“罗寅”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果226个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种零温漂电流偏置电路-CN201810712537.9在审
发明人：张胜;谭在超;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及一种零温漂电流偏置电路，包括基准电压产生电路和偏置电流产生电路，基准电压产生电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻和第二电阻，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管采用共源共栅的结构，第一电阻连接在第四MOS管源极和第一三极管发射极之间，第五MOS管的源极连接第二三极管的发射极，第二电阻连接在第三MOS管漏极和第三三极管发射极之间，第一三极管、第二三极管、第三三极管的基极和集电极接地，偏置电流产生电路包括运算放大器、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第三电阻，基准电压产生电路连接运算放大器的正向输入端，第三电阻连接在第六MOS管源极与地之间。
三极管基准电压产生电路电阻连接电阻偏置电流产生电路电流偏置电路三极管发射极运算放大器温漂源极集电极接地正向输入端共源共栅源极连接发射极漏极

[实用新型]一种维持固定脉冲的时钟同步电路-CN201820047388.4有效
发明人：邹颖;丁国华;谭在超;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H03K5/135 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种维持固定脉冲的时钟同步电路，包括外部时钟处理模块和振荡器模块，外部时钟处理模块包括施密特触发器、上升沿检测单元、外部时钟检测单元和第一RS触发器，施密特触发器、上升沿检测单元、外部时钟检测单元、第一RS触发器的输入端和输出端顺次连接，振荡器模块包括上升沿标识信号产生单元、下降沿标识信号产生单元和振荡信号产生单元，上升沿标识信号产生单元和下降沿标识信号产生单元的输出端连接振荡信号产生单元的输入端，上升沿标识信号产生单元的输入端和下降沿标识信号产生单元的输入端连接振荡信号产生单元的输出端。本电路保证时钟脉冲宽度不变，适用于开关电源电路。
标识信号产生单元外部时钟振荡信号产生单元上升沿输入端下降沿上升沿检测单元施密特触发器时钟同步电路振荡器模块处理模块固定脉冲输出端开关电源电路本实用新型输出端连接输入端连接时钟脉冲顺次连接检测电路保证

[实用新型]一种用于控制LED延时开启及快速关断的电路-CN201820096366.7有效
发明人：张海滨;丁国华;谭在超;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于控制LED延时开启及快速关断的电路，包括电源VDD、LED、三极管、电容、第一电阻、二极管、第二电阻、第三电阻和第四电阻，第一电阻、第二电阻的一端连接电源VDD，第一电阻的另一端串联电容后接地，第二电阻的另一端连接三极管的集电极，第一电阻和电容之间引出支路连接三极管的基极，LED的一端连接三极管的发射极，LED的另一端接地，二极管的正极连接在第一电阻和电容之间引出的支路上，二极管的负极连接电源VDD，第三电阻与电容并联，所述第四电阻与LED并联。本电路能够实现对LED开启时间延时时间长且能快速关断。
电阻三极管二极管快速关断一端连接电容电路延时开启接地电源负极连接电源本实用新型支路串联电容电容并联时间延时正极连接发射极集电极

[实用新型]轻质高韧性预制式高速铁路非金属声屏障-CN201721365801.3有效
发明人：罗执元 -专利权人：罗执元;郭伟;罗寅
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： E01F8/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种轻质高韧性预制式高速铁路非金属声屏障，包括多个声屏障单元板，所述声屏障单元板包括吸声表层、吸声内层和隔声层，所述吸声表层为火山渣层或陶粒层，所述吸声内层由网格布包裹岩棉条或玻璃棉条并通过无机缝纫线绗缝为一体形成，所述隔声层为活性粉末混凝土层，所述吸声内层置于所述吸声表层和所述隔声层之间。本实用新型所述轻质高韧性预制式高速铁路非金属声屏障的声屏障单元板采用非金属材料作为吸声和隔声材料，节约了成本，且具有轻质、高韧、防水、防冻、防雷击的特性，且结构稳定、抗疲劳强度高，适合大批量生产。
吸声轻质声屏障单元板高韧性隔声层声屏障预制式高速铁路内层本实用新型活性粉末混凝土非金属材料隔声材料结构稳定一体形成玻璃棉防雷击缝纫线火山渣抗疲劳陶粒层网格布岩棉条防冻绗缝防水节约生产

[实用新型]一种DIY剪影台灯-CN201721384492.4有效
发明人：罗寅;周永建;周含笑;胡向松 -专利权人：台州云门工业设计有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： F21S6/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种DIY剪影台灯，包括灯座、灯架与灯罩，灯罩为圆筒状，由外向内依次为外层、中间层与内层；内层为图案贴纸；所述中间层为透明PVC；外层为不透明贴纸，包括基板，基板上匹配中间层的一面设有粘胶层，在粘胶层上覆盖有背胶纸，所述中间层的宽度与外层的宽度匹配，中间层的长度小于外层的长度；所述中间层的宽边一设有搭扣一，与宽边一呈相对位置的宽边二设有与搭扣一相互补的搭扣二，所述搭扣一与搭扣二相互插接，限制宽边一与宽边二具有远离趋势的位移移动。本实用新型的DIY剪影台灯，可让用户通过DIY形式自行组装灯罩，根据个人不同喜好制作内层的图案，让台灯开启与关闭呈现两种不同的效果，达到艺术与乐趣的统一。
中间层搭扣宽边台灯灯罩内层本实用新型粘胶层基板匹配图案贴纸位移移动由外向内自行组装灯座透明PVC 不透明圆筒状插接灯架胶纸贴纸喜好图案覆盖制作艺术统一

[发明专利]一种维持固定脉冲的时钟同步电路-CN201810027277.1在审
发明人：邹颖;丁国华;谭在超;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H03K5/135 文献下载
摘要：本发明涉及一种维持固定脉冲的时钟同步电路，包括外部时钟处理模块和振荡器模块，外部时钟处理模块包括施密特触发器、上升沿检测单元、外部时钟检测单元和第一RS触发器，施密特触发器、上升沿检测单元、外部时钟检测单元、第一RS触发器的输入端和输出端顺次连接，振荡器模块包括上升沿标识信号产生单元、下降沿标识信号产生单元和振荡信号产生单元，上升沿标识信号产生单元和下降沿标识信号产生单元的输出端连接振荡信号产生单元的输入端，上升沿标识信号产生单元的输入端和下降沿标识信号产生单元的输入端连接振荡信号产生单元的输出端。本电路保证时钟脉冲宽度不变，适用于开关电源电路。
一种维持固定脉冲时钟同步电路

[实用新型]一种恒跨导全摆幅运算放大器-CN201721021027.4有效
发明人：邹颖;丁国华;谭在超;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种恒跨导全摆幅运算放大器，包括依次相连接的轨到轨输入级、增益级和输出级，轨到轨输入级包括互补的PMOS差分对和NMOS差分对、PMOS差分对和NMOS差分对的尾电流源、NMOS差分对的负载电路；增益级包括自偏置共源共栅电流镜，PMOS差分对和NMOS差分对的PMOS管和NMOS管的源极连接自偏置共源共栅电流镜，输出级包括共源极连接的第一PMOS管和第一NMOS管、米勒补偿，第一PMOS管和第一NMOS管的栅极连接自偏置共源共栅电流镜，米勒补偿采用米勒补偿电容和补偿电阻串联实现。本运算放大器能够有效保证输入级跨导在全电压工作范围内的恒定，整个电路结构的稳定性好，也扩宽了运放的工作电压范围，可用于低压应用，同时也提高了运放的共模抑制比。
一种恒跨导全摆幅运算放大器

[发明专利]一种用于半桥驱动中的电平位移电路-CN201510261101.9有效
发明人：罗寅;谭在超;张海滨 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于半桥驱动中的电平位移电路，包括恒定电流源、输入级三极管、与恒定电流源相匹配的电流镜、负载电阻、第一分压电路、第二分压电路和反相器，第一分压电路由至少两个承压三极管串联而成，第二分压电路由多个分压电阻串联而成，分压电阻的数量为承压三极管数量加一，电流镜采用两个同型号的三极管背靠背连接构成，反相器是由输出级三极管和限流电阻串联组成，恒定电流源的正极与VDD相连，输入信号端IN连接输入级三极管的基极，半桥驱动电路的输出信号端OUT连接在输出级三极管和限流电阻之间的支路上。本发明极大地简化了半桥驱动电路的半导体制造工艺，电路结构简单，成本低，采用恒流驱动的方式，降低了电路功耗，增强了其可靠性。
一种用于驱动中的电平位移电路

[实用新型]超高压VDMOS晶体管-CN201720627821.7有效
发明人：谭在超;罗寅;丁国华;张海滨;薛金鑫 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超高压VDMOS晶体管，包括第一导电类型的衬底片、位于衬底片背面的第一导电类型的掺杂层、位于掺杂层下方的第一金属电极、位于衬底片正面的栅极结构以及位于栅极结构上的第二金属电极，所述第一金属电极作为该VDMOS晶体管的漏极，所述第二金属电极作为该VDMOS晶体管的源极；所述栅极结构包括第二导电类型的阱区、位于阱区内的第二导电类型的接触区、位于接触区两侧的第一导电类型的源区。本VDMOS晶体管直接在衬底片的正面进行器件的制作，省略了在衬底片上生长外延，从而有效避免了高耐压条件下增厚的外延厚度对超高压VDMOS晶体管的良率和可靠性的影响，也有效降低了超高压VDMOS晶体管的生产成本。
超高压 vdmos 晶体管

[发明专利]一种半桥驱动芯片-CN201510264870.4有效
发明人：罗寅;谭在超;张海滨 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明涉及一种低成本的半桥驱动芯片，该芯片内部的集成电路由高压单元和低压单元组成，低压单元包括电流偏置模块、欠压保护模块、闭锁逻辑控制模块、电平位移模块和低端驱动模块，高压单元包括高端驱动模块；其中的电平位移模块采用电阻与低压晶体管的分压电路替代现有耐压MOS晶体管串联结构实现高压与低压间的电平位移功能；此外，低压单元采用UHV工艺集成为耐压集成块，高压单元采用HV工艺集成为高压集成块，采用双芯片封装技术将耐压集成块与高压集成块封装在同一个塑封体内，形成一颗具有完整半桥驱动功能的芯片。本半桥驱动芯片具有集成度高、体积小、工作频率高、动态响应快、低功耗等优点。
一种低成本驱动芯片

[实用新型]一种降低太阳能旁路开关电路功耗的装置-CN201720114522.3有效
发明人：谭在超;罗寅;丁国华;张海滨;薛金鑫 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了开关电路领域的一种降低太阳能旁路开关电路功耗的装置。解决了现有技术中旁路开关电路中电压检测模块持续耗能，功耗大，可靠性低的技术问题。包括Power MOS管(M1)，Power MOS管(M1)漏极和源极之间依次连接有Power MOS管(M2)，振荡器(201)、电荷泵(202)，电容(C1)，以及连接在电容(C1)及Power MOS管(M1)之间的电压检测模块，还包括一个分时脉冲产生电路(206)，分时脉冲产生电路(206)连接在振荡器(201)和电荷泵(202)之间，以及一个连接在电容(C1)、电压检测模块及分时脉冲产生电路(206)之间的PMOS管(M3)。本实用新型在旁路开关电路中增加分时脉冲产生电路(206)和PMOS管(M3)，使用一个方波信号来控制PMOS管(M3)，从而减小电压检测模块的工作频率，缩短电容(C1)的充电时间。
一种降低太阳能旁路开关电路功耗装置

[发明专利]超高压VDMOS晶体管及其生产方法-CN201710406012.8在审
发明人：谭在超;罗寅;丁国华;张海滨;薛金鑫 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2017-08-22 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高压VDMOS晶体管及其生产方法，VDMOS晶体管包括第一导电类型的衬底片、位于衬底片背面的第一导电类型的掺杂层、位于掺杂层下方的第一金属电极、位于衬底片正面的栅极结构以及位于栅极结构上的第二金属电极，第一金属电极作为该VDMOS晶体管的漏极，第二金属电极作为该VDMOS晶体管的源极；栅极结构包括第二导电类型的阱区、位于阱区内的第二导电类型的接触区、位于接触区两侧的第一导电类型的源区和位于阱区上方的多晶硅栅极。VDMOS晶体管的生产方法包括选用衬底片、制作晶体管的正面结构、晶圆减薄、注入掺杂层及背面金属化的工序，由于省掉了外延生长的工序，极大降低了超高压VDMOS晶体管的生产成本，同时也保证了产品的良率和可靠性。
超高压 vdmos 晶体管及其生产方法

[实用新型]一种分立的功率mos场效应管-CN201621426629.3有效
发明人：谭在超;罗寅;丁国华;邹望杰 -专利权人：西安锴威半导体有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分立的功率mos场效应管，在功率mos场效应管成型过程中，首先在外延层中形成源区，对成型的源区进行接触孔腐蚀，接触孔区域进行P+注入与原有P+区衔接形成P+区，然后进行金属淀积形成金属层，最终得到金属层与源区的N+和P+接触，工艺过程中减少了原有工艺过程中两次光刻腐蚀分别形成N+和P+的光刻过程，从而将功率MOS制造流程减少一次光刻，从而简化制造流程，降低生产成本，采用刻硅技术缩短了P+到金属层接触的路径，从而减小了寄生P+电阻，进而可抑制寄生NPN管的开启，有利于提高雪崩击穿耐量，采用先形成源区，再对成型的源区进行接触孔腐蚀，避免了由于N+浓度远高于P+浓度导致在接触孔光刻后的P+注入无法形成的麻烦。
一种分立功率 mos 场效应

[外观设计]T恤-CN201630315946.7有效
发明人：罗寅 -专利权人：罗寅
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： 02-02 文献下载
摘要：1、外观设计产品的名称T恤。2、外观设计产品的用途用于穿着的短袖衫。3、外观设计的设计要点形状、图案及其结合。4、指定一幅最能表明设计要点的图片或照片主视图。
T恤

[发明专利]一种降低太阳能旁路开关电路功耗的装置和方法-CN201710067617.9在审
发明人：谭在超;罗寅;丁国华;张海滨;薛金鑫 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了开关电路领域的一种降低太阳能旁路开关电路功耗的装置和方法。解决了现有技术中旁路开关电路中电压检测模块持续耗能，功耗大，可靠性低的技术问题。本发明技术方案包括在现有技术的基础上，在旁路开关电路中增加分时脉冲产生电路(206)和PMOS管(M3)。使用一个方波信号来控制PMOS管(M3)，从而减小电压检测模块的工作频率，缩短电容(C1)的充电时间。本发明主要应用于提高太阳能板的可靠性和经济性。
一种降低太阳能旁路开关电路功耗装置方法