[发明专利]高压直流输电用晶闸管寿命评估方法、装置、设备及介质在审
| 申请号： | 202310883029.8 | 申请日： | 2023-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN116930708A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 徐阳;谢天喜;李群;杨景刚;陶风波 | 申请（专利权）人： | 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国网江苏省电力有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G06F17/10 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 211103 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及高压直流输电技术领域，尤其涉及一种高压直流输电用晶闸管寿命评估方法、装置、设备及介质，包括：获取晶闸管出厂时可循环次数模型，及可循环次数模型中因子的值；获取晶闸管计算时的漏电流和晶闸管的标准漏电流阈值，计算漏电流因子；获取晶闸管计算时的反向恢复电荷、晶闸管出厂时反向恢复电荷和晶闸管寿命终止时的反向恢复电荷设计值，计算反向恢复电荷因子；根据晶闸管当前运行年限，获得晶闸管在特征循环负载下的负载循环周次；根据可循环次数模型，计算晶闸管的剩余寿命。本发明中，通过动态静态结合的多维度评估，来准确的计算出晶闸管的剩余寿命。对于快接近寿命的晶闸管可以进行提前更换，从而保证高压直流输电的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 直流 输电 晶闸管 寿命 评估 方法 装置 设备 介质 | ||
【主权项】：
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- 赵清华;刘毅;陈鹏;王涛;公文杰 - 西北工业大学
- 2023-06-30 - 2023-10-20 - G01R31/26
- 本发明提出一种气氛条件下高空间分辨的变温扫描光电流测试系统及方法，该系统包括底座基板、运动系统、腔室系统、光学系统和测试及数据处理系统；底座基板用于固定支撑运动系统、腔室系统、光学系统和测试系统；运动系统用于控制扫描测试过程中样品的移动并承载腔室系统；腔室系统用于放置样品，提供气氛和加热等测试环境；光学系统为扫描光电流测试过程提供微区照明和光学观察；测试及数据处理系统用于电流信号的测量、记录及存储。本系统及测试方法引入了加热温场，能够实现室温至200摄氏度的温度变化，满足了多种气氛环境下的表征需求，且本系统搭建成本低。
- 一种基于PCB板的百通道低温器件样品杆-202310900343.2
- 郭志敏;王敏杰;蒋燕阳 - 赋同量子科技（浙江）有限公司
- 2023-07-21 - 2023-10-20 - G01R31/26
- 本发明公开了一种基于PCB板的百通道低温器件样品杆，包括：主体杆，所述主体杆为玻璃钢材质，所述主体杆包括室温端和低温端；所述室温端包括杜瓦口密封法兰、密封法兰环以及SMA法兰固定筒身，所述室温端用于容纳百通道SMA接头布置；所述低温端包括连接件，所述连接件包括连接端和支撑部，所述连接端具有与所述主体杆相连通的通道；所述支撑部内设有支撑板，所述支撑板上通过若干簧片连接有芯片PCB板，所述簧片与低温同轴线相连接，所述低温同轴线通过通道穿过主体杆从低温端连接到室温端。
- 非侵入式IGBT模块封装焊料层热疲劳老化状态监测方法及装置-202310430671.0
- 杜雄;余瑶怡;周君洁;任宏宇;刘强强;李金阳 - 重庆大学
- 2023-04-19 - 2023-10-20 - G01R31/26
- 本发明公开了一种非侵入式IGBT模块封装焊料层热疲劳老化状态监测方法及装置，通过将壳温升温阈值拐点作为一种全新特征量，根据壳温升温阈值拐点作为特征量监测IGBT模块热疲劳老化进程，将测量变流器运行过程中待测IGBT模块的壳温升温阈值拐点t
- GaN HEMT源漏通道区电阻模型的参数提取方法、装置及介质-202310758441.7
- 姚若河;姚永康;耿魁伟;刘玉荣;朱映彬 - 华南理工大学
- 2023-06-25 - 2023-10-20 - G01R31/26
- 本发明公开了一种GaN HEMT源漏通道区电阻模型的参数提取方法、装置及介质，属于功率器件技术领域。其中方法包括：对GaN HEMT源漏通道区电阻模型参数进行分块，获得需要提取的拟合参数；其中所述拟合参数包括c
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