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[发明专利]降低外延层破碎几率的金刚石基氮化镓晶圆的制备方法-CN202310581159.6在审
发明人：苏凯;王晗雪;张金风;任泽阳;张雅超;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低外延层破碎几率的金刚石基氮化镓晶圆的制备方法，包括：在所述第一衬底层上制备氮化物外延层；采用光刻和干法刻蚀工艺从所述氮化物外延层的上表面刻蚀至所述第一衬底层的上表面，以形成若干个阵列排布的氮化物外延子层；采用晶圆键合方法将包含氮化物外延子层的晶圆上表面与第二衬底层通过第一键合层进行键合，得到第一键合片；去除所述第一键合片中的第一衬底层，暴露出所述氮化物外延子层的成核层或者缓冲层，得到第二键合片；将氮化物外延子层的下表面与金刚石衬底层进行晶圆键合，得到第三键合片；去除第二衬底层和第一键合层，得到金刚石基氮化镓晶圆。本发明降低在后续衬底剥离工艺中导致的氮化物外延层薄膜龟裂和破损几率，可有效提高金刚石基GaN晶圆的良品率。
降低外延破碎几率金刚石氮化镓晶圆制备方法

[发明专利]一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管及其制备方法-CN202311130773.7在审
发明人：张春福;刘丁赫;张泽雨林;赵胜雷;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管，包括：异质衬底、N+氧化镓层、阴极、N‑氧化镓层、P型氧化镍层和阳极。本发明为实现高热导率异质衬底支撑的氧化镓器件采用准垂直结构，极大地降低了器件热阻，提高散热能力，有效地提高了器件的使用可靠性。此外，本发明引入P型氧化镍形成异质PN结，解决了氧化镓P型掺杂难的问题。本发明还提供一种基于异质衬底准垂直结构氧化镓二极管的制备方法，采用异质集成方法将高热导率异质衬底与氧化镓结合，实现热场、电场、结构力场等多物理场耦合，提供了缓解氧化镓基器件严重自热效应的改良方案，有利于发展适用于高电压高功率低热阻的氧化镓基电力电子器件。
一种基于衬底垂直结构氧化二极管及其制备方法

[发明专利]基于直流偏压调控的氧化物忆阻器的制备方法-CN202310971397.8在审
发明人：马海蛟;王磊;朱江;王钥绮;张越影;刘绍烜;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于直流偏压调控的氧化物忆阻器的制备方法，实现步骤为：生成底电极；基于物理气相沉积和直流偏压在底电极上沉积氧化物功能层；获取制备结果。本发明通过设置放置衬底的载物台所加载的直流偏压的压值，并采用物理气相沉积在底电极上形成氧化物功能层，能够提高底电极表面金属氧化物中金属元素与氧元素的比例，在保证功能层内具有较高的氧空位缺陷浓度的前提下，避免了现有技术功能层的金属氧化物中包含的掺杂成分在高温处理过程中所存在的扩散问题而使忆阻器特性退化的缺陷，一方面能够实现与CMOS集成电路制造工序中的后端高温处理工艺较好的兼容，同时能够提升CMOS集成电路的性能。
基于直流偏压调控氧化物忆阻器制备方法

[发明专利]一种AlBN基铁电隧道结器件及其制备方法-CN202310951315.3在审
发明人：苏杰;肖正懋;陈子龙;常晶晶;林珍华;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlBN基铁电隧道结器件及其制备方法，主要解决现有器件无法平衡存储性能以及进行非破坏性读取，导致器件性能不佳的问题。主要结构为金属/铁电/绝缘体/半导体叠层结构，从下至上包括重掺杂P型Si衬底以及依次生长沉积的SiO2绝缘层、AlBN铁电层和钛/金顶电极；其中AlBN铁电层为厚度小于5nm的AlBN薄膜，钛/金顶电极是钛层位于金层下的两层结构，钛层直接接触AlBN铁电层。本发明利用AlBN材料的高极化强度和铁电特性的优势调节肖特基势垒形成高阻态和低阻态，能够进一步压缩器件尺寸，并提升存储性能和可擦写次数，在铁电隧道结存储器方面具备广阔的应用前景。
一种 albn 基铁电隧道器件及其制备方法

[发明专利]一种多层功能导流式防护结构-CN202210724634.6有效
发明人：李高伟;卢嘉伟;王显会;孙晓旺;彭兵;张进成;皮大伟;王洪亮 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： F41H7/04 文献下载
摘要：本发明为一种多层功能导流式防护结构。包括面板，背板，功能层和功能层固定结构；面板和背板之间形成空间，功能层通过功能层固定结构固定在面板和背板形成的空间内，面板底面上设有多列平行设置的小孔；功能层包括气体导流板，聚氨酯泡沫和蜂窝板；气体导流板设有多个平行设置的长通孔，长通孔的位置和尺寸与面板上的每一列小孔分别对应，长通孔的下侧壁上设有多个分别与面板底面上的小孔相连通的短通孔。本发明将气体导流结构与“三明治”防雷组件结合，在拥有优异的抗爆炸冲击能力的同时可将炸药在爆轰阶段产生的高温高压气体有效地引导至车体两侧非薄弱空间，极大降低爆轰产物对军用车辆底部的损伤，并有助于加快车体在受冲击后的内能耗散。
一种多层功能导流防护结构

[发明专利]一种基于掺杂Al1-x-CN202310713333.8在审
发明人：常晶晶;刘瑜;林珍华;袁海东;郭兴;苏杰;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于掺杂Al1‑xScxN的铁电调控场效应晶体管及其制备方法，铁电调控场效应晶体管包括：自下而上依次设置的衬底层、种子层、第一铁电层、第一介质层、沟道层、第二介质层、第二铁电层和栅电极；源电极与漏电极，源电极与漏电极分别设置于沟道层两侧以及部分沟道层的上表面；第二介质层覆盖在沟道层上表面、部分源电极和部分漏电极的上表面；第一铁电层为Sc掺杂浓度为35％～40％的Al1‑xScxN；第二铁电层为HZO。本发明提供的铁电调控场效应晶体管作为存储器件的存储性能好，内存窗口大，在存在外部干扰的情况下数据的可靠性以及稳定性更胜一筹，同时其制备方法能与现有CMOS工艺兼容，降低了生产成本。
一种基于掺杂 al base sub

[发明专利]一种具有缓冲层的氧化镓/氧化镍梯度异质结日盲紫外探测器及其制备方法-CN202310846265.2在审
发明人：苏杰;陈子龙;张孜鑫;常晶晶;林珍华;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有缓冲层的氧化镓/氧化镍梯度异质结日盲紫外探测器及其制备方法，主要解决现有技术中界面能级不匹配、界面载流子复合严重的问题。包括：1)选用衬底并对其进行预处理；2)在预处理后的衬底上通过MOCVD生长氧化镓感光层；3)采用射频磁控溅射技术在氧化镓感光层上生长得到BaSnO3缓冲层；4)采用ALD技术在缓冲层上沉积多层的梯度氧化镍层；5)在氧化镓感光层上部的一端制备源电极，在梯度氧化镍层上部与金属源电极相对的一端制备漏电极，得到自下而上包括衬底、氧化镓感光层、缓冲层、梯度氧化镍层及源漏电极的探测器。本发明能够有效减少界面载流子复合，降低界面接触电阻，提高探测器的响应速度与性能。
一种具有缓冲氧化梯度异质结日盲紫外探测器及其制备方法

[发明专利]有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池及制备方法-CN202210214450.5在审
发明人：陈大正;郭其睿;张春福;朱卫东;习鹤;何逸冰;白倩玉;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池及制备方法，有机/钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池包括依次层叠的透明电极层、第一传输层、有机/钙钛矿三元混合吸光层、第二传输层和金属电极层，其中，所述有机/钙钛矿三元混合吸光层采用有机吸光材料和钙钛矿吸光材料混合的体异质结结构。该薄膜太阳电池中，有机/钙钛矿三元混合吸光层采用有机吸光材料和钙钛矿吸光材料结合三元体系，提升了太阳电池有源层对太阳光谱600～800nm波长内光子的利用效率，从而增加了吸光层的吸光范围和吸光强度，避免了纯有机光伏器件的波段跳跃性吸光，提升了太阳光谱利用率，提高了器件光电转换效率，可用于高效、低成本光伏发电。
有机钙钛矿三元混合体异质结薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]一种高载流子浓度重掺杂氧化镓外延薄膜的生长方法-CN202310794544.9在审
发明人：冯倩;李佳乐;王垚;田旭升;李文吉;张雅超;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高载流子浓度重掺杂氧化镓外延薄膜的生长方法，主要解决现有重掺杂外延薄膜衬底使用成本高、缺陷密度高及载流子浓度低的问题。其实现方案为：选取蓝宝石衬底并进行清洗；将清洗好的衬底放入MOCVD的反应腔内进行预处理；通过改变反应室的温度、压强和反应源的比值，以在衬底上依次生长两层不同机理的缓冲层；再以GeH4为掺杂剂和催化剂，利用脉冲MOCVD法在第二缓冲层上外延浓度为1019cm‑3‑1020cm‑3的Ge重掺杂β‑Ga2O3薄膜，并对其进行退火处理，完成外延薄膜的制备。本发明降低了外延薄膜的缺陷密度和衬底使用成本，提高了载流子浓度，可用于功率器件和开关器件的制备。
一种载流子浓度掺杂氧化外延薄膜生长方法

[发明专利]一种0D-3D混合维度全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法-CN202310670694.9在审
发明人：朱卫东;巴延双;张春福;习鹤;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种0D‑3D混合维度全无机钙钛矿光电探测器及其制备方法，该制备方法包括：选取带有FTO电极阴极的玻璃衬底并进行预处理；在FTO电极阴极上制备TiO2电子传输层；在TiO2电子传输层上旋涂卤化铅与卤化铯的混合溶液形成第一薄膜；在第一薄膜上旋涂卤化铯水溶液，以将第一薄膜转化成为0D‑3D钙钛矿薄膜，形成0D‑3D钙钛矿光活性层；在0D‑3D钙钛矿光活性层上沉积碳电极，获得0D‑3D混合维度全无机钙钛矿光电探测器。该方法在3D钙钛矿中引入了0D钙钛矿，0D钙钛矿有助于抑制3D钙钛矿在高温条件下的晶格膨胀，使得依照此方法制备的光电探测器不仅能够在高温下稳定工作，而且制备工艺简单、成本较低。
一种混合维度无机钙钛矿光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种可溃缩式车辆底部爆炸防护单向阻尼器-CN202210212034.1有效
发明人：孙晓旺;石小青;王显会;彭兵;张进成;李高伟;皮大伟;王洪亮;王尔烈;王霞 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： F16F7/00 文献下载
摘要：本发明为一种可溃缩式车辆底部爆炸防护单向阻尼器。包括与车身连接的车身承接装置，与车身底部的防护组件连接的防护组件承接装置，厚度从下到上先不变后逐渐增大的锥形环状卡锥和溃缩环；防护组件承接装置主体设置在车身承接装置主体的内部，且两者之间形成斜向轨道，防护组件承接装置上部和车身承接装置之间设有溃缩环；爆炸瞬间防护组件的运动速度高于车身，剪切销剪断，溃缩环溃缩的同时卡锥卡入斜向轨道并卡死；爆炸传递至车身，车身的运动速度高于底部防护组件，车身带动防护组件运动，车身等效质量增加。本发明降低了第一阶段中的车身与乘员的加速度，对乘员进行了有效防护，且实现了第二阶段对乘员的有效防护。
一种可溃缩式车辆底部爆炸防护单向阻尼

[发明专利]一种应对冲击的车辆座椅悬架阻尼器-CN202210608045.1有效
发明人：王显会;季劼;孙晓旺;彭兵;张进成;李高伟;皮大伟;王洪亮;王尔烈 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： F16F9/06 文献下载
摘要：本发明为一种应对冲击的车辆座椅悬架阻尼器。包括气缸，液压缸，液压缸包括内部和外部液压缸，内部液压缸和外部液压缸之间的液体连通，内部液压缸的上、下两端分别设有上活塞、下活塞，气缸上端外部和座椅底部连接，下活塞的活塞头在内部液压缸内腔内往复运动，下活塞的活塞杆穿过气缸的下部空腔之后和安装座椅的车辆地板连接；在受到冲击时，将冲击动力转化为液体的动能，且外部液压缸可在气缸内部运动。本发明使用了可发生相对运动的气缸和液缸，实现冲击力的传递的隔断；活塞的力通过液缸内的液体传递到液缸，气室提供了一层缓冲隔断的空间；气室内的气体被压缩蓄能，之后气体积蓄的能量会转换为液缸内液体的流动，实现了能量的吸收。
一种应对冲击车辆座椅悬架阻尼

[发明专利]基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池-CN202010697623.4有效
发明人：许晟瑞;高源;吴浩洋;张雅超;陈大正;李培咸;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池及制备方法，主要解决现有太阳能电池光电转换效率低的问题。其包括电极及自下而上的衬底层、AlN成核层、i‑GaN层、InxAl1‑xN层、n型InyGa1‑yN层、InzGa1‑zN/GaN多量子阱层、p型GaN层和ScuAl1‑uN层。除衬底外各层均采用N极性材料，以在N极性下，分别在InxAl1‑xN层与n型InyGa1‑yN层和ScuAl1‑uN层与p型GaN层间产生强极化电场，这两种电场与太阳能电池内建电场的方向相同，能增强载流子的漂移能力，增大光生电流，提高太阳能电池的效率，可用于航空航天设备。
基于 scaln inaln 极化插入增强电场极性 ingan 太阳能电池

[发明专利]对称微分负阻特性的氮化物共振隧穿二极管及制作方法-CN202310465347.2在审
发明人：薛军帅;袁金渊;李泽辉;吴冠霖;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种对称微分负阻特性的氮化物共振隧穿二极管，主要解决现有无极化氮化镓共振隧穿二极管可靠性和一致性差、峰值谷值电流比低的问题。其自下而上包括衬底、发射极欧姆接触层、底部共振隧穿二极管、并联层、顶部共振隧穿二极管、集电极欧姆接触层和集电极，并联层上设有栅极，发射极欧姆接触层上设有发射极。底部和顶部共振隧穿二极管通过外延生长实现，集电极和发射极互联，与栅极形成并联结构。栅极偏压为正时，底部共振隧穿二极管导通出现微分负阻效应而顶部共振隧穿二极管截止；栅极偏压为负时，顶部共振隧穿二极管导通出现微分负阻效应而底部共振隧穿二极管截止。本发明的微分负阻特性对称，性能一致性高，可用于高速数字电路。
对称微分特性氮化物共振二极管制作方法

[发明专利]一种基于AlScN的增强型GaN HEMT器件及其制备方法-CN202310501530.3在审
发明人：常晶晶;师小鸥;魏葳;林珍华;袁海东;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于AlScN的增强型GaN HEMT器件及其制备方法，GaN HEMT器件包括：衬底层、成核过渡层、GaN缓冲层、GaN沟道层、Al1‑xScxN势垒层、Al1‑yScyN帽层、源极、漏极和栅极，衬底层、成核过渡层、GaN缓冲层、GaN沟道层、Al1‑xScxN势垒层依次层叠，15％≤x≤25％；Al1‑yScyN帽层、源极和漏极均位于Al1‑xScxN势垒层上，Al1‑yScyN帽层位于源极和漏极之间，y＞30％；源极和漏极相互分离且对称分布；栅极位于源极和漏极之间。该器件两种不同Sc掺杂浓度的AlScN薄膜在界面处晶格匹配度较好，既可通过压电极化特性使异质结处产生更高浓度的2DEG，增加HEMT器件的漏极电流，又能通过铁电极化对HEMT进行非易失性调控，使阈值电压从负值变为正值，实现增强型HEMT器件，同时减小了漏极电流崩塌，显著提升了器件的电学性能。
一种基于 alscn 增强 gan hemt 器件及其制备方法