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[发明专利]反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器-CN202310522241.1在审
发明人：侯闯明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器，其中，反熔丝结构包括：有源区、以及位于有源区表面的第一子栅极结构、第二子栅极结构、第二栅极结构、第三子栅极结构、第四子栅极结构和第四栅极结构；其中，第一子栅极结构与第二子栅极结构电连接，且第二栅极结构位于第一子栅极结构与第二子栅极结构之间；第三子栅极结构与第四子栅极结构电连接，且第四栅极结构位于第三子栅极结构与第四子栅极结构之间。
反熔丝结构阵列及其操作方法存储器

[发明专利]一种氮化镓功率器件及其制作方法-CN201710083258.6在审
发明人：李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化镓功率器件及其制作方法，该氮化镓功率器件包括：基底；设置在基底上的多个功率器件单元；功率器件单元具有栅极、源极以及漏极；栅极包括：平行且相对设置的第一子栅极以及第二子栅极；连接第一子栅极以及第二子栅极的曲面子栅极；第一子栅极具有第一端，第二子栅极具有与第一端相对设置的第二端；曲面子栅极分别与第一端以及第二端连接；其中，漏极位于第一子栅极与第二子栅极之间；曲面子栅极的宽度大于第一子栅极以及第二子栅极的宽度。本发明技术方案通过改变栅极结构，设置曲面子栅极的宽度大于第一子栅极以及第二子栅极的宽度，能够增大栅极曲面部分的耐压能力，可以有效提高氮化镓功率器件栅极的曲面部分耐硬击穿能力。
子栅极氮化镓功率器件面子功率器件单元第一端基底漏极耐压能力相对设置栅极结构硬击穿源极制作平行

[发明专利]金属栅极的形成方法-CN201210322184.4有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成若干平行的环形牺牲栅极，所述环形牺牲栅极具有第一子牺牲栅极、和第一子牺牲栅极平行的第二子牺牲栅极、以及位于第一子牺牲栅极和第二子牺牲栅极两端的第三子牺牲栅极；在所述半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层的表面与环形牺牲栅极的顶部表面平齐；刻蚀部分所述第一子牺牲栅极和第二子牺牲栅极，在第一子牺牲栅极和第二子牺牲栅极中形成沿长度方向分布的若干分立的凹槽；在凹槽中填充满金属，形成若干分立的金属栅极。本发明金属栅极的形成方法，节省了工艺步骤，节约了成本。
金属栅极形成方法

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板-CN202211684012.1在审
发明人：刘念;陈钦盛 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板；阵列基板包括基板、栅极层、有源层，栅极层包括第一栅级子层和第二栅极子层；第一栅极子层和第二栅极子层不完全重叠，有源层在基板上的正投影位于第一栅级子层在基板上的正投影内，第一栅级子层的熔点高于第二栅极子层的熔点；本申请通过将栅极层设置为第一栅极子层和第二栅极子层，有源层在基板上的正投影位于第一栅级子层在基板上的正投影内，第二栅极子层在基板上的正投影与有源层在基板上的正投影不重叠，由于第一栅极子层的熔点高于第二栅极子层的熔点，从而在对有源层进行高温结晶工艺时，高温不会造成第一栅极子层熔融或断线。
一种阵列及其制作方法显示面板

[发明专利]栅极驱动电路、显示装置及显示控制方法-CN201910471610.2有效
发明人：黄耀;黄炜赟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种栅极驱动电路、显示装置及显示控制方法。该栅极驱动电路，包括：第一栅极驱动子电路、第二栅极驱动子电路、显示区域控制单元和栅极启动信号端；第一栅极驱动子电路与栅极启动信号端电连接；显示区域控制单元，电连接在第一栅极驱动子电路和第二栅极驱动子电路之间，至少用于通过控制第一栅极驱动子电路与第二栅极驱动子电路之间电连接的通断，来控制是否传输栅极启动信号；第二栅极驱动子电路与显示区域控制单元电连接，用于与显示装置的第二显示区域对应的子像素行电连接，根据是否接收到栅极启动信号
栅极驱动电路显示装置显示控制方法

[发明专利]液晶显示装置的驱动方法-CN201110035404.0有效
发明人：曾庆安;丁天伦;吴育庆;李翊诚;徐文浩;黄彦衡;黄铭涌 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：一种液晶显示装置的驱动方法，其包含提供第一栅极脉冲至第一栅极线以驱动相邻的第一子像素与第二子像素执行充电操作，提供第二栅极脉冲至第二栅极线以驱动相邻的第三子像素与第四子像素执行充电操作，提供第三栅极脉冲至第三栅极线以驱动第二子像素执行电荷共享操作，以及提供第四栅极脉冲至第四栅极线以驱动第四子像素执行电荷共享操作。第一栅极线与第二栅极线间隔至少一栅极线。第三栅极线是相邻第一栅极线。第四栅极线是相邻第二栅极线。第一栅极脉冲、第二栅极脉冲、第三栅极脉冲及第四栅极脉冲是依序被触发。
液晶显示装置驱动方法

[发明专利]TFT器件及其制备方法、阵列基板-CN202010896304.6有效
发明人：黄建龙 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，栅极包括不同层设置的第一子栅极和第二子栅极，在TFT器件膜层厚度上第一子栅极位于有源层与源极及漏极之间，第二子栅极与源极及漏极同层、同一道光罩制备而成，可节约一道光罩，第二子栅极不受像素单元开口的影响，第二子栅极包括间隔设置的两个栅极金属图案，两个栅极金属图案均与同一条扫描线电性连接，同时对第一子栅极充电，提升栅极的充电率，另外第一子栅极优选为金属钼，第二子栅极优选为金属铝或铝合金，金属铝的阻抗比金属钼的低，降低栅极的阻抗，进一步提高栅极充电率，满足高清晰度显示面板的分辨率、刷新率、大尺寸的需求。
tft 器件及其制备方法阵列

[发明专利]栅极驱动电路、栅极驱动电路的驱动方法及显示基板-CN202310657913.X在审
发明人：黄耀;都蒙蒙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种栅极驱动电路、栅极驱动电路的驱动方法及显示基板，栅极驱动电路包括：第二输入子电路，栅极控制子电路，第一输入子电路，输出控制子电路，第一输出子电路，第二输出子电路；其中，第二输入子电路用于控制栅极控制子电路的通断，以及控制输出控制子电路的第二电压的输入；第一输入子电路用于控制输出控制子电路第三电压的输入；栅极控制子电路用于拉低第二输出子电路控制端的电压；输出控制子电路用于控制第一输出子电路及第二输出子电路控制端的电压；第二输出子电路用于在导通的情况下输出第二信号。第二输出子电路可以在栅极控制子电路的控制下稳定地输出第二信号，能够提高栅极驱动电路输出信号时的稳定性。
栅极驱动电路方法显示

[发明专利]电子可擦除可编程只读存储器单元-CN201110291093.4有效
发明人：郑盛文;林建锋;杨剑波;胡瑞德;S·许 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：该方法包括提供一衬底，其预备有一单元面积，且形成第一及第二晶体管的第一及第二栅极于该单元面积中。该第一栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极。该第一栅极的第一及第二子栅极是通过第一栅极间介电层分隔。该第二栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极。该第二栅极的第一及第二子栅极是通过第二栅极间介电层分隔。该方法亦包括形成该第一及该第二晶体管的第一及第二接面。该方法亦包括形成第一栅极终端及形成第二栅极终端，该第一栅极终端是耦合至该第一晶体管的该第二子栅极，而该第二栅极终端是耦合至该第二晶体管的至少该第一子栅极。
电子擦除可编程只读存储器单元

[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示装置-CN201911374443.6有效
发明人：王伟鹏 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，通过在第一子栅极线和第二子栅极线之间增加电连接一缓冲器，通过缓冲器将第一子栅极线输出的信号驱动能力提高后输出至第二子栅极线，保证第一子栅极线和第二子栅极线上传输的信号均具有较高的驱动能力；相较于现有技术中栅极线连接整个子像素行的情况，本发明的第一子栅极线和第二子栅极线各自连接部分子像素，使得每一子栅极线所连接的负载减少，进一步保证了本发明提供的栅极线传输信号的驱动能力高。本发明提供的显示装置仅仅在第一子栅极线和第二子栅极线之间增加连接一缓冲器即可，缓冲器结构简单而避免了其对显示装置的开口率、边框宽度造成影响，保证显示装置的开口率高且符合窄边框趋势。
一种阵列显示面板显示装置

[实用新型]一种薄膜晶体管阵列基板及显示面板-CN201420134883.0有效
发明人：梅新东;何基强;胡君文;李林;洪胜宝;张泽鹏;陈天佑 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种TFT阵列基板及显示面板，所述TFT阵列基板的TFT包括：栅极，所述栅极包括：相互间隔的第一子栅极和第二子栅极，第一子栅极和第二子栅极均与栅极线电性相连；硅岛，所述硅岛包括：相互间隔的第一硅岛和第二硅岛，第一硅岛位于第一子栅极背离基板的一侧，第二硅岛位于第二子栅极背离基板的一侧；位于第一硅岛和第二硅岛背离基板一侧的漏极，所述漏极包括：与第一子栅极重叠的第一重叠部分；与第二子栅极重叠的第二重叠部分；位于第一子栅极和第二子栅极之间的像素电极连接部分上述TFT阵列基板的各个TFT的栅极与漏极的重叠面积相同且均为一定值，提高了画面质量。
一种薄膜晶体管阵列显示面板

[发明专利]半导体器件的制作方法与半导体器件-CN202210642620.X在审
发明人：吴林春;张坤;沈叮叮;韩玉辉;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：该方法包括：形成基底结构，基底结构包括衬底和堆叠结构，堆叠结构包括本体结构、栅极线狭缝和第二虚拟沟道孔，本体结构包括交替设置的第一牺牲层和绝缘介质层，栅极线狭缝包括第一子栅极线狭缝和第二子栅极线狭缝，第一子栅极线狭缝和第二子栅极线狭缝间隔设置，且第二虚拟沟道孔位于第一子栅极线狭缝和第二子栅极线狭缝之间；在栅极线狭缝中形成第二牺牲层；至少去除第一牺牲层和第二牺牲层。该方法中，第二虚拟沟道孔将第一子栅极线狭缝和第二子栅极线狭缝隔开，不会导致其他位置的牺牲层材料增加，简化去除牺牲层的方法。
半导体器件制作方法

[发明专利]栅极驱动电路及其驱动方法和显示装置-CN201610587269.3有效
发明人：韩明夫;商广良;韩承佑;金志河;姚星;郑皓亮;袁丽君;王志冲 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极驱动电路及其驱动方法和显示装置。该栅极驱动电路包括：第一栅极驱动子电路和第二栅极驱动子电路；所述第一栅极驱动子电路用于在第一工作状态时驱动；所述第二栅极驱动子电路用于在第二工作状态时驱动。本发明提高了栅极驱动电路的产品良率。
栅极驱动电路及其方法显示装置

[发明专利]电子可擦除式只读存储器单元-CN201110291129.9有效
发明人：郑盛文;林建锋;杨剑波;胡瑞德;S·许 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：于该单元面积中形成第一晶体管及第二晶体管的第一栅极及第二栅极。该第一栅极包括通过第一栅极间介电层分隔的第一子栅极及第二子栅极。该第二栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极。该第二栅极的第一及第二子栅极是通过第二栅极间介电层分隔。形成第一及第二晶体管的第一及第二接面。该方法亦包括形成耦合至该第一晶体管的该第二子栅极的第一栅极终端以及形成耦合至该第二晶体管的至少该第一子栅极的第二栅极终端。
电子擦除只读存储器单元

[发明专利]一种阵列基板和显示面板-CN201610617410.X有效
发明人：金慧俊 -专利权人：上海中航光电子有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板和显示面板，包括显示区域和非显示区域，显示区域包括多条栅极线、多条数据线和多个色阻，多条栅极线和多条数据线绝缘交叉限定出多个子像素区，色阻与子像素区对应设置；非显示区域包括栅极驱动电路，栅极驱动电路包括子栅极驱动电路，每个子栅极驱动电路都与栅极线连接，且至少一条栅极线与一个子栅极驱动电路相连；其中，子栅极驱动电路在数据线延伸方向上的长度大于或等于子像素区在数据线延伸方向上的长度的1.5本发明中子栅极驱动电路的个数较少，并且，本发明中的子栅极驱动电路在数据线延伸方向上的长度可以大于或等于子像素区在数据线延伸方向上的长度的1.5倍，可以提高栅极驱动电路的AOI检测效率。
一种阵列显示面板

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