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- [发明专利]一种减少内应力的晶圆切割方法-CN202210071731.X在审
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李荣军
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2022-01-21
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2023-07-28
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H01L21/683
- 本发明公开了一种减少内应力的晶圆切割方法，包括：对待切割的晶圆进行固定；控制磨轮对晶圆背面的研磨区域进行两次研磨，其中，所述研磨区域小于晶圆背面对应的区域，且不小于晶圆中的半导体芯片对应的区域；采用光刻胶在研磨后的晶圆的正面和背面形成保护膜；去除所述研磨区域内的光刻胶，将晶圆放置在硅腐蚀槽中，通过硅腐蚀液对晶圆的背面进行湿法刻蚀，获得半导体芯片；去除半导体芯片表面的光刻胶；对半导体芯片表面进行清洗及烘干处理。采用本发明的技术方案能够有效减少晶圆在切割过程中产生的内应力，从而减少了由于内应力作用而造成的半导体形变，避免影响半导体的工作性能。
- 一种减少内应力切割方法
- [发明专利]一种工业用蜡的回收方法-CN202210071417.1在审
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何小麟
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2022-01-21
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2023-07-28
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C11B11/00
- 本发明公开了一种工业用蜡的回收方法。本发明所述回收方法包括如下步骤：(1)将收集好的蜡碎块进行粉碎处理，在真空环境中加热，冷却，将上层纯净的蜡取出，只留下底层含有杂质的蜡；(2)将底层含有杂质的蜡溶于有机溶剂中，过滤去除杂质，将滤液降低温度至‑10～0℃，得到固体纯净的蜡；所述有机溶剂为丙醇和二甲苯的混合溶液。本发明首先将工业用蜡进行除水处理，然后利用蜡在丙醇和二甲苯的混合溶液中的溶解度与温度的关系，将蜡冷凝析出，得到干净的蜡。通过本发明所述回收方法回收的工业用蜡纯度高、回收率高。
- 一种工业回收方法
- [发明专利]半导体的加工方法-CN202111622877.0在审
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马阳军
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2021-12-28
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2023-06-30
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B24B37/04
- 本发明公开了一种半导体的加工方法，应用于二氧化硅基体内含有镍铁线圈的半导体元件，包括：将半导体元件放置在第一减薄盘上进行第一次减薄研磨，得到一次减薄后的半导体元件；将一次减薄后的半导体元件放置在第二减薄盘上进行第二次减薄研磨，得到二次减薄后的半导体元件；其中，第二减薄盘上的金刚石颗粒小于第一减薄盘上的金刚石颗粒，第二减薄盘的旋转速度小于第一减薄盘的旋转速度；将二次减薄后的半导体元件放置在第三减薄盘上进行抛光研磨，得到减薄抛光后的半导体元件；其中，第三减薄盘上的金刚石颗粒小于第二减薄盘上的金刚石颗粒，第三减薄盘的旋转速度小于第二减薄盘的旋转速度。采用本发明实施例能够满足精磨抛光的技术要求。
- 半导体加工方法
- [发明专利]半导体晶圆的切割方法-CN202111622275.5在审
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黄平尧
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2021-12-28
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2023-06-30
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H01L21/78
- 本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括：将半导体晶圆固定在旋转台上，并控制所述旋转台旋转；控制涂胶装置的喷嘴在所述半导体晶圆的中心处喷涂UV胶水；其中，喷涂的时间为第一预设时间；控制所述喷嘴在所述半导体晶圆的两侧之间来回喷涂UV胶水；其中，喷涂的时间为第二预设时间；用紫外灯固化所述半导体晶圆表面的UV胶水；固化完成后对所述半导体晶圆进行切割，得到若干个半导体单元；用所述紫外线灯对若干个所述半导体单元进行曝光，并将若干个所述半导体单元的表面与UV胶水分离。采用本发明实施例，能够在半导体晶圆的切割过程中对半导体晶圆形成保护，以避免半导体晶圆被划伤，提高了良品率。
- 半导体切割方法
- [发明专利]半导体的切割方法-CN202111622811.1在审
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张涛杰
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2021-12-28
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2023-06-30
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B28D5/02
- 本发明公开了一种半导体的切割方法，包括：在切割载具的承载部上涂覆UV胶；其中，所述切割载具的表面上平行分布有多个凹槽，所述承载部为每两个所述凹槽之间的表面部分；将半导体粘接到所述切割载具上，并进行固化；其中，所述半导体的单元部分与所述承载部对准，所述半导体的切割道部分与所述凹槽对准；将粘接有所述半导体的所述切割载具放置到切割装置中；通过所述切割装置将所述半导体切割为若干个半导体单元；切割完成后，用紫外线灯照射所述切割载具，使若干个所述半导体单元与所述切割载具分离。采用本发明实施例，能够减少切割崩裂的情况发生，从而提高半导体加工良品率。
- 半导体切割方法
- [发明专利]一种半导体晶圆的切割方法-CN202111590396.6在审
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张俊群
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2021-12-23
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2023-06-27
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B28D5/02
- 本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括：将待切割的半导体晶圆粘接在切割机台上；控制刀片对半导体晶圆的正面进行切割，其中，切割深度为450μm～500μm；采用光刻胶在切割后的半导体晶圆的正面形成掩膜；将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中，通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行湿法刻蚀，其中，所述硅腐蚀液由硝酸、冰乙酸和60％浓度的氢氟酸以5:3:2的比例混合组成；去除刻蚀后的半导体晶圆的正面的光刻胶。采用本发明的技术方案能够有效减少半导体晶圆在切割过程中产生的内应力，从而减少了由于内应力作用而造成的半导体形变。
- 一种半导体切割方法
- [发明专利]一种悬臂件的处理方法-CN202111593139.8在审
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李万品
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2021-12-23
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2023-06-27
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C23C14/14
- 本发明涉及机械加工技术领域，公开了一种悬臂件的处理方法，通过在真空室中，在悬臂件上沉积Si过渡层，并以石墨靶和Si靶为靶材，在沉积Si过渡层后的悬臂件上沉积SiC缓冲层，最后向真空室中通入氩气和甲烷，并以石墨靶为靶材，在沉积SiC缓冲层后的悬臂件上沉积DLC层，这样，DLC层的内应力能够通过Si过渡层、SiC缓冲层过渡缓冲得到释放，从而减小DLC层的内应力，进而改善悬臂件的应力情况，同时增强了悬臂件与DLC层的结合力，以及各个膜层之间的结合力，制得的DLC层均匀性好、表面平整。
- 一种悬臂处理方法
- [发明专利]一种悬臂件的钻孔方法-CN202111590384.3在审
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张俊群
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2021-12-23
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2023-06-27
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B23B35/00
- 本发明公开了一种悬臂件的钻孔方法，包括：在待钻孔的悬臂件的表面上涂覆菲林；将掩模覆盖在悬臂件的表面，其中，所述掩模上的图形区域的大小与悬臂件表面上的通孔区域的大小相同，所述图形区域的位置与所述通孔区域的位置相对应；对所述通孔区域进行曝光和显影，以去除所述通孔区域内的菲林；将悬臂件放置在真空室内，对悬臂件的表面进行离子刻蚀，以在所述通孔区域形成通孔，其中，所述真空室内的压强为20mtorr～25mtorr，温度为20℃～25℃；去除刻蚀后的悬臂件表面的菲林。采用本发明的技术方案能够有效避免在钻孔过程中产生金属毛刺，并且有效防止悬臂件发生型变。
- 一种悬臂钻孔方法
- [发明专利]一种悬臂件-CN202111589287.2在审
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宿志影
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2021-12-23
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2023-06-27
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G11B5/48
- 本发明涉及机械加工技术领域，公开了一种悬臂件，其包括悬臂件本体、第一过渡层、第二过渡层、第三过渡层和DLC层，所述悬臂件本体、所述第一过渡层、所述第二过渡层、所述第三过渡层和所述DLC层依次层叠，所述第一过渡层的材质包括Cr和Ti；所述第二过渡层的材质为Ti；所述第三过渡层的材质包括DLC和Ti，通过设置DLC层，以提高悬臂件的耐磨性，而设置所述第一过渡层、所述第二过渡层和所述第三过渡层，能够有效提高所述DLC层与所述悬臂件之间的结合力，以避免悬臂件在硬盘驱动器工作中因磨损产生金属残渣，从而提高了硬盘驱动器的使用寿命。
- 一种悬臂
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