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[发明专利]一种模拟乘法器电路-CN202311110731.7在审
发明人：罗寅;涂才根;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明涉及乘法器技术领域,公开了一种模拟乘法器电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和MOS管；在实际使用时，本发明流过第一晶体管的电流为输出电流，其为输入到第二晶体管的电流和从第四晶体管流出的电流的乘积在除以流过第三晶体管的电流，尽管从晶体管流过或者从晶体管流出的电流会受温度和工艺影响，但是在经过乘除运算后可以使输出电流不受温度和工艺的影响，从而使本发明具有极高的线性度；另外MOS管可以起到负反馈控制作用，可以使本发明的工作稳定性更高。
一种模拟乘法器电路

[发明专利]一种控制芯片和PFC变换器-CN202311100614.2在审
发明人：罗寅;涂才根;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司;四川甘华电源科技有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种控制芯片和PFC变换器，其中控制芯片包括振荡器、电流运放单元、电压运放单元、比较器、乘法器、电流合成单元、逻辑控制单元和驱动单元；在实际实用时，当控制芯片用在PFC转换器中时，可以通过电流互感器来检测功率管MOSFET导通时的电流，而不是采用电阻来全周期采集电流，可以更好的降低使用功耗，另外由于功率管MOSFET关断时电流互感器采集不了电流，为了避免此问题发生，本申请在功率管MOSFET关断时通过电流合成单元来生成斜坡下降信号进行控制，从而实现全周期的电感电流采样。
一种控制芯片 pfc 变换器

[发明专利]开关管电流检测电路和桥式驱动电路-CN202310487761.3有效
发明人：谭在超;涂才根;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明涉及场效应管驱动技术领域，公开了开关管电流检测电路和桥式驱动电路，开关管电流检测电路包括镜像管、第一电流镜单元和钳压单元，在实际使用时，本发明通过让镜像管的输入端与被测开关管的输入端电连接、通过让镜像管的控制端与被测开关管的控制端电连接，以及通过钳压单元使镜像管的输出端与被测开关管的输出端的电压相同，这样镜像管可以镜像流过开关管的电流，并输出采样电流，然后通过第一电流镜单元对采样电流复制，得到复制电流，最后基于复制电流和第一电流源单元的电流大小可以检测是否过流，从而可以不用电阻就能实现过流检测，而通过控制镜像管的镜像比例可以控制采样电流的大小，从而可以控制电流采集时的功耗。
开关电流检测电路驱动

[发明专利]一种带隙基准电路-CN202111644099.5有效
发明人：谭在超;罗寅;涂才根;张胜;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准电路，所述电路包括由三极管(Q1，Q2)、电阻(R1，R2)，构成的电流偏置模块，三极管(Q3，Q4，Q5，Q6，Q7，Q8，Q9，Q10)、电阻(R7，R8)及电容C1构成的运算放大器模块，NMOS管(N1，N2)、PMOS管(P1，P2)构成的电流镜结构，为运算放大器模块供电，电阻(R3，R4，R5，R6)构成的电阻串，运算放大器模块连接Vbg电压，若Vbg电压偏大，则电阻串电流偏大，从而将Vbg电压拉低；若Vbg电压偏低，则电阻串电流偏低，三极管Q10的下拉电流偏低且低于PMOS管P2的电流源，PMOS管P2电流源则将Vbg电压上拉，形成负反馈，本发明拓宽了带隙基准电路对电源电压的工作范围要求，尤其在低电源电压应用时极具优势。
一种基准电路

[发明专利]一种过流保护电路-CN202210780588.1有效
发明人：罗寅;涂才根;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种过流保护电路，包括比较器、逻辑模块和驱动模块，比较器的输出端连接逻辑模块的输入端，逻辑模块的输出端连接驱动模块的输入端，比较器的两个输入端分别接入基准电压和采样电路，采样电路包括第一支路、第二支路、第三支路和第四支路，第一支路与第二支路构成第一电流镜，两者电流镜像比为1:1，第三支路与第四支路构成第二电流镜，两者电流镜像比为1:n。本发明通过将外部采样电阻上的电压进行放大后，与比较器输入端的基准电压进行比较，用于判断是否进行过流保护，因此可选用较小阻值的采样电阻，降低采样电阻上的功耗；通过采集采样电阻两端压差进行放大使用，使采样电阻无需一端接地也可采样，提升了使用的灵活性。
一种保护电路

[发明专利]一种半桥驱动电路-CN202210780589.6在审
发明人：谭在超;涂才根;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半桥驱动电路，包括逻辑控制模块、电平转换模块、高边驱动模块、低边驱动模块、自举电容C1、高边NMOS管N1和低边NMOS管N2，还包括自举二极管替代模块，通过低边驱动模块输出端LO的信号控制自举二极管替代模块的通断。本发明通过在半桥驱动芯片内部集成自举二极管替代模块，用于替代原本设置在芯片外部的快恢复自举二极管，可以极大的节省方案成本，同时该自举二极管替代模块由MOS管控制导通和关断，截止速度快，可以提升应用的安全性。
一种驱动电路

[发明专利]一种峰值电流测试与修正方法及控制电路-CN202111106438.4有效
发明人：张胜;涂才根;谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G01R19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种峰值电流测试与修正方法,所述方法包括以下步骤:1)将T1端口置为高电平,T2端口为低电平,在VIN管脚与SW管脚之间测得管N1的导通阻抗；2)将T1端口置为低电平，T2端口置为高电平，NMOS管N2处于导通状态；3)T2E端口通过控制LOGIC1电路将VG1始终置为低电平，电流基准Iref将在NMOS管N2的导通阻抗上产生电压降，观测OUT端口的电压，计算峰值电流；4)通过编程烧写，调整电流基准的大小，进而调整电流基准Iref在管N2的导通阻抗上产生的电压降。本发明解决了圆片CP测试时直接测试Ipk大电流的难题；本发明电路结构简单，在原有电路的基础上增加了少量的控制电路即可实现，实现成本低。
一种峰值电流测试修正方法控制电路

[发明专利]一种功率管栅端驱动电路-CN202210236073.5在审
发明人：罗寅;涂才根;谭在超;张胜;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率管栅端驱动电路，所述电路包括：驱动电路，驱动电路包括PMOS管（P1，P2，P3，P4，P5，P6，P7，P8，P9）、NMOS管（N1，N2，N3，N4，N5，N6，N7，N8）、电阻（R1，R2，R3）、齐纳二极管（D1，D2）及电流源Ibias；逻辑控制电路，逻辑控制电路包括反相器（INV1，INV2，INV3，INV4，INV5，INV6），本技术方案通过巧妙的设计降低了驱动电路对工艺要求的限制，可控的驱动电流与驱动电压对开关电源模块的应用是有益的。
一种功率管驱动电路

[发明专利]一种理想二极管-CN202111477335.9在审
发明人： 涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种理想二极管，包括控制IC芯片和PMOS管，控制IC芯片内部包括电源偏置使能模块、芯片内部低压电源VCC模块、第一比较器CMP1、第二比较器CMP2、电平转换模块、运算放大器AMP，运算放大器AMP包括由三极管Q1和三极管Q2组成的第一组电流镜，由三极管Q3和三极管Q4组成的第二组电流镜，由PMOS管P4、PMOS管P6和电阻R2组成的第一输出支路以及由PMOS管P5、PMOS管P7和电阻R3组成的第二输出支路，运算放大器AMP的输出端连接PMOS管的栅端，本发明提供的一种理想二极管，在外围上节省了电荷泵电容，控制IC芯片内部节省了电荷泵的设计，整个体积得到了极致的精简。
一种理想二极管

[实用新型]一种整流桥启动保护电路-CN202121376523.8有效
发明人：张胜;涂才根;谭在超;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种整流桥启动保护电路，所述保护电路包括整流桥、贮能电容C0、功率电阻R1，AC交流电源将通过功率电阻R1和整流桥对电容C0进行充电，功率电阻R1串联在AC交流电源与整流桥之间的环路上，贮能电容C0连接在整流桥两端，包括IC控制芯片、NMOS管N1、NOMS管N2、电容C1、电容C2、HB管脚、HO管脚及HS管脚，所述NMOS管N1和NOMS管N2的栅极连接在功率电阻R1的两端，NMOS管N1和NOMS管N2的源极和漏极分别相连，本实用新型专利电路结构简单，只需要一个功率电阻、两个功率NMOS管和一个控制IC即可实现解决方案，本实用新型专利限制了AC交流电源启动峰值电流，保护了整流桥的安全，保证了设备在高低温条件下都能正常启动。
一种整流启动保护电路

[发明专利]一种功率因数矫正装置及控制芯片-CN202111106313.1在审
发明人： 涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率因数矫正控制芯片,控制芯片包括供电及偏置模块、振荡器模块、非线性增益模块、比较器CMP、电流运算放大器OTA1、驱动模块以及电压运算放大器OTA2，辅助供电端通过VIN管脚连接供电及偏置模块，所述电流运算放大器OTA1负输入端接IS管脚，其输出端接非线性增益模块，所述电压运算放大器OTA2负输入端接VS管脚，其输出端接非线性增益模块,非线性增益模块输出两路信号分别送至比较器CMP的正负输入端，一路信号VP为受控参考电压，另一路信号VM为受控的斜坡信号，本发明通过电压环、电流环的双环控制，无需专门设计复杂的乘法器结构，即可实现PFC技术，既简化了控制IC的设计，又减少了IC封装引脚，缩小了封装体积，同时又省去了诸多的外围器件。
一种功率因数矫正装置控制芯片

[实用新型]一种含有控制芯片的电流模式交错控制变换器-CN202120247764.6有效
发明人： 涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种含有控制芯片的电流模式交错控制变换器，所述变换器包括VIN输入电源为20V～100V，正激变压器T1和T2分别与后续器件构成两路输出，电容C0为VCC管脚滤波电容，电阻R3为RT管脚对地电阻，用于控制振荡器频率，电容C1和C2为COMP1、COMP2管脚对地电容，用于调节环路稳定性，电容C3、C4为SS1和SS2管脚对地电容，用于实现系统的软启动，N3、N4在正激变换器中形成天然的同步整流器件，第一输出通道与第二输出通道采用同样的结构，辅助绕组La通过二极管D1为IC控制芯片VCC供电，输出电容Cout1为第一通道的输出电容，整个系统仅由一颗控制芯片驱动控制，在提升功率密度、缩减方案体积、降低方案成本方面进行了很好的优化，同时又不牺牲系统性能。
一种含有控制芯片电流模式交错变换器

[实用新型]一种低损耗理想二极管-CN202121349428.9有效
发明人： 涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低损耗理想二极管,所述二极管包括控制IC、电荷泵电容C1、增强型MOSFET，整个整流系统器件极少，非常利于缩小整体应用方案的体积，控制IC的电源管脚VIN连接增强型MOSFET的源端，并作为整流器的阳极，控制IC的电荷泵引脚CPO通过电容C1连接MOSFET的源端，控制IC的驱动管脚Gate连接增强型MOSFET的栅端，控制IC的管脚OUT连接MOSFET的漏端，为整流器的阴极和输出，该低损耗理想二极管外围简洁、功耗可控的低损耗二极管,降低整流器功耗，简化布板，缩小整体方案体积，符合高能效、高功率密度的发展趋势，在应用上无需散热装置。
一种损耗理想二极管

[实用新型]一种低温漂电源电压检测电路-CN202120168469.1有效
发明人：谭在超;张胜;涂才根;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低温漂电源电压检测电路,所述电路的第一PMOS管P1、第二PMOS管P2和第三PMOS管P3的源极连接电源电压VCC,第一PMOS管P1的漏极和栅极以及第二PMOS管P2的栅极连接在一起，第二PMOS管P2的漏极连接第三PMOS管P3的栅极，第三PMOS管P3的漏极连接第五电阻R5，第一电阻R1和第二电阻R2的连接点接第一NPN型三级管Q1的基极,第一NPN型三级管Q1的集电极接第一PMOS管P1的漏极，第一NPN型三级管Q1的发射极连接第三电阻R3，第一NPN型三级管Q1的基极连接第二NPN型三级管Q2的基极，第二NPN型三级管Q2的集电极连接第二PMOS管P2的漏极，第二NPN型三级管Q2的发射极、第三电阻R3与第四电阻R4相连接，节省了芯片面积，减小了功耗电流，极大地降低了应用成本。
一种低温电源电压检测电路

[实用新型]一种栅极驱动电路-CN202120169210.9有效
发明人：谭在超;涂才根;张胜;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种栅极驱动电路，包括左侧电路和驱动电路，左侧电路包括高压电源VCC、Q1三级管、Q2三极管、d1二极管、dz1齐纳二极管、dz2齐纳二极管、dz3齐纳二极管、C1电容、I1偏置电流源、I2偏置电流源、N1MOS管、N2MOS管、N3MOS管以及N4MOS管，驱动电路包括INV1驱动器，INV1驱动器连接INV2驱动器，INV2驱动器连接HN1驱动管，HN1驱动管的漏极连接HP3驱动管的源极，HP3驱动管的漏极连接HP1驱动管的源极和HP2驱动管的栅极，HP2驱动管的源极连接HP4驱动管的漏极，HP4驱动管的源极连接HN2驱动管的漏极，HP4驱动管的漏极连接HP1驱动管的栅极，HN1驱动管、HN2驱动管、HP1驱动管、HP2驱动管、HP3驱动管以及HP4驱动管构成电平位移电路，本驱动电路保证即使在薄栅氧工艺中，也能够安全地工作。
一种栅极驱动电路

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