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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]成膜装置和成膜处理方法-CN201911364275.2有效
发明人：神尾卓史;齐藤哲也;盐野海 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜处理方法。提供一种能够使基板处理的面内均匀性提高并且抑制微粒的技术。提供一种成膜装置，该成膜装置具备：处理容器，其在内部形成真空气氛；载置台，其用于载置基板，具有设置到所述处理容器内的加热部件；气体喷出机构，其设置到与所述载置台相对的位置；以及排气部件，其从所述处理容器内排气，所述气体喷出机构包括：气体导入口，其用于向所述处理容器内导入处理气体；第1板状构件，其在比所述气体导入口靠外侧的位置具有第1开口部；以及喷淋板，其设置于所述第1板状构件与所述载置台之间，从所述第1开口部经由多个气孔向工艺空间供给所述处理气体
装置处理方法

[发明专利]成膜装置、基板处理装置、成膜方法-CN200910172119.6有效
发明人：本间学 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置、基板处理装置、成膜方法。成膜装置在真空容器内将相互反应的至少2种反应气体按顺序供给到基板表面上且执行该供给循环而层叠多层反应生成物的层从而形成薄膜。该成膜装置包括：旋转台、基板载置区域、第1反应气体供给部、第2反应气体供给部、分离区域、中心部区域、排气口、顶面、基板冷却部。
装置处理方法

[发明专利]成膜装置、基板处理装置、成膜方法-CN200910172115.8无效
发明人：加藤寿;本间学;羽石朋来;相川胜芳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置、基板处理装置、成膜方法。该成膜装置是在真空容器(1)内供给第1和第2反应气体来形成薄膜的成膜装置，包括：旋转台；从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部；设于第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间的第
装置处理方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法、基板处理装置-CN200910169415.0有效
发明人：加藤寿;本间学;织户康一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及成膜方法、基板处理装置。该成膜装置包括：旋转台；第1反应气体供给部件；第2反应气体供给部件；分离区域，其在上述周向上位于被供给上述第1反应气体的第1处理区域和被供给上述第2反应气体的第2处理区域之间；第1排气通路；第2排气通路；第1真空排气部件；第2真空排气部件；第1压力检测部件；第2压力检测部件；处理压力检测部件；以及控制部，其根据由上述第1压力检测部件和上述第2压力检测部件检测出的各压力检测值，输出控制上述第1阀和上述第
装置方法处理

[发明专利]成膜装置、基板处理装置及成膜方法-CN200910172118.1有效
发明人：本间学 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法。在真空容器内供给第1和第2反应气体来形成薄膜的成膜装置具有旋转台、用于对真空容器进行耐腐蚀保护的保护顶板、从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部以及在第1反应气体供给部和第在成膜装置中形成包括第1反应气体供给部并具有第1高度的第1空间、包括第2反应气体供给部并具有第2高度的第2空间以及包括第1分离气体供给部并被设置成低于第1和第2高度的第3空间。成膜装置还具有为了对真空容器进行耐腐蚀保护而与保护顶板一起围绕旋转台、第1、第2和第3空间的真空容器保护部。
装置处理方法

[发明专利]成膜装置、基板处理装置及成膜方法-CN200910172127.0有效
发明人：加藤寿;本间学 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法。在真空容器内供给至少两种反应气体而在基板上形成薄膜的成膜装置包括：旋转台；上述旋转台上的基板载置部；相互分离地设置，在上述旋转台上分别将第1、第2反应气体供给到第1、第2处理区域的第1、第2反应气体供给部件；位于上述第1、第2处理区域之间，具有供给第1分离气体的第1分离气体供给部件和顶面的分离区域；位于上述真空容器内部，形成有喷出第2分离气体的喷出孔的中心部区域；排气口；使上述旋转台以上述基板通过上述第1处理区域时的上述旋转台的角速度与上述基板通过上述第2处理区域时的旋转台的角速度为不同的角速度的方式旋转。
装置处理方法

[发明专利]成膜装置、基板处理装置及成膜方法-CN201310686986.8有效
发明人：山涌纯;舆水地盐;山泽阳平;立花光博;加藤寿;小林健;三浦繁博;木村隆文 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置
装置处理方法

[发明专利]成膜装置、基板处理装置及成膜方法-CN200910172121.3无效
发明人：本间学 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及成膜方法，成膜装置包含以可旋转的方式设置在在容器内的旋转台。第1及第2反应气体供给部分别向旋转台的一个面供给第1反应气体及第2反应气体。向位于被供给第1反应气体的第1处理区域和被供给第2反应气体的第2处理区域之间的分离区域，从分离气体供给部喷出第1分离气体。分离区域设有顶面，在顶面和旋转台之间形成有用于使分离气体从分离区域向处理区域一侧流动的狭窄空间。在基板载置部设置有用于升降基板的升降机构。
装置处理方法

[发明专利]微滤成膜处理设备及其微滤成膜处理方法-CN200910198442.0有效
发明人：张春霖 -专利权人：上海巴安水务股份有限公司
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C02F1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种微滤成膜处理设备，壳体内安装有穹形板，管式滤元垂直安装在穹形板上，穹形板的上部安装有拱形布水挡板，穹形板的下部为集水室，集水室开有出水口，进水口位于壳体底部，壳体内设有进水管，该进水管与进水口连接进水管顶部设有顶部开口，顶部开口位于管式滤元上方，顶部开口上方设有挡板，进水管下部设有布水开口，拱形布水挡板位于布水开口上方，壳体的侧壁安装有进气管，壳体的顶部设置排气口，管式滤元表面均匀铺覆硅藻土阴树脂膜。该微滤成膜处理设备将粉末状硅藻土和阴树脂均匀地铺设在过滤器滤元的表面，使其形成具有特定性质的多孔过滤介质，由此截留水体中的悬浮物颗粒、胶体、溶解性有机物及细菌、藻类等微生物。
微滤成膜处理设备及其方法

[发明专利]合金熔射膜以及成膜装置-CN202011627743.3有效
发明人：门胁豊;吉田敏伸;赤濑仁荣 -专利权人：日本爱发科泰克能株式会社
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：提供一种合金熔射膜以及成膜装置，该合金熔射膜可进一步抑制从成膜处理用部件的剥离，该成膜装置具有该合金熔射膜。例如，提供一种熔射膜，用于成膜装置，该成膜装置具有：成膜源；基板支撑部，与上述成膜源相向；成膜处理用部件，包围上述成膜源与上述基板支撑部之间的成膜处理环境气体或者上述成膜源；以及真空容器，容纳上述成膜源、上述基板支撑部以及上述成膜处理用部件；朝向上述成膜处理环境气体设置有合金熔射膜，该合金熔射膜具有铝和第一元素，该第一元素为钪及铪中的至少一种元素。
合金熔射膜以及装置

[发明专利]成膜装置、成膜头和成膜方法-CN201080044833.8有效
发明人：小野裕司;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种成膜装置，该成膜装置能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。该成膜装置具备：收纳被处理基板(G)的处理室；设置于处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部；有机成膜材料供给部(22)，其设置于处理室的内部，将在蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气喷出；无机成膜材料供给部(24)，其设置于处理室的内部，喷出无机成膜材料的蒸气；和混合室(23)，其将从有机成膜材料供给部(22)喷出的有机成膜材料的蒸气与从无机成膜材料供给部(24)喷出的无机成膜材料的蒸气混合，混合室(23)具备使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过、向被处理基板(G)供给的开口部(23c)。
装置成膜头方法

[发明专利]成膜装置-CN201210035752.2无效
发明人：金子裕是;林辉幸;小野裕司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：从蒸镀头喷射的成膜材料，在被处理基板和处理室或者其他的蒸镀头之间反冲，成膜材料附着于与应被蒸镀的位置不同的部位，或者作为杂质混入来自各成膜材料喷出部的蒸气混合的相邻的膜中。本发明是一种成膜装置(1)，具有：收纳被处理基板(被处理基板G)的处理室(11)；和向该被处理基板喷出成膜材料的蒸气的成膜材料喷出部(13)，该成膜装置(1)，在处理室(11)的内部具有捕捉部(16、16)，其捕捉从成膜材料喷出部(13)喷出的，被被处理基板(被处理基板G)反冲的成膜材料。
装置

[发明专利]成膜方法和存储介质-CN200580043869.3无效
发明人：石坂忠大;五味淳;若林哲 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-12-12 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，该成膜方法利用下述成膜装置，该成膜装置包括：处理容器，其内部具备保持被处理基板的保持台；和喷头部，向上述处理容器内供给用于成膜的处理气体，向该处理容器内施加用于激发等离子体的高频电力该成膜方法的特征在于，包括：成膜工序，在上述被处理基板上形成含有金属的薄膜；和保护膜形成工序，在上述成膜工序之前，在上述喷头部形成含有其它金属的保护膜。
方法存储介质

[发明专利]成膜方法、成膜装置及成膜装置的使用方法-CN201110039021.0有效
发明人：佐藤润;木镰英司;问谷昌孝;柴田哲弥 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法、成膜装置和成膜装置的使用方法，该成膜方法交替重复多次成膜处理和氧化吹扫处理，该成膜处理在处理容器内使用Si源气体和氧化剂在被处理体的表面形成SiO2膜，该氧化吹扫处理在将上述被处理体自上述处理容器搬出的状态下，不穿插用于除去堆积于上述处理容器内的膜的处理就一边对上述处理容器内进行排气一边对上述堆积的膜实施氧化。
方法装置使用方法

[发明专利]成膜装置、成膜系统以及成膜方法-CN201910733755.5在审
发明人：品田正人;户岛宏至 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜的成膜装置、成膜系统以及成膜方法。成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板
装置系统以及方法

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