多晶材料，确保添入的多晶料被熔化的覆盖剂淹没，在液面下熔化，不会造成多晶料中元素的损失。
一种添加化合物半导体材料装置方法

[实用新型]一种基于扫描探针显微镜的原位光电测试系统-CN202222501104.3有效
发明人：李洋;刘跃;赵守鑫;孙昭媛;甄良;徐成彦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G01Q60/00 文献下载
摘要：一种基于扫描探针显微镜的原位光电测试系统，涉及一种原位光电测试系统。本实用新型是要解决目前近场光学显微镜只能用于收集光束获得材料的光谱信息，缺少捕捉微弱电流信号的功能，不能对激光诱导的电荷产生和输运性能进行测试，无法实现高分辨率下光电性质的测量的技术问题。本系统由两个子系统组成，即扫描探针显微镜系统和引光系统；其中扫描探针显微镜系统能够用于表面形貌成像，表面电势分布成像，表面导电率成像；引光系统能够引入激光聚焦在样品表面激发，收集激光光斑的位置信息，激光聚焦位置可以精准地调节，激光可选，激光功率可调。
一种基于扫描探针显微镜原位光电测试系统

[发明专利]一种碳纳米管基催化剂及其制备方法和应用-CN202211148796.6在审
发明人： 徐成彦;章梦甜;李豪;甄良 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及电化学催化技术领域，尤其涉及一种碳纳米管基催化剂及其制备方法和应用。发明提供了一种碳纳米管基催化剂，包括氮掺杂碳纳米管和负载在所述氮掺杂碳纳米管中的铱‑钴纳米颗粒，所述铱‑钴纳米颗粒为铱掺杂钴纳米颗粒。在所述催化剂中，铱‑钴纳米颗粒负载在所述氮掺杂的碳纳米管中，可以实现快速的电子转移，有效抑制纳米颗粒的溶解和团聚，有利于提高导电性能，保护催化反应活性位点；此外，Ir与Co之间具有较强的电子耦合作用，有利于提高催化剂的电催化性能；同时，其在酸性和碱性介质中均表现出优异的电催化析氢性能，具有较高的活性和良好的稳定性。
一种纳米催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种二维硫化钼-硫化铌范德华异质结光突触器件及其制备方法-CN202210884909.2在审
发明人：秦敬凯;陈鸿基;徐成彦;甄良 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及光电子学和神经形态器件技术领域，提供了一种二维硫化钼‑硫化铌范德华异质结光突触器件及其制备方法。本发明提供的光突触器件包括依次层叠设置的衬底层、介电层、二维硫化钼/硫化铌垂直异质结和电极层，该器件在底栅压和激光脉冲的共同调控下具备较好的光响应行为，还表现出良好的可持续光电导现象，能够有效实现双脉冲易化、多组态光写入和电擦除等突触行为，有望在图像传感器、神经形态器件和光响应储存设备上应用。本发明采用前驱体旋涂辅助化学气相沉积法或熔盐辅助化学气相沉积法制备二硫化钼纳米片，采用熔盐辅助化学气相沉积法制备二硫化铌纳米片，整个生长过程可控、工艺稳定，容易获得结晶质量较好的二维垂直异质结材料。
一种二维硫化铌范德华异质结光突触器件及其制备方法

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