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- [发明专利]一种插针的插入深度检测装置-CN202310570790.6有效
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王双;刘阳;钟依凡;符国松;朱贤龙
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广东芯聚能半导体有限公司
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2023-05-19
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2023-09-12
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G01B11/22
- 本发明公开了一种插针的插入深度检测装置，所述插针的插入深度检测装置包括光栅发射器，所述光栅发射器用于发射光栅，光栅接收器，所述光栅接收器与所述光栅发射器之间形成检测空间，所述检测空间用于供插针通过，所述光栅接收器用于接收所述光栅发射器发射的光栅，生成光检测信号，信号处理模块，所述信号处理模块用于对所述光检测信号进行处理，确定插针的插入深度。本发明利用光栅检测的灵敏性，可以精确检测出插针的插入深度，并且，可以连续测量下降高度，精确识别出每次插针的插入深度的差异，从而反映出插针插入过程中的稳定性，检测过程自动化，极大提高了检测插针的插入深度的精确度和效率。本发明广泛应用于电子工业领域。
- 一种插入深度检测装置
- [发明专利]铜片连接结构、模块及连接方法-CN202211636301.4有效
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崔晓;王咏;闫鹏修;朱贤龙;刘军
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广东芯聚能半导体有限公司
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2022-12-20
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2023-04-11
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H01L23/488
- 本发明涉及功率半导体安装连接技术领域，提供一种铜片连接结构、模块及连接方法，其中，铜片连接结构，包括铜片、芯片以及焊接层；芯片具有供铜片连接的连接面；铜片具有焊接面，焊接面与连接面对应设置；焊接层设置在连接面与焊接面之间，连接面与焊接面通过焊接层焊接连接。铜或者铜合金与铝相比有更低的膨胀系数，且数值远低于传统的铝绑定线，焊接层与连接面以及与焊接面均存在接触界面，如此的设置能够大量减少接触界面之间的膨胀系数差值，确保连接面与焊接面之间的接触界面能够在承受持续的温度变化时，仍然有着较高的剪切强度，大大减少因温度变化而产生的应力变化机械疲劳，具有连接质量高，连接稳定性较强的优点。
- 铜片连接结构模块方法
- [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310225458.6在审
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刘晓梅
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广东芯聚能半导体有限公司
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2023-03-10
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2023-04-07
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H01L29/06
- 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底之上；阱区，位于外延层内；第一导电区，位于阱区内，且位于阱区的顶部；其中，阱区内具有沟道区，第一导电区与沟道区沿第一方向排布，第一导电区包括浅结区域，浅结区域位于第一导电区靠近沟道区的一侧，且浅结区域沿衬底厚度方向的深度小于第一导电区沿衬底厚度方向的深度；第二导电区，位于浅结区域的下方，其中，第二导电区沿衬底厚度方向的深度等于第一导电区沿衬底厚度方向的深度；第二导电区的导电类型与阱区的导电类型相同，且第二导电区的离子掺杂浓度大于阱区的离子掺杂浓度。采用本发明的半导体结构能够避免芯片性能的稳定性降低。
- 半导体结构及其制备方法
- [实用新型]驱动电路及功率信号生成装置-CN202222513372.7有效
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韩卫光;李博强;朱贤龙;刘军
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广东芯聚能半导体有限公司
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2022-09-22
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2023-03-03
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H02P7/29
- 本申请涉及一种驱动电路及功率信号生成装置，包括：电压调节器，用于生成预设电压幅值的目标电压信号；电压传感器，与所述电压调节器的输出端连接，用于根据所述目标电压信号生成反馈电压信号；电流调节器，用于生成预设电流幅值及与所述目标电压信号具有预设相位差的目标电流信号；电流传感器，与所述电流调节器的输出端连接，用于根据所述目标电流信号生成反馈电流信号；微控制器，与所述电压调节器、所述电流调节器均连接，用于控制所述电压调节器生成所述目标电压信号；还用于控制所述电流调节器生成所述目标电流信号。上述驱动电路能够减小校验装置的体积并节约成本，相位差可以连续调节，提高了测试精度。
- 驱动电路功率信号生成装置
- [实用新型]感应加热器控制电路和感应加热器-CN202222433980.7有效
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韩卫光;刘军;朱贤龙;李博强
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广东芯聚能半导体有限公司
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2022-09-14
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2023-02-24
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H05B6/06
- 本申请涉及一种感应加热器控制电路和感应加热器，其中，感应加热器控制电路包括：整流滤波模块将交流电压转换为直流电压，微控制器连接整流滤波模块并输出控制信号，信号驱动模块根据控制信号将直流电压转换为正弦交流电压，加热模块在正弦交流电压的作用下加热坯料，速度检测模块检测坯料的移动速度并生成速度信号，温度检测模块检测坯料的温度并生成温度信号，微控制器根据速度信号、温度信号调整控制信号。通过设置速度检测模块和温度检测模块，来分别检测坯料的移动速度和温度，微控制器根据获取的速度信号和温度信号实时调整输出的控制信号，从而改变输出的加热功率，实现了加热功率的自动调整，提高了加热效率。
- 感应加热器控制电路
- [发明专利]连接结构及功率模块-CN202211310928.0有效
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王咏
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广东芯聚能半导体有限公司
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2022-10-25
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2023-01-31
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H01R12/51
- 本发明涉及一种连接结构及功率模块，连接结构包括：连接主体，第一连接座与第二连接座，第一连接座设有第一延长部，第二连接座设有第二延长部，第一连接座到连接主体的最短距离D1与第二连接座到连接主体的最短距离D2相等，连接主体通过第一连接座及第二连接座用于与芯片电性连接。上述连接结构，各个芯片汇集到连接主体上，有利于减小各个芯片之间的寄生参数，保证针对芯片并联震荡的良好鲁棒性，并且每个芯片到连接主体的路径相同，连接主体到陶瓷覆铜板的路径相同，有利于减少封装结构对芯片电流均匀性的影响，提高载流能力。
- 连接结构功率模块
- [实用新型]连接结构及功率模块-CN202222825506.9有效
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王咏
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广东芯聚能半导体有限公司
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2022-10-25
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2023-01-31
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H01R12/51
- 本实用新型涉及一种连接结构及功率模块，所述连接结构包括：连接主体，第一连接座与第二连接座，第一连接座设有第一延长部，第二连接座设有第二延长部，第一连接座到连接主体的最短距离D1与第二连接座到连接主体的最短距离D2相等，连接主体通过第一连接座及第二连接座用于与芯片电性连接。上述连接结构，各个芯片汇集到连接主体上，有利于减小各个芯片之间的寄生参数，保证针对芯片并联震荡的良好鲁棒性，并且每个芯片到连接主体的路径相同，连接主体到陶瓷覆铜板的路径相同，有利于减少封装结构对芯片电流均匀性的影响，提高载流能力。
- 连接结构功率模块
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