专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于AlBN铁电材料的深紫外探测器及制备方法-CN202310951204.2在审
  • 苏杰;肖正懋;陈子龙;常晶晶;林珍华;张进成;郝跃 - 西安电子科技大学
  • 2023-07-31 - 2023-10-27 - H01L31/0304
  • 本发明提供了一种基于AlBN铁电材料的深紫外探测器及制备方法,主要解决现有探测器材料带隙不够宽、暗电流较大导致器件性能不佳的问题。结构从下至上包括Al2O3衬底以及依次生长沉积的W底电极、AlBN光吸收层、SiO2介电层和HfO2紫外阻挡层,在光吸收层上的Ni顶电极,且Ni顶电极与SiO2介电层和HfO2紫外阻挡层之间被Ti/Au接触垫隔开;AlBN光吸收层和顶电极与底电极形成欧姆接触。本发明利用AlBN材料的宽带隙、强极化特性以及铁电特性的优势,通过调控铁电极化方向和外加偏压实现对探测器性能的调节;在深紫外光照下能够有效地分离和传输光生电子和空穴,且制备方法简单可行,具备广阔的应用前景。
  • 基于albn材料深紫探测器制备方法

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