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[发明专利]紧急按钮装置及具有其的设备-CN202010702042.5有效
发明人：梁贤石;金成昱;金帅炯;贺晓彬;李亭亭;刘金彪;丁明正;刘强 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01H13/02 文献下载
摘要：本申请属于电气装置技术领域，具体涉及一种紧急按钮装置及具有其的设备，该紧急按钮装置包括壳体，壳体内设置有第一电连接结构，紧急按钮装置还包括升降组件，升降组件的一端伸至壳体内，且升降组件的一端设置有与第一电连接结构对应的第二电连接结构，升降组件处于下降状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于紧急状态。根据本申请的紧急按钮装置，升降组件处于下降状态时紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时紧急按钮装置处于紧急状态，以此减少由于失误按压紧急按钮装置导致紧急按钮装置进入紧急状态的现象。
紧急按钮装置具有设备

[发明专利]一种图形化用抗反射涂层组合物及图形化方法-CN202011606828.3有效
发明人：李祥华;李大烨;贺晓彬;刘强;丁明正;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09D129/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种图形化用水溶性抗反射涂层，以及使用该水溶性抗反射涂层进行图形化的方法，由于在正、负光刻胶层之间涂布了该水溶性抗反射涂层，避免了直接在正光刻胶层上涂布负光刻胶层引起的二者的反应而导致的不良等问题，从而能够很好的一并进行正光刻胶层和负光刻胶层的双光刻胶层涂布，极大地简化了工艺流程，节约了工艺时间和成本。
一种图形化用反射涂层组合方法

[发明专利]半导体研磨垫及制备方法-CN202011413964.0有效
发明人：李善雄;杨涛;张月;田光辉 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体研磨垫，包括：研磨垫主体；第一孔结构，均匀分布在所述研磨垫主体内；第二孔结构，环绕在第一孔结构外，所述第一孔结构与所述第二孔结构之间具有分隔界面。还提供一种半导体研磨垫制备方法，在制备预聚物的过程中，加入第一分散体，以形成具有第一分散体的预聚物；将具有第一分散体的预聚物中加入硬化剂和第二分散体，以使所述预聚物形成聚合物；对所述聚合物加工成型，以形成半导体研磨垫。本发明提供的半导体研磨垫能够提高研磨工艺的稳定性。
半导体研磨制备方法

[发明专利]晶片研磨装置-CN202011257802.2有效
发明人：申埈燮;张月;杨涛;卢一泓;刘青;杨帆 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片研磨装置，该晶片研磨装置包括：研磨座、第一驱动轴和防护圈；所述防护圈套接在所述研磨座的外围周侧，所述第一驱动轴的一端与所述研磨座固定连接，所述防护圈与所述研磨座或所述第一驱动轴连接；所述防护圈内固定设置有至少一个推板，所述推板位于所述研磨座远离所述第一驱动轴的一侧；所述第一驱动轴用于沿第一旋转方向带动所述所述防护圈和所述第一驱动轴转动；所述研磨座远离所述第一驱动轴的表面用于对晶片进行研磨；所述第一旋转方向包括沿竖直方向的分量。本发明能够充分利用研磨液。
晶片研磨装置

[发明专利]半导体结构、DRAM以及半导体结构的制作方法-CN202111035772.5在审
发明人：张铉瑀;许民;吴容哲;李俊杰;周娜;李琳;王佳;杨红 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种半导体结构、DRAM以及半导体结构的制作方法，涉及半导体技术领域，包括：半导体衬底上设置有由模制氧化层和支撑件交替构成的叠层结构；叠层结构中形成有接触孔，接触孔内形成下电极；牺牲层设置在叠层结构上，且牺牲层由含碳材料形成；硬掩模层设置在牺牲层上。在上述技术方案中，将牺牲层采用含碳的材料形成，这种材料会使牺牲层本身就具备一定的硬度，所以该牺牲层既能够作为牺牲层的功能使用，还能够具备硬掩模层的功能作为硬掩模层而使用，由此就可以降低原硬掩模层的厚度，进而降低整体的厚度，这样，后续电介质膜蒸镀时，电介质膜的散布就会变好，电容器的散布也会得到有效的改善，使半导体元件的性能得到提高。
半导体结构 dram 以及制作方法

[发明专利]光刻胶分配器以及半导体制造设备-CN202011140748.3有效
发明人：李其衡;贺晓彬;丁明正;刘强;杨涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明提供的一种光刻胶分配器以及半导体制造设备，涉及半导体技术领域，包括：喷嘴壳体上开设有多个内腔，每个内腔对应设置有一个喷嘴，喷嘴装配在喷嘴壳体的外壁并与对应的内腔连通；多个单元喷涂组件与多个内腔一一对应；其中，单元喷涂组件包括单元瓶和驱动装置，单元瓶装配在内腔并与喷嘴连通，驱动装置与单元瓶驱动装配，以驱动单元瓶内的光刻胶沿喷嘴流出。在上述技术方案中，如果需要更换光刻胶时，只需要将该光刻胶分配器内不同单元喷涂组件移动到半导体的对应位置，将装载的不同光刻胶继续进行涂敷工作即可。所以，整个光刻胶的更换过程中并不需要机械结构的改变，只需要选择光刻胶分配器内不同的单元喷涂组件对应进行涂敷工作即可。
光刻分配器以及半导体制造设备

[发明专利]半导体存储器、其制作方法及电子设备-CN202010490689.6有效
发明人：全宗植;吴容哲;高建峰;刘卫兵;孔真真 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体存储器、其制作方法及一种电子设备。本公开的半导体存储器包括：位线层，具有至少一条位线；有源层，位于所述位线层上方并且包括至少两个有源区，所述两个有源区在位线层所在水平面的投影在同一条位线上；贴着有源区的侧壁形成的栅堆叠；以及，存储层，位于所述有源层上方并且包括至少两个存储区。该半导体存储器通过垂直地将位线所在层和存储区分离到有源区的上/下，使上/下分离的两个层和连接中间有源区的接触不在同一平面上，确保了平面上的工艺裕度，从而可以改善半导体存储器设计层面的限制，提升半导体存储器的性能。
半导体存储器制作方法电子设备

[发明专利]一种抛光垫材料及抛光垫-CN202010568253.4有效
发明人：李善雄;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C08G18/44 文献下载
摘要：本发明公开一种抛光垫材料及抛光垫，涉及集成电路技术领域，以解决抛光垫磨损量大、寿命短的问题。所述抛光垫材料包括：所述抛光垫材料由异氰酸酯和多元醇制备而成；其中，所述抛光垫材料具有疏水性，所述抛光垫材料具有的疏水性至少由所述多元醇引入的疏水性基团产生。所述抛光垫包括上述技术方案所提的。本发明提供的抛光垫材料及抛光垫用于集成电路领域。
一种抛光材料

[发明专利]半导体研磨垫及制备方法-CN202011397105.7有效
发明人：李善雄;杨涛;张月;田光辉 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B24B37/24 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体研磨垫，包括：研磨垫主体；孔结构，均匀分布在所述研磨垫主体内，所述孔结构与所述研磨垫主体的界面具有褶皱。还提供一种半导体研磨垫制备方法，包括：将粉末状态的分散体进行处理，以使所述分散体表面形成划痕；将表面具有划痕的分散体投入液体状态的研磨垫主体材料中，以形成分散体与所述研磨垫主体材料的混合物；将所述混合物进行固化并成型，以形成研磨垫。本发明提供的半导体研磨垫能够提高研磨垫对抛光液的吸收量，提高研磨效率。
半导体研磨制备方法

[发明专利]半导体结构及制备方法-CN202010280443.6有效
发明人：崔锺武;金成基;高建峰;刘卫兵;孔真真 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构，包括：半导体衬底，于所半导体衬底内设置沟槽；埋入式栅堆叠，埋入式栅堆叠填充沟槽的下部；埋入式栅堆叠具有朝沟槽底部方向凹陷的顶表面。本申请的埋入式栅堆叠具有朝所述沟槽底部方向凹陷的顶表面，减小了埋入式栅堆叠(Gate)与源/漏区(S/D)之间的重叠部分，减少了GIDL电流,提高现有的半导体器件的可靠性。
半导体结构制备方法

[发明专利]晶体管及其制备方法-CN202010568263.8有效
发明人：崔锺武;金成基;杨涛;高建峰;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶体管及其制备方法，包括：衬底，所述衬底具有形成在其上的源/漏区；栅堆叠结构，位于所述衬底上；金属接触插塞，与所述源/漏区连接；侧墙，位于所述栅堆叠结构与所述金属接触插塞之间；空气隙，位于所述侧墙内。由于空气的介电常数远小于氧化硅，大大减少了栅堆叠结构与金属接触插塞之间的寄生电容，从而提高晶体管的性能。
晶体管及其制备方法

[发明专利]一种晶圆叉清洗方法及装置-CN202010861124.4有效
发明人：姜喆求;胡艳鹏;李琳;卢一泓 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及设备维护技术领域，尤其涉及一种晶圆叉清洗方法及装置，该晶圆叉清洗装置，包括：清洗室、设置于清洗室内的喷洒装置和刷子、设置于清洗室出入口的气刀；所述喷洒装置，用于喷淋清洗液；所述刷子，用于对伸入所述清洗室内的晶圆叉进行洗刷，气刀，用于对所述待清洗的晶圆叉进行吹扫，以及对清洗后的晶圆叉进行干燥，进而实现对晶圆叉进行有效、自动地清洗，进而避免晶圆的交叉污染，也提高了产能。
一种晶圆叉清洗方法装置

[发明专利]用于曝光设备的调整装置、方法及曝光设备-CN202010270647.1有效
发明人：金成昱;金帅炯;梁贤石;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供一种用于曝光设备的调整装置、方法及曝光设备。所述调整装置用于对工件台上放置的基板进行调整，所述基板表面预先被划分为多个测量区域，其包括：在光路上依次设置的光源、投影光栅、可调节反射镜、探测光栅和探测器模块；光源发出的光束经过投影光栅形成具有预设光斑图案的光束后，到达可调节反射镜；所述可调节反射镜将光束调整后照明所述工件台上放置的基板表面对应的测量区域；从所述基板表面反射的光束经所述探测光栅到达所述探测器模块；所述探测器模块根据探测到的光束信息计算调焦调平参数。该调整装置可以准确地对基板偏离量进行校正，可以减少曝光前的调焦调平时间，使得曝光设备的工作效率得到提升。
用于曝光设备调整装置方法

[发明专利]晶圆转移机构、半导体制造设备以及晶圆转移方法-CN202010567125.8有效
发明人：具德滋;周娜;李琳;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆转移机构、半导体制造设备以及晶圆转移方法，该晶圆转移机构包括聚焦环和举升组件，聚焦环设置在半导体制造设备上，并且聚焦环套装在半导体制造设备的静电卡盘的外侧且靠近静电卡盘的顶部设置，聚焦环的内侧和静电卡盘的顶面合围形成用于放置晶圆的收容空间，举升组件设置在聚焦环上，举升组件用于与晶圆配合，以使晶圆进入或离开收容空间。通过将举升组件设置在聚焦环上，从而实现了静电卡盘的无孔结构，进而保证了静电卡盘温度的均一性，进而提高了晶圆的良品率。
转移机构半导体制造设备以及方法

[发明专利]一种多晶硅的沉积方法及其应用-CN202010281348.8有效
发明人：李相遇;熊文娟;蒋浩杰;李亭亭;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅的沉积方法及其应用。一种多晶硅的沉积方法，包括下列步骤：在半导体载体沉积多晶硅膜，然后离子注入，再进行退火处理；其中，所述离子注入采用的离子为硅离子或金属离子。本发明可以在较低的温度下消除硅沉积时产生的缝隙或孔洞，从而减少后续工艺可能发生的缺陷。
一种多晶沉积方法及其应用