专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体在胶带上的排列方法-CN202210169784.5在审
  • 邓三军 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2022-02-23 - 2023-09-01 - H01L21/683
  • 本发明公开了一种半导体在胶带上的排列方法,包括:将预设的胶带粘贴在托盘的两侧;通过机械设备产生的推力,将若干个半导体推动至托盘上,使得若干个半导体的两端分别粘贴在托盘两侧的胶带上,并且整齐排列在胶带上;对胶带进行第一次加热处理,以增加粘贴效果;在半导体加工工序结束后,对胶带进行第二次加热处理,使得半导体与胶带分离。采用本发明的技术方案能够使半导体均匀排列在胶带上,并且减少半导体边缘的损伤和污染。
  • 一种半导体胶带排列方法
  • [发明专利]一种半导体辅助元件的制作方法和半导体辅助元件-CN201810930424.6有效
  • 陈儒 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2018-08-15 - 2023-09-01 - H01L21/324
  • 本发明公开了一种半导体辅助元件的制作方法,包括:获取若干个半导体辅助元件,对每一所述半导体辅助元件进行开槽,从而在所述半导体辅助元件的表面上形成若干个特定尺寸的应力释放槽;根据沉积法对所述应力释放槽填充应力释放材料,以使所述应力释放材料填满所述应力释放槽,形成应力释放层;在预设时间内对填充应力释放材料后的所述半导体辅助元件进行退火操作,以使所述应力释放层受热而流变,从而释放所述半导体辅助元件中的内应力;其中,所述退火操作的温度大于600℃。本发明实施例还公开了一种半导体辅助元件。采用本发明实施例,能有效减少辅助元件的内应力。
  • 一种半导体辅助元件制作方法
  • [发明专利]芯片的加工方法-CN202210083447.4在审
  • 何小麟 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2022-01-25 - 2023-08-04 - C23C14/34
  • 本发明公开了一种芯片的加工方法,包括:对芯片进行等离子清洗,得到清洗后的芯片;使用第一镀膜材料在所述清洗后的芯片上形成预镀层,得到预镀后的芯片;其中,所述第一镀膜材料为硅或钛;使用第二镀膜材料在所述预镀后的芯片上形成镀膜层,得到镀膜后的芯片;其中,所述第二镀膜材料为二氧化硅、二氧化钛、氧化铝中的一种或多种。采用本发明实施例,能够在芯片表面形成导热性良好的镀膜层,制造成本低,且对芯片整体厚度的影响较低。
  • 芯片加工方法
  • [发明专利]半导体的切割方法-CN202210084391.4在审
  • 杨圣合 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2022-01-25 - 2023-08-04 - H01L21/268
  • 本发明公开了一种半导体的切割方法,包括:将半导体固定在UV胶带的粘性层上;控制激光器对所述半导体的切割道进行激光束照射,以将所述半导体分离成多个单元;控制紫外线灯对所述UV胶带照射第一预设时间,以使所述粘性层减粘;将所述多个单元与所述UV胶带分离。采用本发明实施例,能够减少半导体的边缘崩裂以及因应力过大引起的受力变型的现象发生。
  • 半导体切割方法
  • [发明专利]一种表面镀膜的塑料胶管及其表面镀膜的方法-CN202210071383.6在审
  • 刘尖华 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2022-01-21 - 2023-08-01 - C23C16/26
  • 本发明公开了一种表面镀膜的塑料胶管及其表面镀膜的方法。本发明所述表面镀膜的塑料胶管包括塑料胶管、沉积在塑料胶管内表面的Ti/DLC复合膜以及沉积在塑料胶管外表面的DLC膜。本发明一方面通过在塑料胶管的内表面沉积Ti/DLC复合膜,利用Ti/DLC复合膜表面光滑,液体锡不易附着在其表面,容易清洗,而且Ti/DLC复合膜具有耐高的优势,延长塑料胶管的使用寿命。另一方面,通过在塑料胶管外内表面沉积DLC复合膜,加快外表面的散热性能,延长其使用寿命。因此,本发明所述表面镀膜的塑料胶管相比未镀膜前的塑料胶管的使用寿命由1个月提升到1年。
  • 一种表面镀膜塑料胶管及其方法
  • [发明专利]一种硅片的减薄方法-CN202210069685.X在审
  • 张涛杰 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2022-01-21 - 2023-08-01 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种硅片的减薄方法,包括:使用去离子水对待减薄的硅片进行预清洗处理;将抗酸膜粘贴在预清洗后的硅片的第一表面,所述第一表面为硅片的无需减薄的表面;对预清洗后的硅片的第二表面进行研磨,并在研磨的同时向所述第二表面喷洒酸性腐蚀液,所述第二表面为硅片的需要减薄的表面;对研磨后的硅片进行清洗处理。采用本发明的技术方案能够保证硅片厚度减薄的均一性,使得硅片表面平整,并且有效减少硅片表面的凹陷,优化使用效果。
  • 一种硅片方法
  • [发明专利]一种显示屏的粘接方法-CN202210076882.4在审
  • 何小麟 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2022-01-24 - 2023-08-01 - C09J5/02
  • 本发明公开了一种显示屏的粘接方法,包括:提供待粘接的显示屏、粘接载体和胶粘剂;对所述显示屏的第一待粘接表面和所述粘接载体的第二待粘接表面进行清洁处理;在清洁后的第一待粘接表面和第二待粘接表面上涂覆所述胶粘剂;将涂覆后的第一待粘接表面和第二待粘接表面接合在一起;对接合在一起的第一待粘接表面和第二待粘接表面进行固化处理。采用本发明的技术方案能够实现显示屏与粘接载体之间的粘接,不仅具有良好的粘接效果,而且成本较低,返修时容易去除。
  • 一种显示屏方法
  • [发明专利]半导体的离子溅射方法-CN202210080206.4在审
  • 冯明章 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2022-01-24 - 2023-08-01 - C23C14/34
  • 本发明公开了一种半导体的离子溅射方法,包括:将半导体放置于离子溅射仪的样品台上;向所述离子溅射仪的真空腔内通入工作气体,使得所述真空腔达到预设真空度;将所述离子溅射仪的靶台的方向调整至与所述离子溅射仪的离子源的离子束发射方向平行;启动所述离子溅射仪;在预设时间后,通入反应气体,将所述靶台的方向调整至工作方向,以对所述半导体进行离子溅射。采用本发明实施例,能有效提高镀层质量。
  • 半导体离子溅射方法
  • [发明专利]散热玻璃的制造方法和散热玻璃-CN202210077207.3在审
  • 何际福 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2022-01-24 - 2023-08-01 - C03C17/34
  • 本发明涉及玻璃技术领域,公开了一种散热玻璃的制造方法和散热玻璃,其中,散热玻璃的制造方法包括:当真空室的真空度达到第一预设真空度时,向真空室中通入氩气和氮气,并以硅为靶材,通过磁控溅射在玻璃基体上溅射氮化硅层,以及,向真空室中通入氩气,并以石墨为靶材,在所述氮化硅层上溅射DLC薄膜层,通过在玻璃表面形成氮化硅层和DLC薄膜层,以达到玻璃表面的散热,从而可以有效解决玻璃防晒的问题。
  • 散热玻璃制造方法
  • [发明专利]半导体的圆弧面形成方法-CN202210081812.8在审
  • 黄海冰 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2022-01-24 - 2023-08-01 - H01L21/304
  • 本发明公开了一种半导体的圆弧面形成方法,包括:将半导体以需要形成弧度的一面朝下放置在工作台上;控制金刚石划线机在所述一面的反面做纵向划线操作,以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的纵向弧度;控制金刚石划线机在所述一面的反面做横向划线操作,以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的横向弧度。采用本发明实施例能够高效地使半导体形成圆弧面。
  • 半导体圆弧形成方法
  • [发明专利]一种激光粘贴方法-CN202210077305.7在审
  • 余周 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2022-01-24 - 2023-08-01 - B23K26/21
  • 本发明涉及粘接技术领域,公开了一种激光粘贴方法,通过将半导体预热至第一温度,预热时间为第一预设时间,再将半导体加热至第二温度,加热时间为第二预设时间,其中,所述第二温度高于所述第一温度,接着,调整半导体至与基板相配合的预贴合位置,并通过激光焊接将所述半导体连接在所述基板上,这样,在激光焊接之前,半导体逐步升温,以避免半导体急速热膨胀造成伤害,从而能够满足半导体粘贴精度要求,同时提高生产合格率。
  • 一种激光粘贴方法
  • [发明专利]一种半导体晶圆的切割方法-CN202210071423.7在审
  • 杨圣合 - 东莞新科技术研究开发有限公司
  • 2022-01-21 - 2023-07-28 - H01L21/304
  • 本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法,包括:对待切割的半导体晶圆进行固定;通过激光装置发出激光,对半导体晶圆的正面进行切割,其中,切割深度为1450~1500μm;采用光刻胶在切割后的半导体晶圆的正面形成掩膜;将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中,通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行湿法刻蚀,其中,所述硅腐蚀液由硝酸、冰乙酸和60%浓度的氢氟酸以5:3:2的比例混合组成;去除刻蚀后的半导体晶圆的正面的光刻胶。采用本发明的技术方案能够有效减少半导体晶圆在切割过程中产生的内应力,从而减少了由于内应力作用而造成的半导体形变。
  • 一种半导体切割方法

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