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[发明专利]单引脚烧录装置-CN202210776306.0有效
发明人：谭在超;陈朝勇;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明涉及芯片烧录技术领域,公开了单引脚烧录装置，包括输入端互相电连接的第一触发单元和第二触发单元，以及时钟信号产生单元和触发器单元；第一触发单元在输入电压大于第一阈值电压时输出第一状态的第一触发信号，时钟信号产生单元基于第一触发信号输出时钟信号，时钟信号输入到触发器单元；第二触发单元在输入电压大于或小于第二阈值电压时输出两种状态的第二触发信号，第二阈值电压大于第一阈值电压；第二触发信号输入到触发器单元的输入端，在实际使用时，通过控制输入电压与第一阈值电压和第二阈值电压的大小，能产生时钟信号和数据信息，在时钟信号的控制下，数据信息写入到触发器单元，实现单引脚的数据烧录。
引脚装置

[发明专利]一种过流保护电路-CN202210780588.1有效
发明人：罗寅;涂才根;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种过流保护电路，包括比较器、逻辑模块和驱动模块，比较器的输出端连接逻辑模块的输入端，逻辑模块的输出端连接驱动模块的输入端，比较器的两个输入端分别接入基准电压和采样电路，采样电路包括第一支路、第二支路、第三支路和第四支路，第一支路与第二支路构成第一电流镜，两者电流镜像比为1:1，第三支路与第四支路构成第二电流镜，两者电流镜像比为1:n。本发明通过将外部采样电阻上的电压进行放大后，与比较器输入端的基准电压进行比较，用于判断是否进行过流保护，因此可选用较小阻值的采样电阻，降低采样电阻上的功耗；通过采集采样电阻两端压差进行放大使用，使采样电阻无需一端接地也可采样，提升了使用的灵活性。
一种保护电路

[发明专利]一种半桥驱动电路-CN202210780589.6在审
发明人：谭在超;涂才根;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半桥驱动电路，包括逻辑控制模块、电平转换模块、高边驱动模块、低边驱动模块、自举电容C1、高边NMOS管N1和低边NMOS管N2，还包括自举二极管替代模块，通过低边驱动模块输出端LO的信号控制自举二极管替代模块的通断。本发明通过在半桥驱动芯片内部集成自举二极管替代模块，用于替代原本设置在芯片外部的快恢复自举二极管，可以极大的节省方案成本，同时该自举二极管替代模块由MOS管控制导通和关断，截止速度快，可以提升应用的安全性。
一种驱动电路

[实用新型]一种木马玩具-CN202123427762.4有效
发明人：罗寅;陈豪;娄岳海;张红星 -专利权人：浙江机电职业技术学院
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： A63G13/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种木马玩具，包括木马主体，还包括有支撑单元，该支撑单元可拆卸地安装于木马主体底部，该支撑单元的左右两侧分别固定有对称设置的支撑板，该支撑单元上安装有一对用于滚动的车轮组；两车轮组之间的连线为轴线，该轴线的两侧分别为滑行侧和摇马侧，支撑板上位于滑行侧的边缘低于车轮组的轮缘高度，支撑板上位于摇马侧的边缘高于车轮组的轮缘高度，且形成中间高、两侧低的圆弧面。结合木马主体自身本有的坐骑功能，因此本实用新型具有滑、摇、坐等多功能合一的特点。
一种木马玩具

[发明专利]一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路-CN202210565999.9有效
发明人：谭在超;陈朝勇;罗寅;张胜;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提出一种极简高可靠性基准产生和内部电源产生电路，属于集成电路技术领域，所述电路包括偏置电流产生模块，用于设置不同比例镜像给其它模块使用，运放跟随器和偏置电压产生模块，用于提供给其它模块做偏置，极简稳压模块，用于产生内部电源电压VDD，内部电源电压给运放跟随器及偏置的电压产生模块供电、偏置电流产生电路供电，省去了带隙基准电路和带隙基准电路的启动电路，采用一个极简的稳压电路代替带隙基准电路和带隙基准电路启动电路和内部电源产生电路，大大节省了面积，同时降低了设计难度，没有无法启动使带隙基准工作在简并点的风险，极大提高了电路的可靠性，可以很好的应用于对面积要求高的电路。
一种极简高可靠性基准产生内部电源电路

[发明专利]一种降压与推挽级联式DC-DC变换器及其控制芯片-CN202210598076.3有效
发明人：罗寅;肖会明;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开了一种降压与推挽级联式DC‑DC变换器及其控制芯片，变换器由启动电路、主控电路、降压输出驱动电路、推挽输出电路、过流采样电路和反馈调节电路等若干子电路组成，采用级联式双端拓扑结构，具有体积小、功率密度高的优点，兼顾了宽范围输入和低压大电流输出的限制，主控电路的控制芯片是本发明的核心器件，包括高压启动模块、参考电压模块、欠压锁定模块、时钟模块、时间设置模块、推挽输出模块、降压输出模块、软启动模块、逻辑控制模块、误差放大器、PWM比较器和过流检测模块，通过时间设置模块来实现电压模式和电流模式两种环路控制模式的兼容以及对推挽输出信号的死区时间或交叠时间的精准控制，从而提升变换器的效率。
一种降压级联 dc 变换器及其控制芯片

[发明专利]碳化硅MOSFET驱动电路-CN202210737965.3在审
发明人：罗寅;张胜;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H03K17/785 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅MOSFET驱动技术领域,公开了碳化硅MOSFET驱动电路，包括发光电路，被置于提供光源；感光电路，包括输出端和输入端，感光电路接收到所述发光电路发出的光时产生充电电流，输出端被配置于与碳化硅MOSFE的栅极电连接；负载电流回路，包括第一连接端和第二连接端，第一连接端与碳化硅MOSFET的源极电连接，第二连接端与所述输入端电连接，在实际使用时，本发明的电路结构简单，通过设置发光电路和感光电路，当发光电路发出光时，感光电路基于发光电路产生的光产生充电电流，该充电电流输入到碳化硅MOSFET的栅极进行充电，使碳化硅MOSFET栅极电压上升，当碳化硅MOSFET的栅极和源极的电压差大于其阈值电压时，碳化硅MOSFET导通，从而实现碳化硅MOSFET的导通和关断驱动。
碳化硅 mosfet 驱动电路

[实用新型]一种娱乐用的金属寻宝探测仪-CN202121496052.4有效
发明人：罗寅;朱文俊;娄岳海;张红星 -专利权人：浙江机电职业技术学院
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G01V9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种娱乐用的金属寻宝探测仪，包括探测头、显示面板和连接杆，所述探测头通过中间轴与连接杆相连接，所述探测头和连接杆上设置有调整装置，所述调整装置包括旋紧套筒、活动转盘、第一连接销、伸缩杆、锁紧螺帽、连接块和第二连接销，所述探测头的下端通过螺纹与旋紧套筒相连接，所述旋紧套筒的下表面设置有活动转盘。本实用新型所述的一种娱乐用的金属寻宝探测仪，属于金属探测仪领域，通过旋转旋紧套筒可以调整连接杆和探测头的角度，从而可以适应不同身高的娱乐人员进行使用，并且调节角度范围较大和调节比较方便，收纳装置可以放置探测的物品，并且可以通过解密的方式拆除密码锁的密码，从而增加寻宝的娱乐性。
一种娱乐金属寻宝探测仪

[发明专利]一种非稳压中间母线变换器及其控制芯片-CN202210581371.8在审
发明人：谭在超;肖会明;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种非稳压中间母线变换器及其控制芯片，涉及电源变换技术领域，变换器由启动电路、主控电路、半桥驱动电路、输出电路和过流采样电路等子电路组成，采用开环控制模式，简化了外围电路，具有体积小、功率密度高、成本低的优点，作为本发明的核心器件，控制芯片由内部低压电源模块、软启动模块、过流检测模块、时钟模块、逻辑控制模块和驱动输出模块组成，其中时钟模块采用了外部可调的设计，最高时钟频率可达2MHz，且能精准控制死区时间，从而提高功率管的占空比，进而提升变换器的效率。
一种稳压中间母线变换器及其控制芯片

[发明专利]一种电压差值实时检测和动态调节电路-CN202111106315.0有效
发明人：罗寅;张胜;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电压差值实时检测和动态调节电路,所述电路包括NMOS管Q1、动态调节模块、实时检测模块、电源、电容及负载，电压差值实时检测模块检测Q1阳极和阴极的电压差，并将电压差信号进行放大处理和电平位移，处理后的信号传输到本发明提出的动态调节模块，动态调节模块处理后传输到Q1管的栅极，调节Q1管的导通程度。当阳极和阴极的电压差大于目标值时，栅极电压增大，使Q1导通电阻减小，因此阳极和阴极电压差减小。本发明提出的电压差实时检测和动态调节电路，可以灵活调节目标电压差值，可以更好的适应不同的外部MOS管，并且具有快速调节栅极电压路径，具有优良的动态响应。
一种电压差值实时检测动态调节电路

[发明专利]一种峰值电流测试与修正方法及控制电路-CN202111106438.4有效
发明人：张胜;涂才根;谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G01R19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种峰值电流测试与修正方法,所述方法包括以下步骤:1)将T1端口置为高电平,T2端口为低电平,在VIN管脚与SW管脚之间测得管N1的导通阻抗；2)将T1端口置为低电平，T2端口置为高电平，NMOS管N2处于导通状态；3)T2E端口通过控制LOGIC1电路将VG1始终置为低电平，电流基准Iref将在NMOS管N2的导通阻抗上产生电压降，观测OUT端口的电压，计算峰值电流；4)通过编程烧写，调整电流基准的大小，进而调整电流基准Iref在管N2的导通阻抗上产生的电压降。本发明解决了圆片CP测试时直接测试Ipk大电流的难题；本发明电路结构简单，在原有电路的基础上增加了少量的控制电路即可实现，实现成本低。
一种峰值电流测试修正方法控制电路

[发明专利]一种高速低功耗高压驱动电路-CN202210236072.0在审
发明人：谭在超;张胜;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速低功耗高压驱动电路，包括N型DMOS管N1、P型DMOS管P1、稳压管D1、反相器驱动电路（X1，X2，X3）、低压NMOS管（N2，N3，N5，N7，N8）、高压NMOS管（N4，N6）、低压PMOS管（P2，P3，P4，P5），电阻（R1，R2，R3）及电容（C1，C2），低压PMOS管P4的源端连接高压NMOS管N4的源端，低压PMOS管P4的漏端连接低压NMOS管N7的漏端，低压PMOS管P5的源端连接高压NMOS管N6的源端，低压PMOS管P5的漏端连接低压NMOS管N8的漏端，本发明电路结构简单，与常用的高压驱动电路相比只增加了非常少的器件，应用成本低。
一种高速功耗高压驱动电路

[发明专利]一种功率管栅端驱动电路-CN202210236073.5在审
发明人：罗寅;涂才根;谭在超;张胜;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率管栅端驱动电路，所述电路包括：驱动电路，驱动电路包括PMOS管（P1，P2，P3，P4，P5，P6，P7，P8，P9）、NMOS管（N1，N2，N3，N4，N5，N6，N7，N8）、电阻（R1，R2，R3）、齐纳二极管（D1，D2）及电流源Ibias；逻辑控制电路，逻辑控制电路包括反相器（INV1，INV2，INV3，INV4，INV5，INV6），本技术方案通过巧妙的设计降低了驱动电路对工艺要求的限制，可控的驱动电流与驱动电压对开关电源模块的应用是有益的。
一种功率管驱动电路

[发明专利]一种相对电源的高压稳压电路-CN202111106498.6有效
发明人：罗寅;张胜;谭在超;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供了一种相对电源的高压稳压电路,所电路中运算放大器的正向输入端为相对GND_Floating的参考电压VREF，负向输入端为输出电压VOUT按比例采样电压，运算放大器的输出端连接调整管HVMOS的栅极。当负载突然增加，输出电压VOUT减小，采样电压减小，运算输出电压变大，HVMOS下拉能力增强，GND_Folating电压减小，从而是VOUT增加，同时随着VDD供电电压升高，GND_Floating电压升高，HVMOS漏极承担高压，可以根据耐压需求选择相应的HVMOS管。该电路仅需要一个HVNMOS和两个HVPMOS即可实现在VDD很宽范围内产生一个电源电压，本发明相对电源的电压产生电路与传统对地的电压不同，可以应用在地线不稳定的情况，并且仅使用极少高压器件即可实现。
一种相对电源高压稳压电路

[发明专利]一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法-CN202010005540.4有效
发明人：谭在超;罗寅;丁国华 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成肖特基二极管的短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法，该器件包括碳化硅衬底、位于碳化硅衬底之上的碳化硅外延层、位于碳化硅外延层之上的栅介质层、位于栅介质层之上的层间介质层，在碳化硅衬底的背部沉积金属形成漏极接触，在碳化硅外延层与栅介质层之间由下往上设有P阱2区和P阱1区，在P阱1区中设有P型和N型杂质离子区，在栅介质层上设有栅极，在层间介质层上沉积金属层以形成源极。该器件的制造方法中利用P阱2制作侧墙，使N+源区自对准P阱2以形成沟道长度L，并将源区的P阱分开，使N‑外延与源端金属接触，由于N‑外延浓度较淡，其与源端金属将形成肖特基接触，从而将肖特基二极管集成到短沟道的碳化硅MOSFET中。
一种集成肖特基二极管沟道碳化硅 mosfet 器件及其制造方法