[发明专利]通过SiN应力调制的极化匹配增强型晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202310877390.X | 申请日： | 2023-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN116936639A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王冲;李嘉卯;马晓华;李昂;刘凯;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种通过SiN应力调制的极化匹配增强型晶体管及制备方法，涉及微电子技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；氮化硅层，位于势垒层上，氮化硅层包括凹槽；介质层，位于氮化硅层上，且覆盖凹槽；栅极，位于介质层上，且栅极在衬底上的正投影与凹槽在衬底上的正投影交叠；源极和漏极，分别位于栅极的两侧，且与栅极间隔排布。本发明能够增大栅极的击穿电压，使增强型器件的工作范围增加。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 sin 应力 调制 极化 匹配 增强 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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