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[发明专利]电容式触摸按键检测电路-CN201910540703.6在审
发明人：谭在超;张胜;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H03K17/96 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容式触摸按键检测电路，包括时钟产生电路、反相器、第一和第二比较器、数字处理电路、第一至第三控制开关，时钟产生电路连接反相器，第一和第三控制开关的控制端连接时钟产生电路，第二控制开关的控制端连接反相器的输出端，第一比较器的输出端连接第二比较器的正相输入端，第二比较器的输出端连接数字处理电路，在第一比较器的正相输入端通过第一和第二控制开关接入第一和第二基准电压，在第一比较器的反相输入端接入感应电容，在第一比较器的反相输入端和第一比较器的输出端之间并联接入反馈电容和第三控制开关，在第二比较器的反相输入端接入第三基准电压。本检测电路的电容检测范围宽，抗干扰能力强，易于实现。
比较器时钟产生电路反相输入端检测电路反相器电容式触摸按键数字处理电路输出端连接正相输入端基准电压控制端输出端抗干扰能力并联接入电容检测反馈电容感应电容

[实用新型]一种母婴两用餐碗-CN201821724788.0有效
发明人：罗寅;胡雨琪;张琦;杨静楠;詹丽芳;徐瑞彪;翁亦蒙 -专利权人：台州云门工业设计有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： A47G21/06 文献下载
摘要：一种母婴两用餐碗，包括餐碗、辅食碗以及勺子，餐碗包括碗体与碗柄，碗柄包括手持部，手持部的内端分别向左前方、右前方延伸形成左包裹片、右包裹片，手持部的外端分别向上、向下延伸形成上限位片、下限位片；手持部呈弯曲向上状态；所述碗体的底部设有硅胶吸盘；辅食碗内设有隔板，在隔板的中部设有凹陷部，勺子可卡设在凹陷部，在辅食碗的碗内底部设有若干凸点；辅食碗的碗沿设有环形凸起，碗体的碗口内壁设有环形凹槽，环形凸起可嵌设在环形凹槽内；所述勺子包括勺头与勺柄，勺柄的中部采用TPE软胶材质，并在勺头的头部设有缺口，缺口使得勺头的头部形成两个尖角。本实用新型在方便孩子的同时，也减轻父母的喂食负担，达到了两用的目的。
勺头勺子碗体隔板环形凹槽环形凸起凹陷部包裹片餐碗勺柄碗柄用餐本实用新型硅胶吸盘上限位片头部形成碗口内壁下限位片向上状态向下延伸左前方尖角内端凸点外端碗沿喂食延伸

[发明专利]一种抵抗地和电源反弹噪声的数字信号处理电路-CN201910400515.3在审
发明人：张胜;谭在超;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明涉及一种抵抗地和电源反弹噪声的数字信号处理电路，包括第一电流源、第二电流源、第一PMOS管、第一NMOS管、电容、第二PMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、反相器和电压锁定电路，反相器的输入端接信号输入端，反相器的输出端接电压锁定电路的第一输入端，电压锁定电路的第二输入端接信号输出端，电压锁定电路的输出端接第二电压检测点；电压锁定电路能够对第二电压检测点的电压进行锁定，以稳定地保持信号输出端输出信号的逻辑电平，本电路不仅能消除从信号输入端传输而来的通道传输噪声，同时可有效抵抗地线和电源线上产生的正、负电平脉冲的反弹噪声，电路成本低，性能稳定可靠。
电压锁定电路噪声反相器输入端数字信号处理电路电压检测点信号输出端信号输入端电流源输出端反弹抵抗电源电路成本逻辑电平输出信号通道传输电源线负电平电容脉冲地线电路锁定传输

[实用新型]一种新型宽禁带功率半导体器件-CN201822060258.7有效
发明人：李鹏;颜剑;谭在超;丁国华;罗寅;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学;苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型宽禁带功率半导体器件，该器件包括第一导电型衬底、沉积在衬底之上的第一导电型外延层、位于外延层内部的第一和第二阱区、第一和第二阱区内具有第二导电型、设置于第一和第二阱区内的第一导电型注入区和第二导电型注入区、设置于第一和第二阱区内侧的多个沟槽、设置在第一导电型注入区和第二导电型注入区上部的欧姆接触电极、设置在沟槽一侧的第二导电型掺杂层、设置在第二导电型掺杂层之间顶部的肖特基接触电极，在沟槽中填充POLY栅，在POLY栅的周围设能包裹住POLY栅的氧化层，在第一导电型衬底的底部设背面电极，在欧姆接触电极、肖特基接触电极和钝化层的顶部设正面电极。本器件的反向损耗低，续流能力大。
导电型注入区衬底功率半导体器件欧姆接触电极肖特基接触掺杂层宽禁带电极导电型外延层本实用新型背面电极正面电极钝化层外延层氧化层续流阱区沉积填充

[实用新型]一种多节锂电池电压检测及保护电路-CN201821970624.6有效
发明人：李鹏;张胜;谭在超;丁国华;罗寅;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学;苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多节锂电池电压检测及保护电路，包括锂电池组、电压检测电路、保护电路，锂电池组由m（m≥2）节锂电池串联而成，电压检测电路包括m条电压检测支路，锂电池和电压检测支路分为n（1≤n≤m）级，第n级锂电池的负极端连接第n‑1级锂电池的正极端，第一级锂电池的负极端接地，第一级电压检测支路的输入端连接在第一级锂电池的正极端，第k（2≤k≤m）级电压检测支路的输入端分别连接在第k（2≤k≤m）级锂电池的正极端和负极端，每一级电压检测支路的输出端连接保护电路的输入端，保护电路的输出端引出作为锂电池组的保护输出端。本实用新型的电路结构简单，可对锂电池组中的每节锂电池进行绝对电压检测及欠压和过压保护。
锂电池电压检测支路锂电池组电路第一级负极端正极端电压检测电路本实用新型多节锂电池电压检测输出端输入端输出端连接输入端连接锂电池串联电路结构过压保护绝对电压接地每一级欠压检测

[发明专利]一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管-CN201510756113.9有效
发明人：丁国华;罗寅;谭在超;张海滨 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成耗尽型启动器件的功率MOS场效应管，包括增强型MOS场效应管、耗尽型MOS场效应管和POLY电阻，所述增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极连接，所述耗尽型MOS场效应管的栅极和源极间串接有POLY电阻，将增强型MOS场效应管和耗尽型MOS场效应管共漏极引出作为功率MOS场效应管的漏电极，将增强型MOS场效应管的栅极引出作为功率MOS场效应管的第一栅电极，将增强型MOS场效应管的源极引出作为功率MOS场效应管的第一源电极，将耗尽型MOS场效应管的源极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二源电极，将耗尽型MOS场效应管的栅极与POLY电阻的连接端引出作为功率MOS场效应管的第二栅电极。整个功率MOS场效应管低功耗，简化了设计复杂度和降低成本。
一种集成耗尽启动器件功率 mos 场效应

[实用新型]一种可自动调节台阶高度的无极楼梯-CN201821569359.0有效
发明人：蒋映;周永建;胡向松;罗寅;杨雪娇;周含笑 -专利权人：浙江大学台州研究院
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： E04F11/06 文献下载
摘要：一种可自动调节台阶高度的无极楼梯，包括台阶单元，所述台阶单元包括活塞筒，活塞筒上端筒口设有一限位翻边；所述活塞筒内设有一与其相匹配的活塞头，活塞头直径大于限位翻边内孔直径；所述活塞头上表面连接有一踏杆；所述踏杆顶端设有压力传感器；所述踏杆顶端外套设有一保护罩，压力传感器位于保护罩内，保护罩为橡胶材质；所述活塞筒底部分别设有出气口、进气口；所述进气口通过软管连接有气泵；所述气泵上设有一控制器；若干台阶单元呈上坡趋势排列并组成为楼梯本体。本实用新型的可自动调节台阶高度的无极楼梯能够在行走人员踏上楼梯时自动调节台阶高度，使台阶高度能够适应不同人群。
活塞筒楼梯台阶单元保护罩踏杆无极进气口压力传感器限位翻边活塞头气泵本实用新型活塞表面连接楼梯本体软管连接上端筒口橡胶材质控制器出气口上坡内孔匹配人群

[发明专利]一种多节锂电池电压检测及保护电路-CN201811430748.X在审
发明人：李鹏;张胜;谭在超;丁国华;罗寅;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学;苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种多节锂电池电压检测及保护电路，包括锂电池组、电压检测电路、保护电路，锂电池组由m（m≥2）节锂电池串联而成，电压检测电路包括m条电压检测支路，锂电池和电压检测支路分为n（1≤n≤m）级，第n级锂电池的负极端连接第n‑1级锂电池的正极端，第一级锂电池的负极端接地，第一级电压检测支路的输入端连接在第一级锂电池的正极端，第k（2≤k≤m）级电压检测支路的输入端分别连接在第k（2≤k≤m）级锂电池的正极端和负极端，每一级电压检测支路的输出端连接保护电路的输入端，保护电路的输出端引出作为锂电池组的保护输出端。本发明的电路结构简单，可对锂电池组中的每节锂电池进行绝对电压检测及欠压和过压保护。
锂电池电压检测支路锂电池组电路第一级负极端正极端电压检测电路多节锂电池电压检测输出端输入端输出端连接输入端连接锂电池串联电路结构过压保护绝对电压接地每一级欠压检测

[发明专利]一种新型宽禁带功率半导体器件及其制作方法-CN201811501679.7在审
发明人：李鹏;颜剑;谭在超;丁国华;罗寅;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学;苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型宽禁带功率半导体器件及其制作方法，该器件包括第一导电型衬底、沉积在衬底之上的第一导电型外延层、位于外延层内部的第一和第二阱区、第一和第二阱区内具有第二导电型、设置于第一和第二阱区内的第一导电型注入区和第二导电型注入区、设置于第一和第二阱区内侧的多个沟槽、设置在第一导电型注入区和第二导电型注入区上部的欧姆接触电极、设置在沟槽一侧的第二导电型掺杂层、设置在第二导电型掺杂层之间顶部的肖特基接触电极，在沟槽中填充POLY栅，在POLY栅的周围设能包裹住POLY栅的氧化层，在第一导电型衬底的底部设背面电极，在欧姆接触电极、肖特基接触电极和钝化层的顶部设正面电极。本器件的反向损耗低，续流能力大。
导电型注入区衬底功率半导体器件欧姆接触电极肖特基接触掺杂层宽禁带电极导电型外延层背面电极正面电极钝化层外延层氧化层续流阱区沉积填充制作

[实用新型]一种PD设备的防浪涌电路-CN201821044700.0有效
发明人：巩令风;谭在超;丁国华;罗寅;张胜 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种PD设备的防浪涌电路，包括设置在协议芯片内部的单电源运放、第一MOS管、运放、第一电流源、分压电阻、熔丝修调电路、采样电阻、第二MOS管，单电源运放的正输入端接第一电流源，单电源运放的负输入端接运放的输出端，单电源运放的输出端接第一MOS管的栅极，第一MOS管的漏极接GND，第一MOS管的源极接运放的正输入端，运放的负输入端接VSS，采样电阻接入运放的正输入端和VSS之间，分压电阻的一端接熔丝修调电路，另一端接VSS，第二MOS管的漏极接第一MOS管的栅极，第二MOS管的栅极连接协议芯片内的使能端EN，第二MOS管的源极接GND。本电路可精确控制上电时流入协议芯片的最大电流，保护协议芯片，提高了用户产品的集成度。
单电源运放协议芯片正输入端运放电路防浪涌电路采样电阻分压电阻负输入端电流源输出端漏极熔丝源极本实用新型保护协议用户产品栅极连接最大电流集成度上电使能芯片

[发明专利]一种利用PowerMOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源用供电电路-CN201610936731.6有效
发明人：谭在超;罗寅;丁国华;张海滨;薛金鑫 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用PowerMOS管实现高压快速启动的AC‑DC开关电源用供电电路，包括开关电源管理芯片、变压器、供电二极管、电源滤波电容、高压MOS管、偏置电阻和输出整流滤波器，变压器原边绕组的一端连接高压MOS管的漏极，副边绕组连接输出整流滤波器，辅助绕组的一端连接供电二极管的正极，另一端接地；供电二极管的负极串联电源滤波电容后接地，在供电二极管和电源滤波电容之间引出支路连接开关电源管理芯片的VCC引脚，偏置电阻连接在高压MOS管的漏极和栅极之间，高压MOS管的源极连接开关电源管理芯片的开关SW引脚，高压MOS管的栅极连接开关电源管理芯片的DRV引脚。本供电电路利用MOS管可实现高压快速启动，具有启动时间短、成本低、待机功耗小等优点。
一种利用 powermos 实现高压快速启动 ac dc 开关电源供电电路

[实用新型]一种零温漂电流偏置电路-CN201821039604.7有效
发明人：张胜;谭在超;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种零温漂电流偏置电路，包括基准电压产生电路和偏置电流产生电路，基准电压产生电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电阻和第二电阻，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管采用共源共栅的结构，第一电阻连接在第四MOS管源极和第一三极管发射极之间，第五MOS管的源极连接第二三极管的发射极，第二电阻连接在第三MOS管漏极和第三三极管发射极之间，第一三极管、第二三极管、第三三极管的基极和集电极接地，偏置电流产生电路包括运算放大器、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第三电阻，基准电压产生电路连接运算放大器的正向输入端，第三电阻连接在第六MOS管源极与地之间。
三极管基准电压产生电路电阻连接电阻偏置电流产生电路电流偏置电路三极管发射极运算放大器温漂源极本实用新型集电极接地正向输入端共源共栅源极连接发射极漏极

[发明专利]一种带有线损补偿的开关电源电路-CN201810712913.4在审
发明人：张胜;谭在超;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有线损补偿的开关电源电路，包括集成在芯片内的VCCS模块、误差比较器EA、PWM比较器、LOGIC模块、Driver模块、Buffer模块、第一电容、第一电阻、第二电容、第二电阻、第三电容、第三电阻、第四电阻及设在PCB板上的电感和第四电容，Buffer模块的正输入端连接EA的输出端，Buffer模块的负输入端与输出端相连，第二电阻和第二电容串接后将第二电阻的一端连接至Buffer模块的输出端，并在第二电阻和第二电容之间引出支路连接VCCS模块的输入端，第三电阻和第四电阻串接后将第三电阻的一端连接在电感和第四电容之间，并在第三电阻和第四电阻之间引出支路连接EA的负输入端，在电感和第四电容之间引出支路作为开关电源的输出端。本电路缩小了PCB的面积，降低成本。
电阻电容电感支路输出端开关电源电路负输入端一端连接输出端相连误差比较器电路缩小电容串接电阻串接开关电源正输入端输入端芯片

[发明专利]一种高精准过压保护电路-CN201510712488.5有效
发明人：谭在超;罗寅;丁国华;张海滨 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： G05F1/569 文献下载
摘要：本发明涉及一种高精准过压保护电路，包括高精度基准电流产生电路、高精度过压判决时间产生电路和过压保护电阻调节自动控制电路，基准电压分别连接高精度基准电流产生电路和高精度过压判决时间产生电路的正输入端，在高精度基准电流产生电路中设有零温漂电阻，所述高精度基准电流产生电路通过内部调节电阻控制端与过压保护电阻调节自动控制电路相连，过压保护电阻调节自动控制电路上设有内外部调节电阻切换控制单元，基准时钟信号连接高精度过压判决时间产生电路的输入端，高精度过压判决时间产生电路的输出即为过压保护输出端。本电路提高了过压保护的判决时间精度，也提高了过压保护的一致性，因能自动调整过压保护功能，提高了电路集成度。
一种精准保护电路

[发明专利]一种PD设备的防浪涌电路-CN201810717508.1在审
发明人：巩令风;谭在超;丁国华;罗寅;张胜 -专利权人：苏州锴威特半导体有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种PD设备的防浪涌电路，包括设置在协议芯片内部的单电源运放、第一MOS管、运放、第一电流源、分压电阻、熔丝修调电路、采样电阻、第二MOS管，单电源运放的正输入端接第一电流源，单电源运放的负输入端接运放的输出端，单电源运放的输出端接第一MOS管的栅极，第一MOS管的漏极接GND，第一MOS管的源极接运放的正输入端，运放的负输入端接VSS，采样电阻接入运放的正输入端和VSS之间，分压电阻的一端接熔丝修调电路，另一端接VSS，第二MOS管的漏极接第一MOS管的栅极，第二MOS管的栅极连接协议芯片内的使能端EN，第二MOS管的源极接GND。本电路可精确控制上电时流入协议芯片的最大电流，保护协议芯片，提高了用户产品的集成度。
单电源运放协议芯片正输入端运放电路防浪涌电路采样电阻分压电阻负输入端电流源输出端漏极熔丝源极保护协议用户产品栅极连接最大电流集成度上电使能芯片