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[发明专利]散物料给料器的杂物拦截装置及其方法-CN201811438552.5有效
发明人：卢成顺;秦鹏;李伟;王延高;吴蛟;王琦男;刘利雄 -专利权人：秦皇岛港股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B65G63/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种散物料给料器的杂物拦截装置，包括阻拦锁、压翘锁、角度可调式拦截板以及杂物分流板，阻拦锁和压翘锁安装于给料器溜槽内部，阻拦锁包括横向阻拦锁和纵向阻拦锁，多个横向阻拦锁位于靠近给料器溜槽下游的一侧，多个压翘锁位于靠近给料器溜槽上游的一侧，纵向阻拦锁与横向阻拦锁和压翘锁交错形成网状锁，网状锁距离物料上表面一定距离，横向压翘锁在给料器溜槽的外侧设有压簧以及接近式感应开关，压簧固定有反射板，反射板与接近式感应开关间隔一定距离，杂物分流板固定在簸箕工作面中间，角度可调式拦截板通过铰点与给料器溜槽的侧面连接，且底端安装有杂物卡位器。在处理杂物时无需停机，不影响生产，对下级皮带形成有效保护。
物料料器杂物拦截装置及其方法

[发明专利]一种突触型薄膜晶体管及其制备方法、运算阵列-CN202110214612.0在审
发明人： 王琦男;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开了一种突触型薄膜晶体管及其制备方法、运算阵列，该突触型薄膜晶体管包括：衬底；捕获层，捕获层设置于衬底的一侧；隧穿层，隧穿层设置于捕获层远离衬底的一侧；栅极，栅极设置于衬底远离捕获层的一侧；源极和漏极，源极和漏极设置于隧穿层远离捕获层的一侧；源极和漏极通过隧穿层电连接；捕获层用于在向栅极施加预设电压时，向隧穿层提供载流子。本发明提供的技术方案，可通过控制施加至突触型薄膜晶体管的栅极的电压，实现对突触型薄膜晶体管电导率的精准调节，从而能够实现多级化存储单元，进而极大提高运算阵列的存储容量。
一种突触薄膜晶体管及其制备方法运算阵列

[发明专利]基于锂掺杂透明氧化物的突触型薄膜晶体管及其制备方法-CN202011261096.9在审
发明人： 王琦男;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/445 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于锂掺杂透明氧化物的突触型薄膜晶体管的制备方法，其包括：S1、提供衬底，对衬底进行清洗和亲水处理；S2、利用水溶液法，在衬底的一表面制备锂掺杂透明氧化物绝缘层；S3、对锂掺杂透明氧化物绝缘层亲水处理；S4、利用水溶液法，在锂掺杂透明氧化物绝缘层上制备氧化物半导体层；S5、利用热蒸发工艺，在氧化物半导体层上制备源电极和漏电极；S6、利用热蒸发工艺，在衬底远离锂掺杂透明氧化物绝缘层的一侧制备栅电极，该制备方法环保，低温，可大面积制备，制备中较低的温度使得制作流程简单高效，可大幅减少制备时长，制备成本较低且使得绝缘层具有空位缺陷，同时，绝缘层中掺杂了锂离子，使得器件具有很好的突触器件特性。
基于掺杂透明氧化物突触薄膜晶体管及其制备方法

[实用新型]干雾喷射装置-CN201920424239.X有效
发明人：卢成顺;李伟;王琦男;吴蛟 -专利权人：秦皇岛港股份有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： B05B7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种干雾喷射装置，包括阀体本体、高压进水通路、密封圈、阀芯、喷头、喷嘴、气水混合室、进气孔、安装孔和高压进气通路。阀体本体第一侧设有高压进水通路，底部设有高压进气通路，阀体本体上设有安装孔，安装孔位于高压进气通路的两侧。阀体本体内部设有阶梯孔，阶梯孔的第一侧和高压进水通路连通，阶梯孔的底部和高压进气通路连通，阀芯的第一端位于阀体本体上阶梯孔的内部，第二端伸出于阀体本体的外部，喷头套在伸出于阀体本体外部的阀芯上，喷头的一端和阀体本体相连，并伸入到阀体本体的内部，另一端和喷嘴通过轴套进行相连，喷嘴上开设阻尼孔。本实用新型干雾喷射装置结构简单紧凑，安装拆卸方便且加工成本低。
阀体本体进气通路阶梯孔进水通路喷嘴安装孔阀芯喷头本实用新型连通密封圈喷射装置结构气水混合室伸出拆卸方便喷射装置第一端进气孔喷头套阻尼孔外部伸入轴套紧凑加工

[发明专利]双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管及其制备方法-CN201910292495.2在审
发明人：刘启晗;赵春;赵策洲;杨莉;王琦男 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明属于本发明属于半导体技术领域，特别涉及薄膜晶体管技术。本发明要求保护一种全水溶液法双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管及制备方法。该薄膜晶体管包括：绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极，漏电极。其中，绝缘衬底位于有机薄膜晶体管的最底层，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，自下而上依次叠覆于该绝缘衬底之上，源电极和漏电极分别地位于双层金属氧化物半导体异质结之上。本发明的栅极绝缘层和双层金属氧化物半导体异质结有源层采用简单的无机水溶液法制备，整个工艺温度控制在300℃以内。本发明可提高水溶液法制备的TFT及后续器件的电学性能，且制备工艺简单，生产成本低廉。
氧化物半导体双层金属异质结薄膜晶体管栅极绝缘层衬底绝缘漏电极源电极栅电极制备半导体技术领域有机薄膜晶体管水溶液法制无机水溶液电学性能水溶液法制备工艺最底层源层生产成本

[实用新型]散物料给料器的杂物拦截装置-CN201821974103.8有效
发明人：卢成顺;秦鹏;李伟;王延高;吴蛟;王琦男;刘利雄 -专利权人：秦皇岛港股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： B65G63/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种散物料给料器的杂物拦截装置，包括阻拦锁、压翘锁、角度可调式拦截板和杂物分流板，阻拦锁和压翘锁安装于给料器溜槽内部，阻拦锁包括横向阻拦锁和纵向阻拦锁，多个横向阻拦锁位于靠近给料器溜槽下游一侧，多个压翘锁位于靠近给料器溜槽上游一侧，纵向阻拦锁与横向阻拦锁和压翘锁交错形成网状锁，网状锁距离物料上表面一定距离，横向压翘锁在给料器溜槽的外侧设有压簧以及接近式感应开关，压簧固定有反射板，反射板与接近式感应开关间隔一定距离，杂物分流板固定在簸箕工作面中间，角度可调式拦截板通过铰点与给料器溜槽的侧面连接，且底端安装有杂物卡位器。在处理杂物时无需停机，不影响生产，对下级皮带形成有效保护。
给料器阻拦溜槽接近式感应开关角度可调式杂物分流板杂物拦截反射板拦截板压簧杂物本实用新型侧面连接交错形成下级皮带影响生产簸箕卡位器上表面底端铰点停机上游

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法-CN201811589966.8在审
发明人：刘启晗;赵春;赵策洲;杨莉;王琦男 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明属于薄膜晶体管领域，本发明要求保护一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括：绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源电极，漏电极。其中，绝缘衬底位于有机薄膜晶体管的最底层，栅电极，栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，自下而上依次叠覆于该绝缘衬底之上，源电极和漏电极分别地位于金属氧化物半导体层之上。本发明的金属氧化物半导体薄膜的制备方法通过在前驱体溶液中加入碱金属化合物，提高了现有技术中采用水溶液法制备的ZnO基薄膜晶体管的性能以及载流子迁移率，且制备工艺简单，生产成本较低，整个工艺温度控制在300℃以内。
金属氧化物半导体层衬底绝缘制备金属氧化物薄膜晶体管薄膜晶体管栅极绝缘层漏电极源电极栅电极金属氧化物半导体薄膜有机薄膜晶体管碱金属化合物载流子迁移率前驱体溶液水溶液法制制备工艺最底层晶体管生产成本

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