[发明专利]一种恒定光强脉冲氙灯太阳电池的测试方法无效
| 申请号： | 03108025.1 | 申请日： | 2003-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1456899A | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张克农;王红雨 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种恒定光强脉冲氙灯太阳电池测试方法。除了采用常规的程控电子负载、测试电路和计算机等，本方法利用光反馈和自动控制技术，把摄影用闪光灯或类似脉冲氙灯改制成恒定光强脉冲氙灯，该光源每次闪光可获得数毫秒恒定光强的光脉冲，计算机控制测试电路可以在单次闪光期间完成太阳电池I－V曲线数据的采集，并可在数秒内完成太阳电池电参数的测试。利用本发明，可以制造单体太阳电池和太阳电池组件测试装置。测试太阳电池组件时，利用放置在测试装置内的四块反光板使测试平面光照均匀度达到测试要求的方法。这些测试装置具有功耗低、结构简单、成本低、无发热，测试速度快等优点，可用于生产线对单体太阳电池和太阳电池组件进行快速测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恒定 脉冲 氙灯 太阳电池 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种恒定光强脉冲氙灯太阳电池测试方法，包括以下内容：1)采用常规的计算机、程控电子负载和测试电路等对被测太阳电池进行电压和电流测量；其特征在于，还包括：2)把摄影用的闪光灯或其他类似的脉冲氙灯改制成为恒定光强脉冲氙灯；恒定光强脉冲氙灯包括：交流电源【1】、充电电路【2】、储能电容【3】、触发脉冲输入端【4】、高压脉冲发生电路【5】、氙灯管【6】、光传感器【7】、调节器【8】；交流电源【1】通过充电电路【2】连接到储能电容【3】，储能电容【3】的两端通过串连的调节器【8】连接有氙灯管【6】，调节器【8】上分别连接触发脉冲输入端【4】及光传感器【7】，触发脉冲输入端【4】还连接高压脉冲发生电路【5】，高压脉冲发生电路【5】还连接到氙灯管【6】的辅助电极。
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- 本发明公开了一种晶体管老化测试箱，包括机架和设置在所述机架上的控制组件、用于调节测试信号的插接面板、电源组件和设置在所述机架外部的测试组件，所述插接面板、所述测试组件和所述电源组件均与所述控制组件电性连接，所述测试组件包括多个支撑台和设置在所述支撑台上的水冷板，所述支撑台包括操作箱和设置在所述操作箱上的第一接口组和调节开关，所述第一接口组与所述控制组件电性连接，所述水冷板设置在所述操作箱的上端，所述水冷板上设置有多个老化板和用于插接晶体管的安装孔，所述老化板与所述第一接口组电性连接，待测晶体管通过所述安装孔分别与所述老化板和所述插接面板信号连接。其很容易给晶体管散热，且节约电能。
- 高压直流输电用晶闸管寿命评估方法、装置、设备及介质-202310883029.8
- 徐阳;谢天喜;李群;杨景刚;陶风波 - 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国网江苏省电力有限公司
- 2023-07-18 - 2023-10-24 - G01R31/26
- 本发明涉及高压直流输电技术领域，尤其涉及一种高压直流输电用晶闸管寿命评估方法、装置、设备及介质，包括：获取晶闸管出厂时可循环次数模型，及可循环次数模型中因子的值；获取晶闸管计算时的漏电流和晶闸管的标准漏电流阈值，计算漏电流因子；获取晶闸管计算时的反向恢复电荷、晶闸管出厂时反向恢复电荷和晶闸管寿命终止时的反向恢复电荷设计值，计算反向恢复电荷因子；根据晶闸管当前运行年限，获得晶闸管在特征循环负载下的负载循环周次；根据可循环次数模型，计算晶闸管的剩余寿命。本发明中，通过动态静态结合的多维度评估，来准确的计算出晶闸管的剩余寿命。对于快接近寿命的晶闸管可以进行提前更换，从而保证高压直流输电的可靠性。
- 一种用于描述器件性能特征的版图结构、制作及测试方法-202310893598.0
- 陈燕宁;王凯;杨欣欢;桑倩倩;刘芳;王传政;马文哲 - 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;杭州电子科技大学
- 2023-07-20 - 2023-10-24 - G01R31/26
- 本发明公开了一种用于描述器件性能特征的版图结构、制作及测试方法。本发明设计的版图结构能够在12个pad中放下14个器件，解决同时提供高测量精度并节省布局空间的问题。本发明布局满足如下条件：①使用相同焊盘B；②版图结构中NMOS1、NMOS3、NMOS5、NMOS7、NMOS9、NMOS11和NMOS13共享相同的一个sourcepadS1和一个gatepadG1；③版图结构中的NMOS2、NMOS4、NMOS6、NMOS8、NMOS10、NMOS12和NMOS14共享相同的另一个sourcepadS2和另一个gatepadG2；④NMOS1和NMOS2共享相同的一个drainpadD1。同时本发明通过测量IdVg和IdVd，消除版图结构中产生的寄生电阻的方法。本发明解决了同时提供高测量精度并节省布局空间。
- 一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置-202210175725.9
- 程万坡;张兴杰;王荣元 - 江苏韦达半导体有限公司
- 2022-02-25 - 2023-10-24 - G01R31/26
- 本发明属于电子元件生产领域，尤其是一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置，针对现有的双极型晶体管在生产过程中，没有设置相关的击穿检测装置，还需人工进行检测，比较浪费时间，使得生产效率低下的问题，现提出如下方案，其包括底座，所述底座的顶部固定安装有安装架，且安装架的顶部固定安装有放置罩，所述放置罩内设有晶体管，所述安装架的顶部内壁上对称固定安装有插接组件，且插接组件的数量为两个，本发明通过对晶体管进行卡装定位，之后可对晶体管进行正向和反向电流测试，以此能够对晶体管进行性能测试和逆向击穿测试，因此相较于传统的检测方式，本技术方案具有良好的方便性，因此能够提高晶体管的生产效率。
- 一种晶圆级高速信号测试装置-202210683591.1
- 何菊;梁建;罗雄科 - 上海泽丰半导体科技有限公司
- 2022-06-17 - 2023-10-24 - G01R31/26
- 本发明提供了一种晶圆级高速信号测试装置，涉及半导体测试技术领域。装置包括：PCB板、支撑板和可导电软板，所述可导电软板可弯折成凸起结构，使所述可导电软板整体呈梯形体；还包括高速连接器，所述高速连接器固定在所述支撑板上，所述高速连接器的电气接口与所述可导电软板的边缘电性连接；所述PCB板的中心开设通孔，所述支撑板位于所述PCB板底部，使所述高速连接器内置于所述通孔中，所述可导电软板位于所述通孔上方；所述可导电软板的梯形体上底面上设置植针区域。本发明能够降低高速互连结构的复杂性，有效改善信号的质量，实现晶元级的67GHz以内的高频测试性能。
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