专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种插针的插入深度检测装置-CN202310570790.6有效
  • 王双;刘阳;钟依凡;符国松;朱贤龙 - 广东芯聚能半导体有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-09-12 - G01B11/22
  • 本发明公开了一种插针的插入深度检测装置,所述插针的插入深度检测装置包括光栅发射器,所述光栅发射器用于发射光栅,光栅接收器,所述光栅接收器与所述光栅发射器之间形成检测空间,所述检测空间用于供插针通过,所述光栅接收器用于接收所述光栅发射器发射的光栅,生成光检测信号,信号处理模块,所述信号处理模块用于对所述光检测信号进行处理,确定插针的插入深度。本发明利用光栅检测的灵敏性,可以精确检测出插针的插入深度,并且,可以连续测量下降高度,精确识别出每次插针的插入深度的差异,从而反映出插针插入过程中的稳定性,检测过程自动化,极大提高了检测插针的插入深度的精确度和效率。本发明广泛应用于电子工业领域。
  • 一种插入深度检测装置
  • [发明专利]一种器件耦合热阻测量方法、装置及存储介质-CN202110851388.6有效
  • 王咏;朱贤龙;闫鹏修;周晓阳;刘军 - 广东芯聚能半导体有限公司
  • 2021-07-27 - 2023-09-12 - G01N25/20
  • 本发明公开了一种器件耦合热阻测量方法、装置及存储介质,本发明通过对第一器件施加第一功率,在第一器件的温度稳定后停止第一功率的施加并获取第二器件当前的第一温度,在第二器件降温的过程中获取各个时刻的第一瞬时温度,且当第二器件的温度稳定后获取第二器件当前的第二温度,根据第一温度与第二温度确定第一器件发热引起的第二器件的耦合温升并结合第一功率确定第一稳态耦合热阻;根据第一温度与各个时刻的第一瞬时温度的差值确定目标降温曲线并结合第一功率确定第一瞬态耦合热阻;有效测量第一器件对第二器件的第一稳态耦合热阻以及第一瞬态耦合热阻,达到测量电子器件之间的热耦合影响的效果,本发明可广泛应用于电子器件领域。
  • 一种器件耦合测量方法装置存储介质
  • [发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202310641201.9在审
  • 李博强;刘军;刘晓梅;周晓阳;朱贤龙 - 广东芯聚能半导体有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-07-21 - H01L21/336
  • 本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括:提供衬底;于衬底之上形成外延层;于外延层内形成阱区,阱区位于外延层的顶部;于外延层之上形成遮挡结构,遮挡结构靠近阱区的一侧具有注入窗口,注入窗口外露出部分阱区;其中,遮挡结构朝向注入窗口的一侧具有凸台,凸台沿第一方向的厚度小于遮挡结构沿第一方向的厚度;第一方向为衬底的厚度方向;基于注入窗口对阱区进行离子注入,以在阱区内形成源区和浅结区域;其中,源区与注入窗口外露出的部分阱区对应设置,浅结区域与凸台对应设置;浅结区域沿第一方向的深度小于源区沿第一方向的深度。采用本制备方法能够简化工艺流程。
  • 半导体结构制备方法
  • [发明专利]功率端子连接结构、模块及连接方法-CN202211636551.8有效
  • 崔晓;王咏;马文轩;许靖晗;朱贤龙;闫鹏修 - 广东芯聚能半导体有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-04-11 - H01R12/57
  • 本发明涉及功率端子安装连接技术领域,提供一种功率端子连接结构、模块及连接方法,其中,功率端子连接结构包括端子以及陶瓷基板;陶瓷基板覆铜设置,陶瓷基板具有供端子连接的连接面;端子具有焊接面,连接面与焊接面贴合式设置,连接面与焊接面通过激光焊接进行结合。本连接结构中的连接面与焊接面直接连接,避免了在两者之间引入其它的焊料焊层结构,免去或大量减少了接触界面之间的膨胀系数差值,确保连接面与焊接面之间的接触界面能够在承受持续的温度变化时,仍然有着较高的剪切强度,确保了陶瓷基板与端子之间的连接可靠性,具有连接质量高,连接稳定性较强的优点。
  • 功率端子连接结构模块方法
  • [发明专利]铜片连接结构、模块及连接方法-CN202211636301.4有效
  • 崔晓;王咏;闫鹏修;朱贤龙;刘军 - 广东芯聚能半导体有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-04-11 - H01L23/488
  • 本发明涉及功率半导体安装连接技术领域,提供一种铜片连接结构、模块及连接方法,其中,铜片连接结构,包括铜片、芯片以及焊接层;芯片具有供铜片连接的连接面;铜片具有焊接面,焊接面与连接面对应设置;焊接层设置在连接面与焊接面之间,连接面与焊接面通过焊接层焊接连接。铜或者铜合金与铝相比有更低的膨胀系数,且数值远低于传统的铝绑定线,焊接层与连接面以及与焊接面均存在接触界面,如此的设置能够大量减少接触界面之间的膨胀系数差值,确保连接面与焊接面之间的接触界面能够在承受持续的温度变化时,仍然有着较高的剪切强度,大大减少因温度变化而产生的应力变化机械疲劳,具有连接质量高,连接稳定性较强的优点。
  • 铜片连接结构模块方法
  • [实用新型]驱动电路及功率信号生成装置-CN202222513372.7有效
  • 韩卫光;李博强;朱贤龙;刘军 - 广东芯聚能半导体有限公司
  • 2022-09-22 - 2023-03-03 - H02P7/29
  • 本申请涉及一种驱动电路及功率信号生成装置,包括:电压调节器,用于生成预设电压幅值的目标电压信号;电压传感器,与所述电压调节器的输出端连接,用于根据所述目标电压信号生成反馈电压信号;电流调节器,用于生成预设电流幅值及与所述目标电压信号具有预设相位差的目标电流信号;电流传感器,与所述电流调节器的输出端连接,用于根据所述目标电流信号生成反馈电流信号;微控制器,与所述电压调节器、所述电流调节器均连接,用于控制所述电压调节器生成所述目标电压信号;还用于控制所述电流调节器生成所述目标电流信号。上述驱动电路能够减小校验装置的体积并节约成本,相位差可以连续调节,提高了测试精度。
  • 驱动电路功率信号生成装置
  • [实用新型]感应加热器控制电路和感应加热器-CN202222433980.7有效
  • 韩卫光;刘军;朱贤龙;李博强 - 广东芯聚能半导体有限公司
  • 2022-09-14 - 2023-02-24 - H05B6/06
  • 本申请涉及一种感应加热器控制电路和感应加热器,其中,感应加热器控制电路包括:整流滤波模块将交流电压转换为直流电压,微控制器连接整流滤波模块并输出控制信号,信号驱动模块根据控制信号将直流电压转换为正弦交流电压,加热模块在正弦交流电压的作用下加热坯料,速度检测模块检测坯料的移动速度并生成速度信号,温度检测模块检测坯料的温度并生成温度信号,微控制器根据速度信号、温度信号调整控制信号。通过设置速度检测模块和温度检测模块,来分别检测坯料的移动速度和温度,微控制器根据获取的速度信号和温度信号实时调整输出的控制信号,从而改变输出的加热功率,实现了加热功率的自动调整,提高了加热效率。
  • 感应加热器控制电路
  • [实用新型]一种甲酸添加装置和系统-CN202120906585.9有效
  • 张超;刘斌;朱贤龙;周晓阳 - 广东芯聚能半导体有限公司
  • 2021-04-28 - 2022-11-15 - B67D3/00
  • 本实用新型公开了一种甲酸添加装置和系统,本实用新型通过设置甲酸存储容器、甲酸料瓶、浮漂、管道、传动装置和支点结构,传动装置设置于所述管道内,一端连接所述浮漂,另一端连接所述瓶盖,支点结构设置于所述管道内,支撑所述传动装置以使所述传动装置可摆动地设置于所述支点结构,随着甲酸料瓶中甲酸液位的降低,浮漂亦随着甲酸液位的降低而减低,进而带动传动装置在支点结构上摆动使得瓶盖打开,甲酸存储容器中的甲酸通过管道流动至甲酸料瓶中,实现甲酸的自动添加,整个甲酸添加过程安全且方便。本实用新型作为一种甲酸添加装置和系统,可广泛应用于工艺生产技术领域。
  • 一种甲酸添加装置系统
  • [实用新型]一种低杂散电感的功率模块组件连接结构-CN202221407083.2有效
  • 王咏;朱贤龙;闫鹏修;李博强;刘军 - 广东芯聚能半导体有限公司
  • 2022-06-07 - 2022-11-15 - H01L23/48
  • 本实用新型公开了低杂散电感的功率模块组件连接结构,包括第一组件和第二组件,第一组件包括第一固定部和固定在第一固定部上的第一连接部,第二组件包括第二固定部和固定在第二固定部上的第二连接部,第一连接部的下表面与第二连接部的上表面贴合设置,且第一连接部远离第一固定部的一端与第二连接部远离第二固定部的一端相互重叠,第一固定部和第二固定部位于第一连接部与第二连接部的重叠区域的同侧,第一连接部靠近第一固定部的一端向上翻折,和/或,第二连接部靠近第二固定部的一端向下翻折。本实用新型降低了连接结构的杂散电感,减小了器件的开关损耗,提高了功率模块的工作性能和使用寿命。本实用新型可广泛应用于半导体产品技术领域。
  • 一种低杂散电感功率模块组件连接结构
  • [实用新型]压接引脚和功率模块-CN202220850472.6有效
  • 闫鹏修;牛春草;崔晓;朱贤龙 - 广东芯聚能半导体有限公司
  • 2022-04-13 - 2022-09-16 - H01L23/49
  • 本实用新型涉及一种压接引脚和功率模块,包括相互连接的根部和引脚主体部,所述引脚主体部上远离所述根部的部分用于插入PCB板插孔中,所述根部以虚拟切割面为界分割为第一翻折脚和第二翻折脚,所述虚拟切割面与所述引脚主体部的插入方向不垂直,所述第一翻折脚相对于所述引脚主体部向一侧翻折,所述第二翻折脚相对于所述引脚主体部向另一侧翻折,所述第一翻折脚和所述第二翻折脚的翻折方向相反。所述根部受力面积较大,且所述引脚主体部所传递过来的作用力也主要位于所述第一翻折脚和所述第二翻折脚交界处。因此在插接到PCB板的过程中以及插接完成后,所述根部能够提供较稳定的支撑力,使得所述压接引脚受力时的稳定性较高。
  • 接引功率模块
  • [发明专利]沟槽型IGBT器件结构-CN202010217515.2有效
  • 周晓阳;王亚哲;朱贤龙 - 广东芯聚能半导体有限公司
  • 2020-03-25 - 2022-09-09 - H01L29/739
  • 本发明涉及一种沟槽栅型IGBT半导体器件,包括:第一导电类型的衬底;第二导电类型的漂移区,形成于所述第一导电类型的衬底内;沟槽栅极,位于所述第二导电类型的漂移区内;沟槽发射极,位于所述第二导电类型的漂移区内,且位于所述沟槽栅极一侧,与所述沟槽栅极具有间隙;绝缘隔离结构,位于所述沟槽栅极与所述沟槽发射极之间。由于采用了沟槽栅极和沟槽发射极,将沟道从横向变为纵向,减小了沟槽型IGBT器件结构沟道电阻;采用沟槽栅结构,可以缩小元胞尺寸,大大提高元胞密度,每个芯片的沟道总宽度增加,减小了沟道电阻;绝缘隔离结构有效地减小了沟槽栅极与沟槽发射极之间的无效沟槽,可以提高响应速度,增大安全工作区。
  • 沟槽igbt器件结构
  • [发明专利]线材连接结构-CN202210761363.1在审
  • 刘阳;钟沛;朱贤龙;刘军;周晓阳 - 广东芯聚能半导体有限公司
  • 2022-06-30 - 2022-09-06 - H01R13/627
  • 本发明涉及一种线材连接结构,线材连接结构包括底座和线头组件,底座受力能够发生弹性形变,底座上开设有连接孔,底座内形成有连接腔,连接孔和连接腔相连通;线头组件包括接头和线体,接头上设置有限位凸起,线头通过连接孔穿设在连接腔内,接头的宽度大于连接孔的宽度,限位凸起能够卡设在连接腔内。在接头穿过连接孔的过程中底座能够发生弹性形变,使得接头能够顺利穿过连接孔穿设在连接腔内。接头在穿设到连接腔内后,底座回弹恢复原状,使限位凸起卡设在连接腔内,保证线头组件和底座之间稳固连接。线头组件插入底座的方式方便快捷可靠,不会对原本结构强度产生损伤。
  • 线材连接结构

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