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[发明专利]一种清洗装置-CN202210148676.X在审
发明人：朴英植;卢一泓;李琳;胡艳鹏;张月;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种清洗装置，该清洗装置用于清洗晶圆。该清洗装置包括清洗腔、以及设置在清洗腔内且用于固定晶圆的支撑台，且支撑台能够带动晶圆旋转。在清洗腔内还设置有用于向晶圆喷洒清洗剂的喷嘴组件，还设置有用于收集喷洒在晶圆表面后从晶圆表面溅起的清洗剂的吸附装置。在上述的方案中，通过设置吸附装置，以吸附喷嘴在晶圆表面后从晶圆表面溅起的清洗剂，从而防止从晶圆表面溅起的清洗剂附着在清洗腔或喷嘴组件上或逆向重新回到晶圆表面，防止污染清洗腔，防止晶圆被污染。
一种清洗装置

[发明专利]晶圆加工处理设备-CN202210147283.7在审
发明人：姜喆求;卢一泓;李琳;胡艳鹏;张月;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆加工处理设备，其包括：机箱、处理仓、去除仓和传送件；所述处理仓和所述去除仓均与所述机箱连通，所述传送件位于所述机箱内；所述处理仓用于为晶圆进行加工处理提供空间；所述去除仓用于为晶圆去除残留物提供密闭的空间；所述传送件用于将晶圆在所述处理仓和去除仓之间进行传递；所述去除仓固定连接有输气管，所述输气管用于向所述去除仓内充入稳定气体，以吹除晶圆上的残留物。本发明能够在晶圆进行加工处理前和/或加工处理后，快速的去除晶圆上的残留物。
加工处理设备

[发明专利]半导体金属配线形成方法及结构-CN202210148461.8在审
发明人：尹洪权;卢一泓;李俊杰;胡艳鹏;张月 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体金属配线形成方法，包括：提供一叠层结构，所述叠层结构包括由下向上依次层叠的衬底、阻挡层、金属层和硬掩膜层；将所述硬掩膜层图案化；对所述金属层进行干法刻蚀，以使所述金属层图案化；对所述阻挡层进行湿法刻蚀，以使所述阻挡层图案化。本发明能够在小的硬掩膜和配线材料损耗的前提下，实现配线间的绝缘。
半导体金属线形成方结构

[发明专利]一种化学机械平坦化设备、终点检测方法、装置及系统-CN202210148690.X在审
发明人：金相一;杨涛;张月;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明公开一种化学机械平坦化设备、终点检测方法、装置及系统，涉及化学机械平坦化技术领域，利用随转盘转动的传感器探测探测信息以反映研磨组件和晶圆的空间分布特性，确定晶圆的有效信号，从而确定化学机械平坦化是否达到终点，具有成本低的优点。该化学机械平坦化设备包括转盘、以及设在转盘上的传感器和研磨组件。研磨组件研磨晶圆时，传感器用于探测信号，信号用于反映研磨组件和晶圆的空间分布特性。
一种化学机械平坦设备终点检测方法装置系统

[发明专利]一种固定装置及等离子体设备-CN202210147373.6在审
发明人：徐官基;白国斌;高建峰;刘卫兵;刘金彪;孔真真 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种固定装置及等离子体设备，涉及半导体设备技术领域，能够减少固定件被电弧刻蚀而产生的颗粒污染物。该固定装置应用于工艺腔，该工艺腔具有安装孔；固定装置包括固定件以及用于保护所述固定件的保护件，固定件安装于工艺腔的安装孔内；保护件设置在固定件的顶部。本发明提供的一种固定装置及等离子体设备用于半导体器件、半导体芯片制造。
一种固定装置等离子体设备

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210147400.X在审
发明人：金志勋;高建峰;杨涛;李俊峰;刘卫兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，通过形成在金属互连层内的应力抵消层来抑制基底和金属互连层翘曲，从而防止基底和金属互连层在后续半导体制造工艺中破碎，便于半导体制造工艺的进行。所述半导体器件包括基底、金属互连层和应力抵消层。基底包括外围区和单元区。金属互连层形成在基底上，金属互连层覆盖外围区和单元区。应力抵消层形成在相应金属互连层内。应力抵消层用于抑制基底和金属互连层翘曲。所述半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案所提供的半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种晶片传送设备、传送方法及传送系统-CN202210147426.4在审
发明人：徐官基;周娜;李琳;李俊杰;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开一种晶片传送设备、传送方法及传送系统，涉及半导体设备技术领域，能够减少设备前端模块在传送晶片过程中引入的颗粒污染物，提高半导体制造工艺质量。该晶片传送设备包括设备前端模块，排气装置，以及压力控制阀，排气装置设在设备前端模块具有的排气口上，压力控制阀设置在排气装置上。本发明提供的一种晶片传送设备、传送方法及传送系统用于半导体器件、半导体芯片制造。
一种晶片传送设备方法系统

[发明专利]基于晶片清理仓的气压调控装置及方法-CN202110113769.4有效
发明人：姜喆求;胡艳鹏;李琳;卢一泓 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于晶片清理仓的气压调控装置及方法，其中基于晶片清理仓的气压调控装置包括：清理仓、排气管道和第一气压反馈调节模块；清理仓开设有排气口，排气口与排气管道连通；第一气压反馈调节模块包括：第一测压单元、第一气压调控单元和第一反馈控制单元；第一测压单元和第一气压调控单元均与第一反馈控制单元通信连接；第一测压单元用于监测排气管道内的气压大小；第一气压调控单元用于调控排气管道内的气压大小；第一反馈控制单元用于根据第一测压单元监测到的排气管道内的气压大小，控制第一气压调控单元，以将排气管道内的气压大小调控至预设的目标值。本发明能够防止排气管道中的气体回流至清理仓内。
基于晶片清理气压调控装置方法

[发明专利]晶圆曝光投影图的设定方法及系统-CN202010575069.2有效
发明人：刘智龙;贺晓彬;丁明正;刘强;李亭亭;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆曝光投影图的设定方法及系统，该方法包括：生成覆盖晶圆在第一方向上的上下边缘的矩形曝光投影图；所述曝光投影图具有若干行和列的矩形投影块，每一所述投影块包括若干行和列的投影单元；沿着所述第一方向移动同一行或同一列的投影块，使得所述同一行或同一列的投影块位于所述晶圆内的投影单元数量增加。本申请提供的晶圆曝光投影图的设定方法，设定的晶圆曝光投影图，在只改变曝光投影图的形状而不变更工艺流程的情况下就可以增加有效投影单元的个数，从而增加了曝光投影后的晶圆上有效裸片的个数，从而避免了晶圆浪费，提高了晶圆利用率，降低了生产成本。
曝光投影图设定方法系统

[发明专利]涂胶机的控制方法、涂胶机的控制系统以及涂胶机-CN202010761685.7有效
发明人：张成根;林锺吉;金在植;贺晓彬;刘强;丁明正 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种涂胶机的控制方法、涂胶机的控制系统以及涂胶机，该涂胶机的控制方法包括获取光刻胶膜层的需求厚度，控制光刻胶流向晶圆，根据需求厚度，改变晶圆的转速。根据发明实施例的涂胶机的控制方法，在进行晶圆涂胶的过程中，控制晶圆的转速发生变化，能够实现一种光刻胶采用不同的转速进行旋转，形成不同厚度的膜层，扩大了一种光刻胶在不同的转速下所形成的膜层厚度的范围，进而减少涂胶机上所装设的光刻胶的种类，降低了成本投入。另外，通过改变晶圆的旋转速度，快速去除光刻胶中的气泡，改善线宽粗糙度。
涂胶控制方法控制系统以及

[发明专利]一种预清洗装置-CN202010417594.1有效
发明人：鲁容硕;张月;杨涛;卢一泓;刘青 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种预清洗装置，该预清洗装置用于去除晶圆表面的颗粒，其包括支撑结构、装配在支撑结构上的夹持组件、设置在支撑结构上且用于对晶圆的第一面抛光的第一抛光组件。夹持组件包括用于吸附晶圆的第二面并带动晶圆绕定点转动的吸盘，且晶圆的第二面的面积大于吸盘的面积。还包括设置在支撑结构上且用于对晶圆的第二面上未被吸盘覆盖的表面以及边缘面抛光的第二抛光组件。通过设置对晶圆的第二面上未被吸盘覆盖的表面及晶圆的边缘面抛光的第二抛光组件，以更有效的去除晶圆的背面以及边缘面上的颗粒，从而降低晶圆背面及边缘面的颗粒含量，改善在晶圆的后续光刻工序中的局部失焦现象，提高半导体器件生产的良率以及生产效率。
一种清洗装置

[发明专利]用于离子注入装置的绝缘结构-CN202010276075.8有效
发明人：朱宁炳;刘金彪;王桂磊;王垚 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于离子注入装置的绝缘结构，包括：绝缘管；所述绝缘管具有内表面以及两端的开口；至少一个屏蔽管，所述屏蔽管随形安装于所述绝缘管的内表面上。通过设置屏蔽管，使污染物无法渗透到绝缘管的内表面上，可以维持稳定的离子驱逐电压，延长绝缘管的清洗周期。从而延长绝缘管的使用寿命，提高了离子注入装置的可靠性。
用于离子注入装置绝缘结构

[发明专利]光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法-CN202010917348.2有效
发明人：刘智龙;贺晓彬;李亭亭;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，包括：制造出具有阶梯状结构的晶圆；在所述晶圆表面涂布光刻胶形成第一光刻胶层，使所述第一光刻胶层与所述晶圆的厚度之和保持一致；对所述第一光刻胶层进行图案化处理，在所述晶圆的表面上形成光刻胶层图案；对所述光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸进行测量，根据测量结果绘制出光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。本公开实施例提供的光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，不需要制作出不同光刻胶厚度的晶圆样品，只需要一个晶圆即可实现该方法，简化了工艺，大大降低了成本，且节省了工艺时间。
光刻厚度关键尺寸关系曲线制作方法

[发明专利]一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法-CN202110019365.9有效
发明人：李东根;李亭亭;王晓磊;项金娟;蒋浩杰;丁云凌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B31/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法，在所述扩散炉连续对不同半导体器件进行氮化处理的过程中，在所述扩散炉内没有半导体器件的时间段内，进行以下步骤：升温过程：升高所述扩散炉内的温度至第一预设温度，所述第一预设温度高于氮化处理过程的最高温度；通入气体过程：在第一预设时间内向所述扩散炉内通入清除气体；在第二预设时间内向所述扩散炉内通入吹扫气体；降温过程：降低所述扩散炉内的温度至第二预设温度，所述第二预设温度低于氮化处理过程的最高温度。本发明有效去除石英表面附着的粉末或颗粒状的残留物，消除残留物掉落在晶片表面的现象，延长PM周期。
一种扩散氮化工艺残留物清除方法

[发明专利]一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统-CN202010275233.8有效
发明人：金在植;张成根;林锺吉;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于光刻工艺的气压控制系统及方法、涂胶显影系统，该系统包括：外部气压检测装置，用于实时检测光刻设备外部环境的外部气压值，以及用于将外部气压值反馈给控制器；内部气压检测装置，用于实时检测风机过滤单元出口的内部气压值，以及用于将内部气压值反馈给控制器；控制器，用于利用得到的外部、内部气压值确定压差以及根据压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。该方法包括：实时外部气压值和内部气压值；利用外部气压值和内部气压值确定压差；根据压差实时控制风机过滤单元变换器和/或风机。涂胶显影系统，包括气压控制系统。本公开能够实时调节涂胶显影设备内各区域的气压，具有压差调节速度快、可靠性高等优点。
一种用于光刻工艺气压控制系统方法涂胶显影系统