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[发明专利]制备4-甲基-5-壬酮和4-甲基-5-壬醇的方法-CN201911326920.1有效
发明人： 三宅裕树;金生刚;小松棱 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C07C45/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备下式(3)的4‑甲基‑5‑壬酮的方法：该方法至少包括使下式(1)的戊酸酐和以下通式(2)的2‑戊基亲核试剂进行亲核取代反应从而生成4‑甲基‑5‑壬酮(3)的步骤，其中M代表Li、MgZ1或ZnZ1，其中Z1代表卤原子或2‑戊基，还提供了一种制备下式(7)的4‑甲基‑5‑壬醇的方法，该方法至少包括制备4‑甲基‑5‑壬酮以及使所获得的4‑甲基‑5‑壬酮和还原剂进行还原反应从而生成4‑甲基‑5‑壬醇(7)的步骤。#imgabs0#
制备甲基壬酮壬醇方法

[发明专利](2E,6Z)-2,6-壬二烯醛和(2E)-顺-6,7-环氧-2-壬烯醛的制备法-CN201910465202.6有效
发明人： 三宅裕树;金生刚;渡部友博 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C07C45/42 文献下载
摘要：本发明提供一种制备(2E,6Z)‑2,6‑壬二烯醛的方法，该方法至少包括以下步骤：使通式为Ar3P＝CH(CH2)2CH＝CHCH(OR1)(OR2)的(6,6‑二烷氧基‑4‑己烯基)三芳基膦化合物与丙醛进行维蒂希反应，以形成通式(6)的1,1‑二烷氧基‑(6Z)‑2,6‑壬二烯化合物；使1,1‑二烷氧基‑(6Z)‑2,6‑壬二烯化合物水解以形成(2E,6Z)‑2,6‑壬二烯醛。还提供了制备式(8)的(2E)‑顺‑6,7‑环氧‑2‑壬烯醛的方法，该方法包括将所获得的(2E,6Z)‑2,6‑壬二烯醛进行环氧化以形成(2E)‑顺‑6,7‑环氧‑2‑壬烯醛的步骤。#imgabs0#
壬二烯醛环氧壬烯制备

[发明专利]3,7-二甲基烷烃化合物的制备方法-CN202211484699.4在审
发明人： 三宅裕树;渡边武;金生刚 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C07C1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备3,7‑二甲基烷烃化合物(3)的方法：其中n是5或6，所述方法包括：使亲核试剂2,6‑二甲基辛基化合物(1)：其中M1表示Li、MgZ1、CuZ1或CuLiZ1，其中Z1表示卤素原子或2,6‑二甲基辛基基团，与亲电烷基试剂(2)：其中X1表示卤素原子或对甲苯磺酸酯基团，且“n”如上所定义，进行偶联反应，以形成3,7‑二甲基烷烃化合物(3)。
甲基烷烃化合物制备方法

[发明专利](7Z)-7-二十三烯的制备方法-CN202010355205.7有效
发明人： 三宅裕树;金生刚;长江祐辅 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C07C1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种制备下式(3)的(7Z)‑7‑二十三烯的方法：该方法包使如下通式(1)的亲核试剂(8Z)‑8‑十五烯基化合物，其中M1代表Li、MgZ1、CuZ1或CuLiZ1，其中Z1代表卤素原子或(8Z)‑8‑十五烯基基团，与如下通式(2)的1‑卤代辛烷化合物进行偶联反应，其中X1代表卤素原子，以产生(7Z)‑7‑二十三烯(3)。
十三制备方法

[发明专利]制备(E2)-顺-6,7-环氧-2-壬烯醛的方法-CN201910779277.1有效
发明人：山下美与志;三宅裕树;金生刚 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C07D301/14 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种制备下式(3)的(E2)‑顺‑6,7‑环氧‑2‑壬烯醛的工业化并经济的方法：本发明提供了一种制备(E2)‑顺‑6,7‑环氧‑2‑壬烯醛(3)的方法，包括至少以下步骤：使下式(1)的(Z3,Z6)‑3,6‑壬二烯‑1‑醇进行氧化：以形成下式(2)的(E2,Z6)‑2,6‑壬二烯醛；和环氧化所得(E2,Z6)‑2,6‑壬二烯醛，以形成前述(E2)‑顺‑6,7‑环氧‑2‑壬烯醛(3)。
制备 e2 环氧壬烯方法

[发明专利]制备(E2,Z6)-2,6-壬二烯醛的方法-CN201910779273.3有效
发明人：山下美与志;三宅裕树;金生刚 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C07C45/29 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种制备下式(4)的(E2,Z6)‑2,6‑壬二烯醛的工业化并经济的方法：本发明提供一种制备(E2,Z6)‑2,6‑壬二烯醛(4)的方法，该方法至少包括以下步骤：在三氧化硫络合物和下式(3)的胺化合物存在下，用下式(2)的亚砜化合物使下式(1)的(Z3,Z6)‑3,6‑壬二烯‑1‑醇氧化，以形成上述(E2,Z6)‑2,6‑壬二烯醛(4)：其中R1代表具有1至12个碳原子的一价烃基，其中R2、R3和R4各自独立地代表具有1至12个碳原子的一价烃基，或者R3和R4可彼此键合以形成具有3至12个碳原子的二价烃基R3‑R4。
制备 e2 z6 壬二烯醛方法

[发明专利]制备5-烯-1-炔及其衍生化合物的方法-CN201910736334.8有效
发明人：渡部友博;金生刚;三宅裕树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C07C1/32 文献下载
摘要：本发明目的是提供以低成本高效制备5‑烯‑1‑炔化合物的方法，以及通过利用上述制备所述5‑烯‑1‑炔化合物的方法来制备(2E,6Z)‑2,6‑壬二烯醛的方法。提供了制备下式(4)的5‑烯‑1‑炔化合物的方法：Y‑Z‑CR1＝CR2‑(CH2)2‑C≡CH(4)，其中式(4)中的Y表示氢原子或羟基，该方法至少包括以下步骤：使(i)由下式(1)的卤代烯烃化合物制备的烯基卤化镁化合物：Y‑Z‑CR1＝CR2‑(CH2)2‑X1(1)和(ii)下式(2)的炔烃化合物：X2‑C≡C‑Si(R3)(R4)(R5)(2)进行偶联反应以形成下式(3)的硅烷化合物：Y‑Z‑CR1＝CR2‑(CH2)2‑C≡C‑Si(R3)(R4)(R5)(3)；和将所述硅烷化合物(3)进行脱硅烷基化反应以形成所述5‑烯‑1‑炔化合物(4)。
制备及其衍生化合物方法

[发明专利]1-卤代二烯及制备它和(9E,11Z)-9,11-十六碳二烯基乙酸酯的方法-CN201910310523.9有效
发明人：渡部友博;三宅裕树;金生刚 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C07C17/263 文献下载
摘要：本发明的目的是以高收率和高纯度制备(9E,11Z)‑9,11‑十六碳二烯基乙酸酯。本发明提供了一种制备通式(1)：CH3‑(CH2)3‑CH＝CH‑CH＝CH‑(CH2)a‑X的1‑卤代二烯的方法，包括在通式(2):OHC‑CH＝CH‑(CH2)a‑X的卤代烯烃和通式(3)：CH3‑(CH2)3‑CH‑‑P+Ar3的三芳基戊基鏻之间进行维蒂希反应以得到1‑卤代二烯的步骤，以及通过制备(9E,11Z)‑9,11‑十六碳二烯基乙酸酯的方法得到的(7E,9Z)‑1‑卤代‑7,9‑十四碳二烯的用途。
卤代二烯制备 11 十六碳二烯基乙酸方法

[发明专利]用于基于氧化镓的半导体衬底的表面处理方法及半导体器件-CN202211103102.7在审
发明人：朽木克博;片冈惠太;菊田大悟;三宅裕树;市川周平;长里喜隆 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：在用于基于氧化镓的半导体衬底的表面处理方法中，通过以150V或更大的自偏压进行干蚀刻，使所述基于氧化镓的半导体衬底的表面平坦化。在使所述基于氧化镓的半导体衬底的表面平坦化之后，用含有H2SO4的化学溶液清洗基于氧化镓的半导体衬底的表面，以暴露基于氧化镓的半导体衬底的表面上的台阶阶梯结构。
用于基于氧化半导体衬底表面处理方法半导体器件

[发明专利]制备有碳-碳不饱和键被还原的还原型卤化物的方法-CN201910313902.3有效
发明人： 三宅裕树;金生刚;长江祐辅 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C07C41/48 文献下载
摘要：具有一个或多个碳‑碳不饱和键的卤化物被基本上不脱卤地催化还原，产生其中一个或多个不饱和键中的至少一个被还原的还原型卤化物。具体而言，提供一种制备还原型卤化物的方法，其包括以下步骤：使镍化合物、锌化合物和硼氢化物在溶剂中反应，得到还原催化剂；并在还原催化剂存在下，使具有一个或多个碳‑碳不饱和键的卤化物进行催化还原，以还原一个或多个碳‑碳不饱和键中的至少一个，从而得到还原型卤化物。
制备不饱和还原原型卤化物方法

[发明专利]制备(7E)-7,9-癸二烯酸酯的方法-CN201811169360.9有效
发明人： 三宅裕树;金生刚;小松棱 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C07C67/343 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供一种制备9,9‑二烷氧基‑7‑壬烯酸酯和(7E)‑7,9‑癸二烯酸酯的方法，它们作为中间体是有价值的。制备(7E)‑7,9‑癸二烯酸酯(5)的方法至少包括以下步骤：水解9,9‑二烷氧基‑7‑壬烯酸酯(2)R3O(R2O)CHCH＝CH(CH2)5CO2R1，以形成(7E)‑9‑氧代‑7‑壬烯酸酯(3)；以及使(7E)‑9‑氧代‑7‑壬烯酸酯(3)与三芳基鏻甲内鎓盐(4)Ar3P＝CH2，进行维蒂希反应，以形成(7E)‑7,9‑癸二烯酸酯(5)。9,9‑二烷氧基‑7‑壬烯酸酯可以通过例如还原9,9‑二烷氧基‑7‑壬炔酸酯(1)来制备。
制备癸二烯酸酯方法

[发明专利](6Z,9Z)-6,9-十二碳二烯-1-炔及其制备方法-CN202210382886.5在审
发明人： 三宅裕树;金生刚;小松棱 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C07C11/28 文献下载
摘要：本发明提供下式(1)的(6Z,9Z)‑6,9‑十二碳二烯‑1‑炔。此外，本发明提供一种用于制备(6Z,9Z)‑6,9‑十二碳二烯‑1‑炔(1)的方法，该方法包括使以下通式(2)的(3Z,6Z)‑10‑卤代‑3,6‑癸二烯化合物，其中X表示卤素原子，与以下通式(3)的金属乙炔化物发生反应，其中，M表示Na、Li、K、Ag、Cu(I)、MgZ、CaZ或Cu(II)Z，其中Z表示卤素原子或乙炔基基团，以形成(6Z,9Z)‑6,9‑十二碳二烯‑1‑炔(1)。
十二碳二烯及其制备方法

[发明专利]取代的十一碳烯化合物和取代的十一碳烯基三芳基鏻卤化物及由其制化合物和混合物的方法-CN202210284932.8在审
发明人： 三宅裕树;金生刚;长江祐辅 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C07F9/54 文献下载
摘要：本发明涉及制备通式(3‑Z)的(4Z)‑11,11‑二烷氧基‑4‑十一碳烯基三芳基鏻卤化物的方法，其中Y表示卤素原子，Ar彼此独立表示芳基基团，R1和R2彼此独立表示具有1至15个碳原子的一价烃基，或R1和R2可以一起形成具有2至10个碳原子的二价烃基R1‑R2，所述方法包括：使通式(1‑Z)的(7Z)‑11‑卤代‑1,1‑二烷氧基‑7‑十一碳烯化合物，其中X1表示卤素原子，R1和R2如上定义，与通式(2)的膦化合物，其中Ar如上定义，发生鏻盐形成反应形成所述化合物(3‑Z)；还涉及通式(A)的化合物L(CH2)3CH＝CH(CH2)5CH(OR1)(OR2)(A)，其中R1和R2如上定义。
取代十一化合物碳烯基三芳基鏻卤化物混合物方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN202210105803.8在审
发明人： 三宅裕树;永冈达司 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备由包含第一元素和与第一元素键合且电负性比第一元素小1.5或更多的第二元素的化合物半导体制成的衬底(12)；使电流在衬底(12)中流动；和在包括使电流流动的电流区域的位置处并沿着衬底(12)的解理面分割衬底(12)。一种用于制造半导体器件的方法，包括：叠置均由化合物半导体制成的第一衬底(52)和第二衬底(54)；和通过使电流在第一衬底(52)与第二衬底(54)之间流动来键合第一衬底(52)和第二衬底(54)。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置-CN201780076727.X有效
发明人： 三宅裕树;浦上泰;山下侑佑 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种半导体装置，其具有半导体衬底、设置在半导体衬底的前表面中的第一沟槽、设置在第一沟槽内部的阳极电极、以及设置在半导体衬底的背表面上的阴极电极。所述半导体衬底具有第一p型区域、第二p型区域和与第一p型区域和第二p型区域接触的主n型区域，并且与第一沟槽的侧表面中的阳极电极形成肖特基接触。半导体衬底满足下述关系，即，当在平面图中观察前表面时，第一沟槽的面积小于主n型区域与在第一沟槽的侧表面中的阳极电极相接触的肖特基界面的面积。
半导体装置

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