[发明专利]一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法有效

专利信息
申请号: 202010435764.9 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN113707560B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 李洋;徐成彦;徐博;甄良 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01L21/44 分类号: H01L21/44;H01L29/47
代理公司: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 代理人: 裴闪闪
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法。本发明属于电子和光电子领域。本发明是要解决现有改善TMDs电接触方法改善效果不明显,以及绝缘插入层厚度严格受限的技术问题。本发明方法如下:一、通过机械剥离方法制备TMDs层,通过干法转移将TMDs层转移到清洗干净的SiO2/Si衬底上的SiO2一侧,然后进行退火处理;二、通过机械剥离方法制备InSe纳米片层,然后通过光学显微镜和原子力显微镜选择所需厚度的InSe纳米片层,并通过干法转移将InSe纳米片层转移至步骤一后的TMDs层上,然后进行退火处理,退火后自然冷却至室温,得到InSe与TMDs的异质结。本发明的方法简单有效,不同于其他插入的绝缘层必须严格地限制在1‑3nm之内,可有效地改善TMDs的电接触。
搜索关键词: 一种 插入 二维 半导体 硒化铟 纳米 改善 过渡 金属 化合物 接触 方法
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  • 汤乃云;杜琛;徐浩然;王倩倩;单亚兵 - 上海电力学院
  • 2018-02-26 - 2018-07-31 - H01L21/44
  • 本发明涉及一种低欧姆接触场效应晶体管的制备方法,具体步骤为:在硅衬底上生长一层二氧化硅介质层;在二氧化硅介质层上覆盖一层二维材料;在二维材料表面按照图形旋涂一层光刻胶形成掩膜,并使二维材料的两端裸露在外;对二维材料进行辐照,诱导裸露在外的二维材料发生半导体—金属相变;辐照完成后除去光刻胶,在发生相变的二维材料两端制作金属电极A和金属电极B,即制得产品。本发明以二维相变材料在辐照条件诱导下,从半导体相转变为金属相,使金属电极和二维材料的接触变为欧姆接触,导通电流增大,接触电阻和功耗减小,可应用于各种二维材料器件中,拓展了二维相变材料器件的应用范围,提高二维相变材料器件的技术性能。
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