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[发明专利]分栅沟槽MOSFET及其制造方法-CN202011396385.X在审
发明人：谭在超;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种分栅沟槽MOSFET栅源漏电改善的工艺方法，本发明分栅沟槽MOSFET的栅源多晶硅间隔离氧化层由硼磷硅玻璃BPSG构成。通过在栅极沟槽内填充BPSG材料，然后高温回流使硅片表面及沟槽侧壁BPSG向栅极沟槽底部流动，从而增加栅极沟槽底部BPSG氧化膜厚度，同时硅片表面及沟槽侧壁BPSG氧化膜厚度降低，最后湿法移除硅片表面及沟槽侧壁多余BPSG氧化膜。采用本发明所述方法制作的分栅沟槽MOSFET，在有效改善器件栅源漏电问题的同时，其多晶硅间氧化膜更易填充，降低了工艺难度，有利于实现更小的器件尺寸。同时可以节省氧化硅CMP工艺，降低器件生产成本。
沟槽 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种多节锂电池电压检测电路-CN202010839060.8在审
发明人：张胜;涂才根;谭在超;丁国华;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G01R31/396 文献下载
摘要：本发明涉及一种多节锂电池电压检测电路，所述检测电路包括高精度比较器、两组分压电容、控制开关以及锂电池组，所述锂电池组由m(m≥2)节锂电池串联而成，其中锂电池组通过一组分压电容连接高精度比较器的正项输入端，电路内容的高精度基本电压通过另一组分压电容连接高精度比较器的反项输入端。
一种锂电池电压检测电路

[发明专利]一种电流模式控制的BOOST转换器-CN202010839051.9在审
发明人：涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H02M3/156 文献下载
摘要：本发明涉及一种电流模式控制的BOOST转换器，所述转换器包括控制IC以及外围电路，所述IC外围电路包括：VIN为系统的输入电压；VOUT为系统的输出电压；L1为电感；D1为续流二极管；C0为输出滤波电容；N1功率开关管；C1为IC的VCC脚外挂电容；R1为一电阻，连接IC的RT管脚，用于控制系统工作频率；R2、C2、C3为IC的FB脚和COMP脚补偿网络，对系统的稳定性起到决定作用；R3为电流采样电阻；R4、R5构成输出电压的采样网络，其比例决定了输出电压的高低。该方案提出的电流模式BOOST转换器，具有宽的输入电压，易于降低输出纹波，消除了次谐波振荡，环路稳定性便于调节。
一种电流模式控制 boost 转换器

[发明专利]一种电平位移电路-CN202010839052.3在审
发明人：涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明涉及一种电平位移电路，所述电路包括VDD为芯片电源，GND为芯片地；HB为半桥高边侧浮动电源；HS为半桥高边侧浮动地；N1、N2为承受半桥高压的MOS；电阻R1、R2为产生电压差的两个电阻；三极管Q1、Q2、Q3、Q4组成两组电流镜；三极管Q5为一路电流源，分别为Q1支路或Q3支路提供偏置电流，偏置电流的大小由偏置电压Vb和电阻R3或R4决定；P1、P2为控制两组电流镜是否产生电流的开关管，分别由脉冲信号pulse1、pulse2控制；P3、P4为采样开关管；R5、R6电阻及N3为RS锁存器产生初始状态；PulseGen模块接收DRV_IN信号，产生两路低窄脉冲信号pulse1和pulse2,RS锁存器产生输出信号DRV_OUT，该信号控制后续的驱动电路；方案新颖、简洁，可将电路功耗限制地极低，功耗值精确。
一种电平位移电路

[实用新型]一种便于安装的乒乓球用AI人工智能监测装置-CN202020058061.4有效
发明人：罗寅 -专利权人：罗寅
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： A63B71/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及AI人工智能监测装置技术领域，且公开了一种便于安装的乒乓球用AI人工智能监测装置，包括安装座和监测器，所述安装座的内部固定安装有固定板，所述固定板的内部固定安装有套管，所述套管的内部活动安装有转轴，所述转轴的顶部与底部均固定安装有螺纹轴，两个所述螺纹轴的相背一侧均固定安装有连接轴，两个所述连接轴的外侧均固定安装有与安装座固定连接的轴承。该便于安装的乒乓球用AI人工智能监测装置，具备便于安装等优点，解决了市场上的乒乓球用人工智能监测装置在使用的过程中，不便于对乒乓球用人工智能监测设备进行安装，从而影响了乒乓球用人工智能监测设备使用的问题。
一种便于安装乒乓球 ai 人工智能监测装置

[实用新型]一种正激有源钳位驱动电路-CN202020644191.6有效
发明人：涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种正激有源钳位驱动电路，包括控制芯片、正激变压器、主开关管、有源钳位开关管、有源钳位电容、两个同步整流管，控制芯片的VIN引脚接VIN电源，在由控制芯片、主开关管组成的传统正激变换器上，增加了一路钳位支路，该支路由有源钳位电容及有源钳位开关管串联而成，主开关管和有源钳位开关管利用控制芯片内部专门设计的驱动电路进行驱动，可以很好地实现系统大占空比、高效率以及方便正激变压器的设计。另外，正激变压器的原边绕组两端电压在每个开关周期都呈规律的方波形状，由此在副边绕组两端产生规律的方波，可以利用副边绕组的方波电压对两个同步整流管进行驱动，无需专门设计同步整流驱动电路，简化了设计，降低了成本。
一种有源驱动电路

[实用新型]一种电容式隔离传输电路-CN202020732546.7有效
发明人：谭在超;肖会明;涂才根;张胜;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电容式隔离传输电路，包括施密特触发器、死区时间控制器、内部振荡器、调制模块、解调模块、驱动模块，施密特触发器、死区时间控制器、调制模块、解调模块、驱动模块顺次连接，内部振荡器连接调制模块的高频载波输入端，在调制模块和解调模块之间设置片上集成的高压耦合电容器；输入信号经施密特触发器消除干扰噪声后经死区时间控制器传输至调制模块，调制模块输出两路互补的高频信号经过高压耦合电容器传输至解调模块中，经解调模块解调后无失真地还原为输入信号传输至驱动模块，经驱动模块输出至负载上。本电路的结构简单、体积小、功耗低、速度快且具有很高的隔离耐压值，可有效实现数字隔离，且抗干扰能力强。
一种电容隔离传输电路

[发明专利]一种基于片上变压器的隔离传输电路-CN202010676698.4在审
发明人：涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华;宋毅龙;向伟荣 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司;青岛航天半导体研究所有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H03M13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于片上变压器的隔离传输电路，所述传输电路包括编码模块，解码模块，驱动模块和两组变压器，其中TA/GND1‑RA/RX组成一组变压器，TB/GND1‑RB/RX组成另一组变压器；该方案大大降低了方案的成本，减少了体积，片上空心变压器，具有高耦合系数、低功耗、高传输速率、可集成的优势。
一种基于变压器隔离传输电路

[实用新型]一种AI人工智能机器人辅助安装架-CN202020058063.3有效
发明人：罗寅 -专利权人：上海卓异信息技术有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及机器人技术领域，且公开了一种AI人工智能机器人辅助安装架，包括固定架，所述固定架的正面固定安装有顶座，所述顶座的内部开设有数量为两个的活动腔，两个所述活动腔的内部均活动安装有活动块，所述顶座的左右两侧均固定安装有动力电机。该AI人工智能机器人辅助安装架，通过对固定板安装了气动推杆，以及对气动推杆安装了挤压套，可对机器人本体进行固定，方便对机器人本体的各部件进行焊接，通过对卡座开设了固定槽，以及对卡座开设了螺纹口，并且对螺纹口安装了螺纹杆，以及对螺纹杆安装了限位片，将机器人的手臂放置在固定槽中，拧动螺纹杆即可对手臂进行挤压固定。
一种 ai 人工智能机器人辅助安装

[实用新型]一种功率因素矫正电路-CN201922388574.1有效
发明人：罗寅;涂才根;谭在超;丁国华;张胜 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率因素矫正电路，属于电源管理技术领域，应用于升压变换器架构，电路包括功率因素矫正芯片、整流桥、滤波电容、有效电压采样电路、波形采样电阻、芯片振荡周期控制电路、电感、续流二极管、功率管、电感电流采样电阻、第一和第二引脚电阻、电流运放补偿网络、电压运放补偿网络、第一和第二输出分压电阻、输出电容，整流桥的输入端接交流电源，乘法器内部包括顺次连接的偏置单元、前馈控制单元和乘法器单元，乘法器单元采用吉尔伯特乘法器结构，为双曲正切函数，前馈控制单元为反双曲正切函数。该PFC电路的乘法器做前馈补偿可消除PFC架构增益随交流电源变化而变化，其通用性强，并具备较大的功率因素值。
一种功率因素矫正电路

[实用新型]一种带有温度补偿的欠压保护电路-CN201922388072.9有效
发明人：罗寅;沈志伟;谭在超;丁国华;张胜 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H02H3/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有温度补偿的欠压保护电路，包括二极管、齐纳管、第一至第四电阻、第一至第五MOS管、反相器，二极管的正极接电源，二极管的负极接齐纳管的负极，齐纳管的正极接第一电阻，第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一MOS管和反相器构成常规的欠压保护电路，第四电阻、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管构成对常规欠压保护电路的温度补偿电路，第五MOS管的栅极连接反相器的输出端。通过温度补偿电路对常规的欠压保护电路中的电阻和MOS管温度系数所带来的阈值变化，实现成本低，温度补偿效果明显，可极大改善温度带来的阈值点的变化。
一种带有温度补偿保护电路

[实用新型]一种通过LLC谐振控制的LED恒流驱动电路-CN201921854210.1有效
发明人：罗寅;张胜;丁国华;谭在超 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H05B45/345 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种通过LLC谐振控制的LED恒流驱动电路，包括半桥驱动芯片、全波整流电路、半波整流电路、电流取样电路、PFC电路，第一、第二功率管由半桥驱动芯片控制，由第一、第二功率管与谐振电感、第二变压器、谐振电容构成LLC谐振环路，全波整流电路外接LED负载，半波整流电路在LLC谐振环路启动后为半桥驱动芯片提供电源，电流取样电路将LLC谐振环路的电流信号转换成电压信号，并将信号反馈到半桥驱动芯片中，PFC电路利用LLC谐振环路的LLC谐振信号构成，负责矫正电路的功率因数。本电路利用半桥驱动芯片直接控制LLC谐振的功率管，省去了功率管的驱动变压器，提高了响应速度同时利用LLC谐振信号构成PFC电路，省去了专用的PFC电路，极大降低了电路的成本。
一种通过 llc 谐振控制 led 驱动电路

[发明专利]一种电容式隔离传输电路-CN202010379609.X在审
发明人：谭在超;肖会明;涂才根;张胜;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容式隔离传输电路，包括施密特触发器、死区时间控制器、内部振荡器、调制模块、解调模块、驱动模块，施密特触发器、死区时间控制器、调制模块、解调模块、驱动模块顺次连接，内部振荡器连接调制模块的高频载波输入端，在调制模块和解调模块之间设置片上集成的高压耦合电容器；输入信号经施密特触发器消除干扰噪声后经死区时间控制器传输至调制模块，调制模块输出两路互补的高频信号经过高压耦合电容器传输至解调模块中，经解调模块解调后无失真地还原为输入信号传输至驱动模块，经驱动模块输出至负载上。本电路的结构简单、体积小、功耗低、速度快且具有很高的隔离耐压值，可有效实现数字隔离，且抗干扰能力强。
一种电容隔离传输电路

[发明专利]一种正激有源钳位驱动电路-CN202010332247.9在审
发明人：涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种正激有源钳位驱动电路，包括控制芯片、正激变压器、主开关管、有源钳位开关管、有源钳位电容、两个同步整流管，控制芯片的VIN引脚接VIN电源，在由控制芯片、主开关管组成的传统正激变换器上，增加了一路钳位支路，该支路由有源钳位电容及有源钳位开关管串联而成，主开关管和有源钳位开关管利用控制芯片内部专门设计的驱动电路进行驱动，可以很好地实现系统大占空比、高效率以及方便正激变压器的设计。另外，正激变压器的原边绕组两端电压在每个开关周期都呈规律的方波形状，由此在副边绕组两端产生规律的方波，可以利用副边绕组的方波电压对两个同步整流管进行驱动，无需专门设计同步整流驱动电路，简化了设计，降低了成本。
一种有源驱动电路

[发明专利]一种短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法-CN202010005171.9在审
发明人：谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法，该器件包括碳化硅衬底、位于碳化硅衬底之上的碳化硅外延层、位于碳化硅外延层之上的栅介质层、位于栅介质层之上的层间介质层，在碳化硅衬底的背部沉积金属形成漏极接触，在碳化硅外延层与栅介质层之间由下往上设有P阱2区和P阱1区，在P阱1区中设有P型和N型杂质离子区，在栅介质层上设有栅极，在层间介质层上沉积金属层以形成源极。该器件的制造方法中利用P阱2的氧化层制作侧墙，使N+源区自对准P阱2以形成沟道长度L，避免工艺误差对沟道长度的影响，并节省了一次N+光刻，可有效降低导通电阻，极大地降低器件成本，同时也能改善器件参数和性能的一致性。
一种沟道碳化硅 mosfet 器件及其制造方法