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[发明专利]一种半导体清洗方法-CN201811243528.6在审
发明人：万知武 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体清洗方法，包括：将半导体放入NMP溶液中进行脱胶操作，以去除所述半导体表面上的胶质物体；对进行脱胶操作后的所述半导体进行清洗操作；其中，所述清洗操作包括：在第一预设温度下将所述半导体放入去离子水中漂洗第一预设时间；在第二预设温度下将所述半导体置于乙醇溶液中浸泡第二预设时间；对进行清洗操作后的所述半导体进行干燥。采用本发明实施例，能有效清除半导体上的残留物。
一种半导体清洗方法

[发明专利]过滤膜的清洗方法-CN201510641871.6有效
发明人：何坤一 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B01D65/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种过滤膜清洗的方法，包括步骤：S1、提供一反向水泵，对过滤膜进行反冲洗；S2、将氯浓度为5mg/L～15mg/L的氯水对过滤膜进行冲洗；S3、将冲洗后的过滤膜取出并沥干，放置于温度为120度的干燥箱内干燥；S4、将过滤膜放置于坩埚炉中，以500度的温度加热2‑3分钟；S5、使用气枪吹喷过滤膜；S6、将过滤膜放置于氢氧化钠溶液中浸泡24小时；S7、取出过滤膜，用清水清洗后放置于浓度为1.5％的次氯酸钠中浸泡1小时；S8、用盐水对过滤膜进行清洗后置于干燥箱内干燥1小时；S9、将过滤膜置于非氧化性杀菌剂溶液中进行浸泡；S10、取出过滤膜并置于温度为120度的干燥箱内干燥3小时。
滤膜清洗方法

[发明专利]金属表面的清洗方法及用于金属表面的清洗液-CN201811104575.2在审
发明人：彭忠华 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C23G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属表面的清洗方法及用于金属表面的清洗液，所述清洗液包含有：硝酸、为非硝酸的无机酸、为柠檬酸的络合剂及为醋酸的有机羧酸；其中，所述无机酸的碱金属盐为磷酸钠。所述清洗方法为应用所述清洗液清洗金属表面。应用本发明提供的所述清洗液与所述清洗方法，能够提高对金属表面的清洗效果，并且可以降低清洗液的消耗量。
金属表面清洗方法用于

[发明专利]一种钢管内壁清洗方法-CN201811113757.6在审
发明人：何小麟 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： C23G1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种钢管内壁清洗方法，包括以下步骤：将高压气体、酸洗液和超声波导入钢管内，其中，所述高压气体以脉冲的方式导入所述钢管内；将碱洗液、第二压缩气体导入所述钢管内；将高温的第一压缩气体喷入所述钢管内。本发明通过合理利用酸洗液与碱洗液之间的化学反应，可以有效地去除钢管内壁氧化皮和油脂污垢，清洗效果好。
一种钢管内壁清洗方法

[发明专利]一种抗磨损玻璃及其制备方法-CN201811092949.3在审
发明人：宿志影 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C03C17/42 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃加工技术领域，公开了一种抗磨损玻璃及其制备方法，其中，抗磨损玻璃的制备方法包括：首先，采用磁控溅射在玻璃基材上形成二氧化硅层，再采用磁控溅射在二氧化硅层形成含氢类金刚石膜，最后在形成含氢类金刚石膜上形成防指纹膜，从而得到抗磨损玻璃，由于含氢类金刚石膜具有较高的硬度和优异的耐磨性能，而且不会影响玻璃的透光性能，因此通过在玻璃基材上设置含氢类金刚石膜，能够在确保玻璃透光性的前提下，避免抗磨损玻璃接触到其他异物时被划伤划花，从而确保了玻璃的耐刮性能和耐磨性能；此外，通过设置防指纹膜能够提高抗磨损玻璃的防指纹性能，此外，二氧化硅层有利于提高含氢类金刚石膜与玻璃基材之间的连接的牢靠性。
一种磨损玻璃及其制备方法

[发明专利]一种过滤网清洗方法-CN201811093685.3在审
发明人：赵喜国 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种过滤网清洗方法，包括：将碱洗液升温至预设温度，并在第一预设时间内将升温后的所述碱洗液冲洗过滤网的正面；其中，所述碱洗液的PH值大于9；用清水冲洗所述过滤网，直至所述过滤网的PH值小于或等于9；用酸洗液对所述过滤网的反面进行冲洗；在第二预设时间内采用漂洗液对所述酸洗液冲洗完后的所述过滤网进行漂洗操作；其中，所述漂洗液的PH值为3～3.5；在第三预设时间内将进行完漂洗操作后的所述过滤网进行浸泡。采用本发明实施例，能有效清洗过滤网上的附着物，获得较好的清洗效果。
一种过滤网清洗方法

[发明专利]集成电路板的清洗方法-CN201811057138.X在审
发明人：张建 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及电路板技术领域，公开了一种集成电路板的清洗方法，首先，利用压缩空气吹除集成电路板表面粘附的灰尘，以使得在后续的清洗工序中能够对集成电路的表面进行充分清洗，再将集成电路板浸泡在第一清洗液中进行超声波清洗，其中，所述第一清洗液包括氯仿和酒精，然后，利用第一纯水将集成电路板进行冲洗，再利用压缩空气吹干集成电路板，接着，利用第二清洗液将集成电路板进行喷淋清洗，其中，所述第二清洗液包括硫酸、双氧水和水；最后，利用第二纯水将集成电路板进行冲洗后烘干，从而得到清洗后的集成电路板，以除去集成电路板表面的颗粒、有机物和金属等污染物，从而确保了集成电路板的表面清洁度。
集成电路板清洗方法

[发明专利]一种轴承的清洗方法-CN201810980113.0在审
发明人：肖宝军 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： C23G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及化学清洗技术领域，公开了一种轴承的清洗方法，首先，对轴承进行表面清理，以除去轴承表面较大的碎屑和粘附的机油等杂污，然后，将轴承放置在第一水槽中进行水洗，其中，第一水槽内装有清洁液，清洁液包括过氧化氢和去离子水；接着，将轴承放置在第二水槽中进行酸洗，其中，第二水槽内装有酸液，酸液包括硝酸、磷酸、碳酸钙、氢氟酸、双氧水和去离子水；再将轴承放置在第三水槽中进行超声波清洗，从而有效地除去轴承上不易清洗的各个死角内的污渍，保证了清洗效果；最后将轴承进行漂洗并烘干，以避免轴承表面留有水渍，从而使得轴承获得一定的干燥度，进而进一步提高轴承的清洗效果。
一种轴承清洗方法

[发明专利]一种工件清洗方法-CN201810901481.1在审
发明人：邓国安 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种工件清洗方法，包括：将工件放入装有清洗液的容器中，在第一预设时间内采用第一预设频率的超声波对所述工件进行预清洗操作；在第二预设时间内用DI水对所述预清洗操作后的所述工件的表面进行喷淋，用工作气体将所述工件的表面吹干，再对所述工件的表面进行预烘干操作；在第三预设时间内采用第二预设频率的超声波对进行所述预烘干操作后的所述工件进行初步清洗操作；在第四预设时间内采用第三预设频率的超声波对进行所述初步清洗操作后的所述工件进行完全清洗操作；对所述进行完全清洗操作后的所述工件进行退火操作；其中，所述退火操作的温度为300～350℃。采用本发明实施例，能够使工件的表面清洁更加彻底，同时大大提高了清洗效率。
一种工件清洗方法

[发明专利]一种硅片的清洗方法及硅片-CN201810907047.4在审
发明人：谢俊华 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，公开了一种硅片的清洗方法，首先，制备酸性清洗剂；接着，将硅片放入酸性清洗剂中浸泡；最后，从酸性清洗剂中取出硅片，将硅片放入去离子水中进行清洗，以完成硅片的清洗。由于该硅片的清洗方法采用酸性清洗剂对硅片进行酸洗，因此易于将硅片上的金属等各种杂质和表面污迹清洗掉，并且确保了不会划伤硅片，从而提高了硅片的使用寿命。此外，由于该硅片的清洗方法易于采用自动化生产作业实现，因此有利于节省硅片的清洗时间和降低硅片的清洗成本。
一种硅片清洗方法

[发明专利]焊盘表面处理方法-CN201610104387.4有效
发明人：王桂福 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C23F17/00 文献下载
摘要：本发明的焊盘表面处理方法，包括：将焊盘置于等离子体反应腔；调节所述等离子体反应腔内的真空度处于第一值；向所述等离子体反应腔通入氧气及氩气以进行第一次辉光放电；调节所述等离子体反应腔内的真空度处于第二值，所述第二值小于第一值；及向所述等离子体反应腔通入氧气及氩气以进行第二次辉光放电。本发明能高效去除焊盘表面的有机污物，保证表面洁净，从而便于后续的钴基金属层的形成并提高产品的工作稳定性。
表面处理方法

[发明专利]气浮导轨的表面处理方法-CN201510980775.4有效
发明人：刘向东 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C23G5/00 文献下载
摘要：本发明的气浮导轨的表面处理方法，包括将气浮导轨置于等离子体反应腔；调节所述等离子体反应腔内的压强至第一值；向所述等离子体反应腔通入氧气及氩气；控制所述等离子体反应腔的阳极射频频率为50～100KHz，阴极射频频率为20～30MHz，以实现第一次辉光放电。本发明能高效清洗气浮导轨表面的有机残留物，从而保证表面光滑洁净，降低摩擦力，以提高工作稳定性及精密度并延长使用寿命。
导轨表面处理方法

[发明专利]一种半导体基材的表面处理方法-CN201810249734.1在审
发明人：郎鑫涛 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体基材的表面处理方法，首先采用超声波对半导体基材进行预清洗，以清除半导体基材表面的污迹，然后采用离子束刻蚀预清洗后的半导体基材，以提高半导体基材表面的清洁度，再采用磁控溅射在刻蚀后的半导体基材上沉积硅过渡层，以提高后续工序中类金刚石膜与半导体基材之间的结合性能，接着在沉积硅过渡层后的半导体基材上沉积类金刚石膜，以获得均匀致密的覆盖层，最后在沉积类金刚石膜后的半导体基材上掺杂氟，以提高半导体基材的疏水疏油性，从而避免水汽、液体、油污等积聚在半导体基材的表面，从而改善半导体的性能。
半导体基材沉积类金刚石膜半导体基材表面硅过渡层预清洗半导体技术领域清洁度离子束刻蚀磁控溅射后续工序结合性能均匀致密污迹超声波覆盖层疏油性水汽刻蚀疏水油污半导体掺杂积聚

[发明专利]一种隔板的处理方法-CN201810249744.5在审
发明人：王世哲 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种隔板的处理方法，通过将硅片连续送入沉积设备的第一反应腔，以使硅片与第一反应腔内的原料气体氨气和硅烷反应，从而在隔板的表面形成致密、均匀的第一氮化硅膜，再通过将硅片连续送入沉积设备的第二反应腔，以使硅片与第二反应腔内的原料气体氨气和硅烷反应，从而在形成第一氮化硅膜后的隔板的表面形成致密、均匀的第二氮化硅膜，以使得在致密、均匀的第一氮化硅膜和第二氮化硅膜的双重保护下，避免隔板在刻蚀半导体工序时被刻蚀，从而提高了隔板的寿命，以避免频繁更换隔板，从而降低成本。
隔板氮化硅膜反应腔硅片致密氨气表面形成沉积设备硅烷反应原料气体送入半导体技术领域刻蚀半导体双重保护刻蚀

[发明专利]半导体表面消除内应力的方法-CN201810155531.6在审
发明人：彭忠华 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的半导体表面消除内应力的方法，包括：将半导体的第一表面粘接在固定板上；在半导体的第二表面覆盖保护膜，所述第二表面与所述第一表面相对；对粘接有所述半导体的所述固定板的背面进行离子刻蚀，其中所述离子刻蚀包括两次不同条件的离子刻蚀工序；以及去除所述第二表面上的所述保护膜。其可将半导体在切割、研磨工艺中产生的变形、内应力消除，从而保证后续工艺的效果。
半导体第二表面离子刻蚀半导体表面第一表面保护膜固定板粘接内应力消除不同条件后续工艺研磨去除背面切割变形覆盖保证