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[发明专利]一种基于2x-thru直通结构的二极管在片去嵌方法-CN202310947983.9在审
发明人：姚三锋;郭志清 -专利权人： 湖南芯引向科技有限责任公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于2x‑thru直通结构的二极管在片去嵌方法，包括步骤如下：将待测二极管左右两侧对称设置的两个夹具直接相连，构建出2x‑thru直通校准件；在待测二极管的集成电路输入输出端上分别外接直流偏置器；测量不同偏置下待测二极管的S参数以及2x‑thru校准件的S参数；求解金属互连和焊盘引起的夹具误差盒的八项误差参数；根据求解所得的夹具误差盒的八项误差参数完成二极管S参数的去嵌；该方法可以消除砷化镓集成电路在高频下因焊盘金属互连线路对二极管造成的影响，获取在不同偏置条件下二极管的本征S参数。本发明方法具有校准件少、设计简单、计算资源占用低以及在0‑40GHz的超宽频带内去嵌精确等优点。
一种基于 thru 直通结构二极管片去嵌方法

[发明专利]一种MMIC限幅器芯片失效分析方法-CN202211736147.8在审
发明人：郭艺玲;郭志清;李赣湘 -专利权人： 湖南芯引向科技有限责任公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请涉及一种MMIC限幅器芯片失效分析方法。所述方法包括：采用电子显微镜扫描待分析MMIC限幅器芯片，判定微波集成电路的形貌损伤位置；根据多个PIN二极管在待分析MMIC限幅器芯片中的位置，对待分析MMIC限幅器芯片进行区域分割，得到多个测试单元；获取每一测试单元上的PIN二极管的I‑V曲线，确定PIN二极管是否损伤，判断电路中有源元件损伤点；根据电子显微镜对电路形貌扫描判断无源元件损伤点和PIN二极管IV曲线分析判断有源元件损伤点，定位限幅器芯片在高功率微波辐射下损伤点。采用本方法能够使MMIC限幅器芯片失效分析更加便捷、准确、低成本，且符合实际工程应用要求。
一种 mmic 限幅器芯片失效分析方法

[实用新型]双折线型限幅器-CN202221853553.8有效
发明人：郭志清;褚海森;李赣湘 -专利权人： 湖南芯引向科技有限责任公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本申请提供一种双折线型限幅器，双折线型限幅器包括：设置在微带电路板上的微带线、两级二极管对管以及射频扼流电感，所述微带线包括第一弯折部和第二弯折部，所述第一弯折部的输入端为所述限幅器的输入端，所述第一弯折部通过串联的第一级二极管对管和所述射频扼流电感与所述第二弯折部连接，所述第二弯折部通过第二级二极管对管连接所述限幅器的输出端。本实用新型能够实现大信号下1‑6GHz的限幅功能，耐受程度高、插入损耗小。
折线限幅器

[实用新型]一种大功率限幅器模块-CN202221880561.1有效
发明人：李赣湘;郭志清;褚海森 -专利权人： 湖南芯引向科技有限责任公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种大功率限幅器模块，所述大功率限幅器模块包括硅PIN二极管限幅器和砷化镓限幅器芯片，所述硅PIN二极管限幅器用于承受输入信号的大功率，并初步衰减输入的大功率信号；所述砷化镓限幅器芯片用于进一步衰减大功率信号、降低整个限幅器模块的限幅电平以及提高响应速度。本实用新型中所述限幅器模块包括混合组装的硅PIN二极管限幅器与砷化镓限幅器芯片，本实用新型提供了一种限幅电平、耐受功率和响应速度等多方面的综合性能足够优异的大功率限幅器模块。
一种大功率限幅器模块

[发明专利]微带高耐受限幅器-CN202210841109.2在审
发明人：郭志清;褚少甫;郭雅清 -专利权人： 湖南芯引向科技有限责任公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本申请提供一种微带高耐受限幅器，微带高耐受限幅器包括：微带线、两级二极管对管以及射频扼流电感，所述微带线包括依次连接的第一段微带线、第一折叠微带线、第二段微带线、第二折叠微带线以及第三段微带线，第一级二极管对管并联在所述第二段微带线的两侧，所述射频扼流电感并联在所述第二段微带线的一侧，第二级二极管对管并联在所述第三段微带线的两侧。本发明能够实现大信号下8‑12GHz的限幅功能，耐受程度高、插入损耗小。
微带耐受限幅器

[发明专利]一种对电磁波的限幅方法-CN202210825480.X在审
发明人：郭志清;褚少甫;郭雅清 -专利权人： 湖南芯引向科技有限责任公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种对电磁波的限幅方法，包括在待保护的敏感器件前使用一种PIN二极管限幅器，所述限幅器从其输入端到输出端包括以微带线主线依次连接的第一级PIN二极管、射频扼流电感、第二级PIN二极管和第三级PIN二极管，所述微带线包括功分器、折线结构一和折线结构二；所述射频扼流电感串联在微带线主线上；所述折线结构一设置在第一级PIN二极管和射频扼流电感之间，所述折线结构二设置在射频扼流电感和第二级PIN二极管之间。本发明采用微带功分折线型多级联PIN二极管来实现大信号下限幅的功能，该限幅器在电磁波频率为0～2GHz时尤为适用。
一种电磁波限幅方法

[发明专利]限幅器-CN202210848439.4在审
发明人：褚海森;郭志清;尹琪 -专利权人： 湖南芯引向科技有限责任公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本申请提供一种限幅器，限幅器包括：输入匹配网络、功分网络、第一限幅模块、第二限幅模块、功合网络、移相网络、第三限幅模块、输出匹配网络；所述输入匹配网络的第一端为所述限幅器的输入端，所述输入匹配网络的输出端与所述功分网络连接，所述功分网络的输出端通过相互并联的所述第一限幅模块和所述第二限幅模块与所述功合网络连接，所述功合网络通过相互串联的所述移相网络、所述第三限幅模块与所述输出匹配网络连接，所述输出匹配网络的输出端为所述限幅器的输出端。本发明能够在超宽频带内实现功率耐受能力强、插入损耗低的限幅器功能。
限幅器

[实用新型]一种低插损PIN二极管限幅器-CN202221811306.1有效
发明人：郭志清;褚海森 -专利权人： 湖南芯引向科技有限责任公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种低插损PIN二极管限幅器，所述限幅器从其输入端到输出端包括以微带线主线依次连接的第一级PIN二极管、射频扼流电感、第二级PIN二极管和第三级PIN二极管，所述第一级PIN二极管内包含偶数个相同规格的PIN二极管，且第一级PIN二极管内的多个PIN二极管均设置在微带线主线的上侧和下侧，且上侧和下侧的PIN二极管并联在微带线主线上且个数一致；所述射频扼流电感串联在微带线主线上。本实用新型采用微带功分折线型多级联PIN二极管来实现大信号下限幅的功能，该限幅器在电磁波频率为0～2GHz时尤为适用。
一种低插损 pin 二极管限幅器

[发明专利]一种限幅方法-CN202210854495.9在审
发明人：李赣湘;褚少甫;郭志清 -专利权人： 湖南芯引向科技有限责任公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H03G11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种限幅方法，所述方法包括使用一种大功率限幅器模块，所述大功率限幅器模块包括从输入端至输出端依次连接的输入匹配网络、硅PIN二极管限幅器、级间匹配网络、砷化镓限幅器芯片以及输出匹配网络，所述输入匹配网络、级间匹配网络以及输出匹配网络均包含分布式电容和分布式电感。本发明中所述限幅方法和大功率限幅器模块包括混合组装的硅PIN二极管限幅器与砷化镓限幅器芯片，本发明提供了一种限幅电平、耐受功率和响应速度等多方面的综合性能足够优异的大功率限幅器模块。
一种限幅方法

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