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[发明专利]一种带隙基准电路-CN202111644099.5有效
发明人：谭在超;罗寅;涂才根;张胜;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准电路，所述电路包括由三极管(Q1，Q2)、电阻(R1，R2)，构成的电流偏置模块，三极管(Q3，Q4，Q5，Q6，Q7，Q8，Q9，Q10)、电阻(R7，R8)及电容C1构成的运算放大器模块，NMOS管(N1，N2)、PMOS管(P1，P2)构成的电流镜结构，为运算放大器模块供电，电阻(R3，R4，R5，R6)构成的电阻串，运算放大器模块连接Vbg电压，若Vbg电压偏大，则电阻串电流偏大，从而将Vbg电压拉低；若Vbg电压偏低，则电阻串电流偏低，三极管Q10的下拉电流偏低且低于PMOS管P2的电流源，PMOS管P2电流源则将Vbg电压上拉，形成负反馈，本发明拓宽了带隙基准电路对电源电压的工作范围要求，尤其在低电源电压应用时极具优势。
一种基准电路

[发明专利]一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片-CN202310237748.2在审
发明人：谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明涉及跨阻放大器技术领域，公开了一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片，高共模抑制跨阻放大器包括第一共射极放大单元、反馈单元和第二共射极放大单元；第一共射极放大单元对称设置，对输入的电流信号进行放大，并输出两路第一电压信号；反馈单元包括两路对称设置的反馈支路，将两路第一电压信号反馈至两个第一差分输入端；第二共射极放大单元对称设置，对两路第一电压信号进行放大，从而增大了跨阻放大器的整体增益；另外由于第一共射极放大单元和第二共射极放大单元均为全差分结构，且对称设置，从而能够提高本发明的共模抑制比。
一种高共模抑制放大器芯片

[发明专利]一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路-CN202310194113.9在审
发明人：罗寅;张胜;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H03K17/785 文献下载
摘要：本发明涉及开关器件驱动技术领域,公开了一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，包括红外光发射单元、红外光检测单元、信号转换单元、第一开关管、第二开关管、欠压检测单元、过温保护单元和逻辑控制单元，逻辑控制单元接收信号转换单元发出的红外检测电压信号、欠压检测单元输出的欠压锁定信号和过温保护单元输出的过温保护信号，其中逻辑控制单元在只接收到红外检测电压信号时驱动两个开关管导通，在接收到欠压锁定信号和/或过温保护信号时驱动两个开关管关断；在实际使用时，本发明通过光耦隔离来替代磁隔离或者电容隔离，能方便电路集成到芯片上，同时也方便芯片的制作，另外通过普通BCD工艺平台就能完成芯片的生产，制作成本低。
一种基于隔离开关器件驱动电路

[发明专利]一种碳化硅MOSFET及其制造方法-CN202310069393.0在审
发明人：罗寅;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造技术领域,公开了一种碳化硅MOSFET及其制造方法，其中碳化硅MOSFET包括碳化硅衬底，碳化硅衬底的底面和顶面分别设有漏极金属层和漂移层；漂移层的内部设有屏蔽层；漂移层的顶面向下开设有沟槽，沟槽向下延伸到屏蔽层上，沟槽的横向竖截面为U型状；沟槽内设有栅极绝缘层，栅极绝缘层上从下往上依次设有屏蔽栅和栅极，屏蔽栅和栅极间隔设置，屏蔽栅的横向竖截面为U型状；在实际使用时，通过让屏蔽层包裹住栅极绝缘层的下部，从而构建PN结，能将栅极绝缘层的耐压分担到屏蔽层上，从而提高了采用U型屏蔽栅的功率MOSFET的栅极绝缘层的耐压可靠性。
一种碳化硅 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN202211587617.9有效
发明人：罗寅;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及肖特基二极管技术领域,公开了一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法，碳化硅结势垒肖特基二极管包括碳化硅衬底，碳化硅衬底的顶面设有第一外延层，第一外延层的顶面设有第二外延层；还包括设置在第一外延层和第二外延层上的掺杂区，掺杂区包括上掺杂区和下掺杂区，下掺杂区比上掺杂区宽；在实际使用时，宽度较宽的下掺杂区更易在反向电压下靠拢，在反向电压增大时不仅能提高器件耐压还能降低反向漏电，而且在不降低正向性能的前提下提高反向性能指标；另外本发明的碳化硅结势垒肖特基二极管并没有增大外延层上的掺杂区密度，因此本发明在提高器件耐压和降低反向漏电的同时，并没有让器件的版图结构变的复杂。
一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法

[外观设计]汽车仪表板-CN202230640060.5有效
发明人：吴学兵;刘二利;朱思喜;黄宗圆;罗寅;韦东林 -专利权人：上汽通用五菱汽车股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： 12-16 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：汽车仪表板。2.本外观设计产品的用途：用于汽车仪表板。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
汽车仪表板

[发明专利]碳化硅肖特基二极管的衬底减薄方法和制作方法-CN202211567962.6有效
发明人：罗寅;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明涉及肖特基二极管制作技术领域，公开了碳化硅肖特基二极管的衬底减薄方法和制作方法，在实际使用时，本发明在对碳化硅肖特基二极管的碳化硅衬底进行减薄时，先通过第一研削工艺和第二研削工艺可以高效、快速的减薄衬底，保证碳化硅肖特基二极管的生产速度不会太低，然后通过激光辐照碳化硅衬底并将其分解为石墨烯可以有效修复研削工艺对碳化硅衬底造成的损失，降低减薄工艺对器件性能造成的不良影响；另外由于是最后通过激光辐照来减薄碳化硅衬底，一方面可以得到较为平整的碳化硅衬底底面，另外一方面不会因为碳化硅衬底的变薄而造成碳化硅衬底碎片。
碳化硅肖特基二极管衬底方法制作方法

[发明专利]一种横向碳化硅肖特基二极管及其制造方法-CN202211636916.7在审
发明人：罗寅;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅肖特基二极管技术领域，公开了一种横向碳化硅肖特基二极管及其制造方法，其中横向碳化硅肖特基二极管包括衬底，衬底的顶面设有碳化硅外延层；碳化硅外延层上设有至少部分位于碳化硅外延层内的阳极金属层；碳化硅外延层上还设有离子层，离子层的顶面还设有阴极金属层，在实际使用时，本发明通过在碳化硅外延层的内部制作阳极金属层以及在碳化硅外延层上制作离子层并在离子层上制作阴极金属层，从而将二极管的导电结构由纵向导电变为横向导电，将二极管的纵向耐压结构变为横向耐压结构，突破了厚外延层对二极管耐压提升的限制。
一种横向碳化硅肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]一种多位置选择阀-CN202211157552.4在审
发明人：李泓文;罗寅;潘文旭;周新 -专利权人：苏州赛谱仪器有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： F16K11/074 文献下载
摘要：本申请涉及流体输送与控制的领域，尤其是涉及一种多位置选择阀，包括共轴叠合设置的定子及转子，转子可绕其中轴周向运动，在定子上，中轴位置处设有进液孔、贴近外圈边沿位置处设有出液孔，在进液孔与出液孔之间还设有若干环绕进液孔的端孔，端孔两两配对、其中一对端孔为一对清洗路接口；转子与定子接触的端面上开设有与进液孔连通且非贯通的液流槽；在定子与转子的至少一种相对位置状态下，液流槽的第一末端与一个清洗路接口连通，液流槽的第二末端与出液孔连通；本申请提供的新流路设计，可控制流体选择性正/反向通过不同的外接部件，且清洗多位置选择阀内公共流路部分时无冲洗死区存在，能够实现多位置选择阀内部完全且高效的清洗。
一种位置选择

[实用新型]碳化硅MOSFET驱动电路-CN202222391799.4有效
发明人：罗寅;张胜;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H03K17/785 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硅MOSFET驱动技术领域,公开了碳化硅MOSFET驱动电路，包括发光电路，被置于提供光源；感光电路，包括输出端和输入端，感光电路接收到发光电路发出的光时产生充电电流，输出端被配置于与碳化硅MOSFE的栅极电连接；负载电流回路，包括第一连接端和第二连接端，第一连接端与碳化硅MOSFET的源极电连接，第二连接端与输入端电连接，在实际使用时，本实用新型的电路结构简单，通过设置发光电路和感光电路，当发光电路发出光时，感光电路基于发光电路产生的光产生充电电流，该充电电流输入到碳化硅MOSFET的栅极进行充电，使碳化硅MOSFET栅极电压上升，当碳化硅MOSFET的栅极和源极的电压差大于其阈值电压时，碳化硅MOSFET导通，从而实现碳化硅MOSFET的导通和关断驱动。
碳化硅 mosfet 驱动电路

[发明专利]电平检测电路和电平转换电路-CN202211134702.X有效
发明人：谭在超;张胜;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H03K19/01 文献下载
摘要：本发明涉及电平转换技术领域，公开了电平检测电路和电平转换电路，电平检测电路包括信号处理单元、第一脉冲信号产生单元、第二脉冲信号产生单元、第一负载支路、第二负载支路、第一主开关支路、第一旁开关支路、第二主开关支路、第二旁开关支路和电流源；在电平发生转变时，脉冲信号产生单元产生脉冲信号，该脉冲信号用于控制第一旁开关支路和第二旁开关支路的导通时间，而通过控制脉冲信号的持续时间一方面可以在电平切换初期加快第一负载支路和第二负载支路的电位形成速度，提高响应速度，另一方面在第一负载支路和第二负载支路的电位形成后，通过不再向第一旁开关支路或者第二旁开关支路的控制端输入脉冲信号，能降低电路使用功耗。
电平检测电路转换

[实用新型]一种带消防系统的液冷储能设备-CN202221573186.6有效
发明人：肖玮;符志民;彭振中;罗寅 -专利权人：佛山久安储能科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本实用新型公开一种带消防系统的液冷储能设备，包括：电气仓，内部设有电气设备和电气消防装置，所述电气消防装置包括火灾检测器和灭火器，所述火灾检测器与所述灭火器电性连接；电池仓，内部设有电池簇和电池管理装置，所述电池簇浸没于冷却液中，所述电池管理装置和所述电池簇均与所述电气仓通讯连接，所述电池管理装置可用于检测所述电池簇的温度，所述电气设备可控制所述电池簇的通断电。分别在电气仓内和电池仓内设置消防装置，实现对电气仓和电池仓内部的消防监控、灭火等功能。本方案集监控、隔断、灭火等多种消防安全功能于一体，具有安全性能高的优点。
一种消防系统液冷储能设备

[发明专利]一种低成本LDO限流电路-CN202210874024.4有效
发明人：谭在超;肖会明;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本LDO限流电路，属于电源电路技术领域，电路包括LDO电路模块，偏置电路模块，以及限流电路模块，LDO电路模块包括一运算放大器、一功率管及一组分压电阻，运算放大器的输出端连接功率管，功率管连接分压电阻，偏置电路模块包括一组MOS管，MOS管依次相连，限流电路模块包括一组三极管和一金属采样电阻，本方案减少了工艺波动带来的误差，提高了LDO限流阈值的精度，且较于传统的限流电路功耗更低，有较高的限流精度和较低的功耗，本方案采用正温度系数的金属电阻作为采样电阻，本方案能兼顾较高的限流精度、低温漂、低功耗和低成本的特点，适用于各类芯片的中低压LDO电源电路。
一种低成本 ldo 限流电路

[发明专利]一种低温漂偏置的带隙基准电路-CN202210881885.5有效
发明人：罗寅;肖会明;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温漂偏置的带隙基准电路，涉及集成电路设计领域，电路包括的带隙基准电路模块包括PMOS管、NMOS管、三极管、分压电阻及补偿电容，PMOS管P1与PMOS管P2的栅端连接，PMOS管P1的漏端连接三极管Q1的集电极，PMOS管P1和PMOS管P2的源端相连并接VDDA，PMOS管P2的漏端连接三极管Q2的集电极，三极管Q1和三极管Q2的基极相连，三极管Q2的发射极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电阻R2的一端和三极管Q1的发射极，本方案提供的同时产生零温漂参考电压和低温漂偏置电流的带隙基准电路，还能兼具芯片的过温保护功能，有效地降低了总的芯片面积和成本。
一种低温偏置基准电路

[发明专利]用于电源管理芯片的电流补偿电路-CN202210935209.1有效
发明人：罗寅;陈朝勇;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明涉及电源管理芯片技术领域,公开了用于电源管理芯片的电流补偿电路，包括MOS管N4、MOS管P6、电压钳位单元、电阻R1、第一电流镜单元、第二电流镜单元、第三电流镜单元、第四电流镜单元和电容C2，在实际使用时，本发明在电阻R1接地或者接入电源时，通过让电压钳位单元控制MOS管N4导通或者控制MOS管P6导通，进而使第一电流镜单元或者第二电流镜单元产生电流，该电流最后经过第四电流镜单元镜像后输入到电容C2，产生补偿电流，因此本发明能在电阻R1的下拉接地和上拉接电源时都能产生补偿电流，适用性较强。
用于电源管理芯片电流补偿电路