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[发明专利]一种基于碳达峰指数温室气体减排监测及预警设备-CN202111037398.2在审
发明人：罗寅 -专利权人：济南市中两山生态科技中心
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B01D46/10 文献下载
摘要：本发明提供一种基于碳达峰指数温室气体减排监测及预警设备，涉及温室气体减排监测技术领域，包括设备进气嘴和开闭管组；所述设备进气嘴固定安装在气体减排监测设备进气口处，且设备进气嘴内部安装有进气扇，并且报警模块安装在设备进气嘴外侧，报警模块通过线路与气体减排监测设备内部线路相连；所述开闭管组连接在设备进气嘴外部，且开闭管组与监测进气管相连，并且过滤罩位于监测进气管外侧；本发明当监测进气管外侧过滤罩转动分离时，管架内部挡块向内转动，使挡块两侧分别与相邻两个挡块相贴，通过挡块对管架进行密封，使设备进气嘴与监测进气管间隔开来，防止未经过滤的空气进行监测设备内部，影响监测设备内部二氧化碳监测数值的精准性。
一种基于碳达峰指数温室气体监测预警设备

[发明专利]一种农田综合防治与修复装置-CN202110924599.8在审
发明人：罗寅 -专利权人：济南市中两山生态科技中心
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： A01B77/00 文献下载
摘要：本发明提供一种农田综合防治与修复装置，涉及农田治理领域，以解决现有的农田防治与修复装置在使用的时候，农田坍塌之后，无法自动修复，无法自动推动石块以及土壤复位，无法避免水土流失严重的问题，包括主体；所述主体为L形结构，且主体为金属材质，主体的前端内部设有均匀排列的矩形槽。装置安装完成之后，护板可以推动支撑石块，使农田可以更加坚固，使农田可以被治理的更好，减少出现坍塌的几率，护板在使用时，石块坍塌推动护板倾斜的时候，护板、辅助板以及顶块为弹簧板材质，使其弯曲之后，可以辅助复位，使坍塌的石块以及护板可以逐渐复位，使护板可以自动修复农田，进而使护板处于垂直状态，使农田可以正常耕种。
一种农田综合防治修复装置

[实用新型]一种低温漂电源电压检测电路-CN202120168469.1有效
发明人：谭在超;张胜;涂才根;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低温漂电源电压检测电路,所述电路的第一PMOS管P1、第二PMOS管P2和第三PMOS管P3的源极连接电源电压VCC,第一PMOS管P1的漏极和栅极以及第二PMOS管P2的栅极连接在一起，第二PMOS管P2的漏极连接第三PMOS管P3的栅极，第三PMOS管P3的漏极连接第五电阻R5，第一电阻R1和第二电阻R2的连接点接第一NPN型三级管Q1的基极,第一NPN型三级管Q1的集电极接第一PMOS管P1的漏极，第一NPN型三级管Q1的发射极连接第三电阻R3，第一NPN型三级管Q1的基极连接第二NPN型三级管Q2的基极，第二NPN型三级管Q2的集电极连接第二PMOS管P2的漏极，第二NPN型三级管Q2的发射极、第三电阻R3与第四电阻R4相连接，节省了芯片面积，减小了功耗电流，极大地降低了应用成本。
一种低温电源电压检测电路

[发明专利]一种污水处理材料-CN202110850219.0在审
发明人：罗寅 -专利权人：济南市中两山生态科技中心
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B01J27/188 文献下载
摘要：本发明公开了一种污水处理材料，采用如下方法制备：称量硫酸亚铁和钨酸钠以及硝酸铈溶于乙二醇中，随后加入磷酸，超声混合均匀，微波溶剂热反应，得到空心球状的P、Ce共掺杂FeWO4；称取钛酸四丁酯和Sr盐溶液溶于去离子水中，随后加入乙二胺四乙酸和P、Ce共掺杂FeWO4，超声混合均匀以后，以300W‑350W的紫外光辐射反应10‑24h，得到空心球状P、Ce共掺杂FeWO4‑纳米片SrTiO3异质结材料。
一种污水处理材料

[实用新型]一种高压驱动电路-CN202120243156.8有效
发明人：张胜;谭在超;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压驱动电路，电路包括电源偏置模块和驱动电路模块，所述电路大幅提高了驱动电压的电源输入电压，电压值可以与电路中的高压MOS管源漏击穿电压一样高，高压MOS管的栅源驱动电压为5V，保以保证驱动输管安全可靠地工作。同时，本发电路中增加了由高压PMOS管P3、高压NMOS管N4、电阻器R5和高压NMOS管N3、高压PMOS管P4、电阻器R4组成的死区时间控制电路，可以保证高压PMOS管P2和高压NMOS管N2不会同时导通，保护输出MOS管的安全。
一种高压驱动电路

[实用新型]分栅沟槽MOSFET-CN202022874922.9有效
发明人：谭在超;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实用新型涉及一种分栅沟槽MOSFET，分栅沟槽MOSFET的栅源多晶硅间隔离氧化层由硼磷硅玻璃BPSG构成。通过在栅极沟槽内填充BPSG材料，然后高温回流使硅片表面及沟槽侧壁BPSG向栅极沟槽底部流动，从而增加栅极沟槽底部BPSG氧化膜厚度，同时硅片表面及沟槽侧壁BPSG氧化膜厚度降低，最后湿法移除硅片表面及沟槽侧壁多余BPSG氧化膜。采用实用新型所述方法制作的分栅沟槽MOSFET，在有效改善器件栅源漏电问题的同时，其多晶硅间氧化膜更易填充，降低了工艺难度，有利于实现更小的器件尺寸。同时可以节省氧化硅CMP工艺，降低器件生产成本。
沟槽 mosfet

[实用新型]一种栅极驱动电路-CN202120169210.9有效
发明人：谭在超;涂才根;张胜;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种栅极驱动电路，包括左侧电路和驱动电路，左侧电路包括高压电源VCC、Q1三级管、Q2三极管、d1二极管、dz1齐纳二极管、dz2齐纳二极管、dz3齐纳二极管、C1电容、I1偏置电流源、I2偏置电流源、N1MOS管、N2MOS管、N3MOS管以及N4MOS管，驱动电路包括INV1驱动器，INV1驱动器连接INV2驱动器，INV2驱动器连接HN1驱动管，HN1驱动管的漏极连接HP3驱动管的源极，HP3驱动管的漏极连接HP1驱动管的源极和HP2驱动管的栅极，HP2驱动管的源极连接HP4驱动管的漏极，HP4驱动管的源极连接HN2驱动管的漏极，HP4驱动管的漏极连接HP1驱动管的栅极，HN1驱动管、HN2驱动管、HP1驱动管、HP2驱动管、HP3驱动管以及HP4驱动管构成电平位移电路，本驱动电路保证即使在薄栅氧工艺中，也能够安全地工作。
一种栅极驱动电路

[发明专利]一种低碳绿色的生活净水方法-CN202110819864.6在审
发明人：罗寅 -专利权人：济南市中两山生态科技中心
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种低碳绿色的生活净水方法，所述低碳绿色的生活净水方法通过使用低碳绿色的生活净水器来完成，进而实现低碳绿色的生活净水；所述用低碳绿色的生活净水器包括：承载主体；承载主体的外侧固定设置有辅助结构；第一储存箱，所述第一储存箱固定设置于承载主体底部内侧；存储腔A能够对处理完成的污水进行储存，输水器A与转排管B配合，以便于后续对植物进行浇灌，实现污水的二次利用，存储腔B能够对处理完成的污水进行单独储存，渗透膜板对污水进行渗透过滤，对污水的油污等进行过滤，灭杀紫灯进行灭菌处理，最后输水器B与转排管B配合，使污水能够用于对地面、家具等的清理。
一种绿色生活净水方法

[发明专利]一种低碳绿色的生活净水器-CN202110819871.6在审
发明人：罗寅 -专利权人：济南市中两山生态科技中心
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种低碳绿色的生活净水器，包括承载主体；所述承载主体的主体形状为“长方体”结构，承载主体的外侧固定设置有辅助结构；第一载槽，所述第一载槽固定设置于承载主体顶部；过滤筒，所述过滤筒固定设置于承载框架内侧；第一储存箱，所述第一储存箱固定设置于承载主体底部内侧；存储腔A能够对处理完成的污水进行储存，输水器A与转排管B配合，以便于后续对植物进行浇灌，实现污水的二次利用，存储腔B能够对处理完成的污水进行单独储存，渗透膜板对污水进行渗透过滤，对污水的油污等进行过滤，灭杀紫灯进行灭菌处理，最后输水器B与转排管B配合，使污水能够用于对地面、家具等的清理。
一种绿色生活净水器

[发明专利]一种农田综合防治与修复方法-CN202110925941.6在审
发明人：罗寅 -专利权人：济南市中两山生态科技中心
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： A01B79/00 文献下载
摘要：本发明提供一种农田综合防治与修复方法，所述农田综合防治与修复方法通过使用农田综合防治与修复专用装置来完成的，进而实现农田的综合防治与修复；所述农田综合防治与修复专用装置包括：主体；所述主体为L形结构，且主体为金属材质，主体的前端内部设有均匀排列的矩形槽。装置安装完成之后，护板可以推动支撑石块，使农田可以更加坚固，使农田可以被治理的更好，减少出现坍塌的几率，护板在使用时，石块坍塌推动护板倾斜的时候，护板、辅助板以及顶块为弹簧板材质，使其弯曲之后，可以辅助复位，使坍塌的石块以及护板可以逐渐复位，使护板可以自动修复农田，进而使护板处于垂直状态，使农田可以正常耕种。
一种农田综合防治修复方法

[外观设计]汽车前大灯（高配）-CN202130130238.7有效
发明人：张乐乐;孙垚;罗寅 -专利权人：上汽通用五菱汽车股份有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： 26-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：汽车前大灯（高配）。2.本外观设计产品的用途：汽车头部照明灯与指示灯。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
汽车大灯

[发明专利]一种低损耗理想二极管-CN202110673469.1在审
发明人：涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗理想二极管,所述二极管包括控制IC、电荷泵电容C1、增强型MOSFET，整个整流系统器件极少，非常利于缩小整体应用方案的体积，控制IC的电源管脚VIN连接增强型MOSFET的源端，并作为整流器的阳极，控制IC的电荷泵引脚CPO通过电容C1连接MOSFET的源端，控制IC的驱动管脚Gate连接增强型MOSFET的栅端，控制IC的管脚OUT连接MOSFET的漏端，为整流器的阴极和输出，该低损耗理想二极管外围简洁、功耗可控的低损耗二极管,降低整流器功耗，简化布板，缩小整体方案体积，符合高能效、高功率密度的发展趋势，在应用上无需散热装置。
一种损耗理想二极管

[发明专利]一种整流桥启动保护电路-CN202110686077.9在审
发明人：张胜;涂才根;谭在超;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种整流桥启动保护电路，所述保护电路包括整流桥、贮能电容C0、功率电阻R1，AC交流电源将通过功率电阻R1和整流桥对电容C0进行充电，功率电阻R1串联在AC交流电源与整流桥之间的环路上，贮能电容C0连接在整流桥两端，包括IC控制芯片、NMOS管N1、NOMS管N2、电容C1、电容C2、HB管脚、HO管脚及HS管脚，所述NMOS管N1和NOMS管N2的栅极连接在功率电阻R1的两端，NMOS管N1和NOMS管N2的源极和漏极分别相连，本发明专利电路结构简单，只需要一个功率电阻、两个功率NMOS管和一个控制IC即可实现解决方案，本发明专利限制了AC交流电源启动峰值电流，保护了整流桥的安全，保证了设备在高低温条件下都能正常启动。
一种整流启动保护电路

[发明专利]一种高压全摆幅逻辑电路-CN202110667911.X在审
发明人：张胜;谭在超;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压全摆幅逻辑电路，所述电路包括电压偏置电路和反相器电路,所述电压偏置电路包括高压NMOS管N1、高压PMOS管P1、第一稳压管D1、第二稳压管D2、第一电阻器R1、第二电阻器R2、第一电容器C1、第二电容器C2，用于电源滤波，所述反相器电路包括高压NMOS管N2、高压NMOS管N3、高压PMOS管P2、高压PMOS管P3、第三稳压管D3、第四稳压管D4，本发明专利电路大幅提高了电源电压的使用范围，在MOS管源漏耐压范围内实现了输入信号的全电压摆幅，电路中的各个器件都工作在正常工作电压范围内，本发明电路应用成本低，电压偏置电路可以作为所有逻辑电路的公共部分，每个逻辑电路的栅极只需增加一个钳位MOS管和一个保护稳压管即可。
一种高压全摆幅逻辑电路

[实用新型]一种栅极氧化层烧写电路-CN202022864948.5有效
发明人：张胜;涂才根;谭在超;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种栅极氧化层烧写电路，所述烧写电路包括高耐压PMOS管HP1、高耐压NMOS管HN1和HN2、低耐压NMOS管LN1和LN2、高压电源VH和低压电源VL，所述高压电源VH连接高耐压PMOS管HP1的漏极，高耐压PMOS管HP1的源极连接高耐压NMOS管HN1的漏极，高耐压NMOS管HN1的漏极接地，低耐压NMOS管LN1和LN2之间连接高耐压NMOS管HN2；该技术方案既可以在芯片封装后进行，使得封装对芯片的影响可以得到修正。同时利用本专利方法设计的电路，其芯片面积可以做的非常小，生产成本低。
一种栅极氧化层烧写电路