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[发明专利]一种文本质量评价系统及方法-CN202110998121.X有效
发明人：刘三女牙;张立山;赵爱茹;曹欢欢;袁阳凯;李亭亭;戴志诚 -专利权人：华中师范大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F40/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种文本质量评价系统及方法，属于写作评价领域，系统包括：数据获取模块用于收集文本数据；文本分析模块用于从基本篇幅、知识密度、专业表达和句型结构方面对文本给予分析并反馈；指标维度计算模块用于根据文本分析模块反馈数据，计算指标维度的数值；指标维度包括：基本篇幅指标维度、知识密度指标维度、专业表达指标维度和句型结构指标维度；基本篇幅指标维度的计算是统计文本的字、词和句的数目；知识密度指标维度和专业表达指标维度的计算是计算各种词性在总词数中的占比；句型结构指标维度的计算是计算句平均词数以及单句占比；本发明不仅可以对当前文本能给予客观的质量评价，也可以快速提高文本创建者的写作质量。
一种文本质量评价系统方法

[发明专利]晶圆曝光投影图的设定方法及系统-CN202010575069.2有效
发明人：刘智龙;贺晓彬;丁明正;刘强;李亭亭;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆曝光投影图的设定方法及系统，该方法包括：生成覆盖晶圆在第一方向上的上下边缘的矩形曝光投影图；所述曝光投影图具有若干行和列的矩形投影块，每一所述投影块包括若干行和列的投影单元；沿着所述第一方向移动同一行或同一列的投影块，使得所述同一行或同一列的投影块位于所述晶圆内的投影单元数量增加。本申请提供的晶圆曝光投影图的设定方法，设定的晶圆曝光投影图，在只改变曝光投影图的形状而不变更工艺流程的情况下就可以增加有效投影单元的个数，从而增加了曝光投影后的晶圆上有效裸片的个数，从而避免了晶圆浪费，提高了晶圆利用率，降低了生产成本。
曝光投影图设定方法系统

[发明专利]一种独立悬挂用横向稳定杆-CN201710584395.8有效
发明人：周国栋;赵红光;李阳;王晓燕;娄立坤;李亭亭;刘忠明;郑宽;李式兵 -专利权人：中通客车股份有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B60G21/055 文献下载
摘要：本发明涉及尤其涉及一种独立悬挂用横向稳定杆，包括呈U形的杆体、稳定杆支架，所述杆体两端分别设有竖直向下连接下摆臂并调整下摆臂与悬挂支架距离的连接杆；所述连接杆均包括连接螺栓杆、位于连接螺栓杆上部的连接杆上限位、位于连接螺栓杆下部的连接杆下限位。本发明具备稳定杆功能；通过调整可调整连接杆、花键相对花键套筒的相对位置实现车身高度的微调功能，能取代其它车身高度调整结构；因自身的结构能够提供一定的支撑力可预防悬挂支柱突发失效而带来的行车危险。
一种独立悬挂横向稳定

[实用新型]一种防汛挡板组合-CN202222658792.4有效
发明人：高琼;李晓辉;秦春禹;应梅娟;高保华;张佳俊;李亭亭;穆晓东;武彪 -专利权人：北京北排装备产业有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： E02B3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防汛挡板组合，涉及防汛挡板技术领域，包括：面板；底板，设置于面板的背水面的一端，底板的一端与面板的底部连接，底板的另一端通过斜撑与面板的顶部连接；防水布，覆盖在面板的迎水面上；该防汛挡板组合方便携带、方便操作、方便储存，并且在现场能够快速到位、快速布置、快速见效、快速移除，实现防汛物资设备化、防汛方式机械化、应急抢险快速化、现场处置简单化、作业强度最小化、防汛手段多样化。
一种防汛挡板组合

[发明专利]光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法-CN202010917348.2有效
发明人：刘智龙;贺晓彬;李亭亭;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，包括：制造出具有阶梯状结构的晶圆；在所述晶圆表面涂布光刻胶形成第一光刻胶层，使所述第一光刻胶层与所述晶圆的厚度之和保持一致；对所述第一光刻胶层进行图案化处理，在所述晶圆的表面上形成光刻胶层图案；对所述光刻胶层图案各区域的厚度以及对应厚度下的关键尺寸进行测量，根据测量结果绘制出光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。本公开实施例提供的光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线的制作方法，不需要制作出不同光刻胶厚度的晶圆样品，只需要一个晶圆即可实现该方法，简化了工艺，大大降低了成本，且节省了工艺时间。
光刻厚度关键尺寸关系曲线制作方法

[发明专利]一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法-CN202110019365.9有效
发明人：李东根;李亭亭;王晓磊;项金娟;蒋浩杰;丁云凌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B31/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法，在所述扩散炉连续对不同半导体器件进行氮化处理的过程中，在所述扩散炉内没有半导体器件的时间段内，进行以下步骤：升温过程：升高所述扩散炉内的温度至第一预设温度，所述第一预设温度高于氮化处理过程的最高温度；通入气体过程：在第一预设时间内向所述扩散炉内通入清除气体；在第二预设时间内向所述扩散炉内通入吹扫气体；降温过程：降低所述扩散炉内的温度至第二预设温度，所述第二预设温度低于氮化处理过程的最高温度。本发明有效去除石英表面附着的粉末或颗粒状的残留物，消除残留物掉落在晶片表面的现象，延长PM周期。
一种扩散氮化工艺残留物清除方法

[发明专利]紧急按钮装置及具有其的设备-CN202010702042.5有效
发明人：梁贤石;金成昱;金帅炯;贺晓彬;李亭亭;刘金彪;丁明正;刘强 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01H13/02 文献下载
摘要：本申请属于电气装置技术领域，具体涉及一种紧急按钮装置及具有其的设备，该紧急按钮装置包括壳体，壳体内设置有第一电连接结构，紧急按钮装置还包括升降组件，升降组件的一端伸至壳体内，且升降组件的一端设置有与第一电连接结构对应的第二电连接结构，升降组件处于下降状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时，第二电连接结构与第一电连接结构配合使紧急按钮装置处于紧急状态。根据本申请的紧急按钮装置，升降组件处于下降状态时紧急按钮装置处于正常状态，升降组件处于上升状态时紧急按钮装置处于紧急状态，以此减少由于失误按压紧急按钮装置导致紧急按钮装置进入紧急状态的现象。
紧急按钮装置具有设备

[发明专利]电子束正胶的曝光方法-CN202010821044.6有效
发明人：贺晓彬;张青竹;殷华湘;李俊峰;刘金彪;李亭亭 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种电子束正胶的曝光方法，包括以下步骤：提供器件版图；根据刻蚀工艺的具体需求，选择电子束正胶的厚度；将所述器件版图的设计尺寸缩小以作为实验尺寸；根据所述实验尺寸以及选择的电子束正胶的厚度进行电子束曝光实验，调整曝光剂量来使光刻胶完全感光，以使所述实验尺寸曝光至所述设计尺寸，得到曝光剂量‑各设计尺寸的对应关系；根据曝光剂量‑设计尺寸的对应关系，根据待曝光的晶圆的设计尺寸施加对应的曝光剂量。
电子束曝光方法

[发明专利]涂胶方法和电子设备-CN202211526050.4在审
发明人：贺晓彬;刘金彪;李俊峰;李亭亭;李俊杰;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B05D1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种涂胶方法和电子设备，其中，涂胶方法应用于涂覆表面开设有槽的器件，包括：使用光刻胶在涂覆表面旋转涂胶，形成第一涂层；使用有机溶剂稀释第一涂层并静置预定时长，以使光刻胶填充槽；使用光刻胶在稀释后的第一涂层表面旋转涂胶，形成第二涂层；对第一涂层和第二涂层进行烘烤处理，以得到光刻胶层。本发明能够避免烘烤后在槽口处有气泡的产生，操作简单，成本低。
涂胶方法电子设备

[发明专利]一种纳米疫苗及其制备方法和应用-CN202111517308.X有效
发明人：杨红;谢小雪;刘贻尧;李亭亭;吴春惠;李顺;秦翔 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： A61K39/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米疫苗及其制备方法和应用，采用本发明中的方法制得的纳米疫苗能顺序响应肿瘤弱酸微环境、可重塑肿瘤免疫抑制性微环境，并且可搭载多种治疗剂和抗原，为纳米疫苗平台的设计提供了新思路，能够用于肿瘤的联合免疫治疗。
一种纳米疫苗及其制备方法应用

[发明专利]一种多晶硅的沉积方法及其应用-CN202010281348.8有效
发明人：李相遇;熊文娟;蒋浩杰;李亭亭;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅的沉积方法及其应用。一种多晶硅的沉积方法，包括下列步骤：在半导体载体沉积多晶硅膜，然后离子注入，再进行退火处理；其中，所述离子注入采用的离子为硅离子或金属离子。本发明可以在较低的温度下消除硅沉积时产生的缝隙或孔洞，从而减少后续工艺可能发生的缺陷。
一种多晶沉积方法及其应用

[发明专利]一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备-CN202111282798.X有效
发明人：贺晓彬;李亭亭;刘金彪;唐波;杨涛;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种用于形成倒T形结构的电子束曝光方法、装置及电子设备，涉及半导体纳米加工技术领域。所述用于形成倒T形结构的电子束曝光方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层中的第一版图进行电子束曝光；在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；将所述第二光刻胶层中的第二版图进行通过电子束曝光；对所述第一版图和所述第二版图进行显影处理，在所述衬底上形成目标光刻胶图形，其中，目标光刻胶图形具有倒T形结构。使得本申请所制备得到的T形结构的底部角度较大，可以保证在溅射工艺过程中金属薄膜不能沉积在光刻胶侧壁，进一步保证了光刻胶可以完全剥离干净。
一种用于形成结构电子束曝光方法装置电子设备

[发明专利]半导体结构及制备方法-CN202010280451.0有效
发明人：崔锺武;金成基;熊文娟;蒋浩杰;李亭亭 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构，包括：半导体衬底，于所述半导体衬底中设置第一沟槽以及第二沟槽；所述第二沟槽设置于第一沟槽之间；栅叠层结构，填充于所述第一沟槽的下部；沟槽隔离结构，设置于所述第二沟槽内，且所述沟槽隔离结构包括空气隙。由于空气的介电常数较小，这样所述空气隙可以使所述沟槽隔离结构的介电常数减小，从而降低相邻字线的耦合作用，达到降低了相邻的有源区之间的行锤击效应，提高了半导体器件的可靠性。
半导体结构制备方法

[实用新型]一种水污染防治用离心过滤装置-CN202222377084.3有效
发明人：张强;王大鹏;李亭亭;劳德坤 -专利权人：北京海悦金宏环保科技有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B01D33/11 文献下载
摘要：本实用新型属于污染防治技术领域，尤其为一种水污染防治用离心过滤装置，包括外箱体，所述外箱体内部开设有外流出孔，所述外箱体顶端开设有外流入孔，所述外箱体内侧转动连接有内箱体，所述内箱体内部开设有内流出孔和内流入孔，所述外箱体顶端卡合连接有内侧连动块和外侧连动环，所述内侧连动块内部转动连接有内侧过滤网，所述外侧连动环内部转动连接有外侧过滤网，所述内侧连动块和所述外侧连动环顶端均固定连接有提拉把手；通过内侧连动块和外侧连动环的配合使工作人员单独拿起内侧过滤网或外侧过滤网清理时仍可以继续进行过滤工作，且通过内侧过滤网和外侧过滤网的配合可以起到双重过滤的作用，从而使得过滤的效果可以得到保障。
一种水污染防治离心过滤装置

[发明专利]一种原子层沉积设备、方法以及半导体制造系统-CN202111029417.7在审
发明人：李殷廷;金东盱;项金娟;刘青;李亭亭;杨帅 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种原子层沉积设备、方法以及半导体制造系统，涉及半导体器件技术领域，以提供一种可以在对晶圆进行膜层沉积时，使晶圆表面各个区域的膜层厚度相同的原子层沉积设备。该原子层沉积设备，包括处理腔室、喷嘴组件、厚度检测器以及与喷嘴组件和膜层厚度检测器通信的处理器。喷嘴组件位于处理腔室内，与沉积气体源连通，且喷嘴组件与处理腔室内的晶圆相对设置。厚度检测器用于检测晶圆不同区域沉积的膜层厚度，并将晶圆不同区域沉积的膜层厚度发送给控制器。控制器用于根据晶圆不同区域沉积的膜层厚度，控制喷嘴组件向晶圆的不同区域提供不同流量的沉积气体。
一种原子沉积设备方法以及半导体制造系统