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[发明专利]半导体表面加工方法-CN202011032295.2在审
发明人：陈儒 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，公开了一种半导体表面加工方法，包括：将光刻胶涂覆在半导体表面的非加工区域；将涂胶后的半导体置于处理室中；对所述处理室进行抽真空处理，使得所述处理室的真空度达到预设值；向所述处理室中通入混合气体，并将所述混合气体离子化，以形成离子束；其中，所述混合气体包括惰性气体和碳氢化合物气体；控制所述离子束对所述涂胶后的半导体进行蚀刻处理。采用本发明实施例，能够实现对半导体表面刻蚀的精细化控制，并且减少侧向刻蚀的现象，取得较高的表面加工质量。
半导体表面加工方法

[发明专利]一种基片刻蚀后氮化物的去除方法-CN202011014344.X在审
发明人：邹兴富 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基片刻蚀后氮化物的去除方法，包括：将待处理基片的表面置于脉冲激光器的光焦平面位置；其中，所述待处理基片为刻蚀后的表面产生氮化物的基片；采用所述脉冲激光器对基片表面进行激光扫描处理，以去除基片表面的氮化物；其中，所述脉冲激光器的波长不大于1350nm，平均功率不大于120W，脉冲频率为150KHz～200KHz；清理激光扫描处理后基片表面产生的杂物。采用本发明的技术方案能够有效去除基片刻蚀后产生的氮化物。
一种刻蚀氮化物去除方法

[发明专利]一种硅片不良片的制绒处理方法-CN202010938254.3在审
发明人：杨圣合 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片不良片的制绒处理方法，包括：将刻蚀后的不良片置于紫外灯下照射20min；其中，紫外灯的功率为150W；对预先配置的碱性制绒液进行加热处理；其中，碱性制绒液的加热温度为80℃；将照射后的硅片放置在碱性制绒液中浸泡5min，进行碱制绒处理；对碱制绒后的硅片进行清洗处理。采用本发明的技术方案能够有效减少资源浪费，降低生产成本。
一种硅片不良处理方法

[发明专利]一种氧化铟锡薄膜的制备方法-CN202010938385.1在审
发明人：郎鑫涛 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铟锡薄膜的制备方法，包括：对基片进行预清洗处理，并对清洗后的基片进行烘干处理；其中，所述基片为陶瓷或玻璃；将烘干后的基片放入真空腔内，在真空度为1*10‑6Torr、机台转速为20r/min的条件下，对靶进行预溅射5min，以清洗靶面；其中，靶以铟锡氧化物作为靶材；控制真空腔的温度为120℃～150℃，在真空度为4.5*10‑1Pa～5.5*10‑1Pa、机台转速为20r/min的条件下，向真空腔内通入氩气和氧气，并对氧化铟锡靶材进行溅射，相应形成氧化铟锡薄膜；其中，氩气和氧气的体积比为20:1；在退火温度为300℃的条件下，将获得的镀膜基片退火处理40min。采用本发明的技术方案能够制备出厚度均匀性较好且稳定性较好的ITO薄膜。
一种氧化薄膜制备方法

[发明专利]一种半导体侧面处理方法-CN202010902560.1在审
发明人：胡咏兵 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体侧面处理方法，包括：将待处理的半导体放入反应腔内；控制反应腔的温度稳定在300℃～400℃范围内，并控制反应腔的压力稳定在1.5Torr；向反应腔内通入反应气体硅烷和氨气；采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在半导体的侧面沉积氮化硅，相应形成氮化硅层。采用本发明的技术方案能够对半导体的侧面进行加工处理，减小侧面的粗糙程度对半导体的工作性能产生的影响，从而保证半导体的灵敏度和稳定性。
一种半导体侧面处理方法

[发明专利]一种抗静电塑料的制造方法-CN202010903849.5在审
发明人：卢文胜 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B29C70/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗静电塑料的制造方法，所述抗静电塑料包括塑料基材层；所述方法包括：制备防静电涂料；将所述防静电涂料均匀涂抹在所述塑料基材层的外表面上，相应形成复合层；在所述复合层的内部安装地线；制备短切玻璃纤维；将所述短切玻璃纤维包裹在所述复合层的外表面上，相应形成绝缘层。采用本发明的技术方案能够减少塑料在使用过程中的安全隐患，并且提高产品的抗压强度和耐高温强度，延长产品的使用寿命。
一种抗静电塑料制造方法

[发明专利]半导体改善型变的方法-CN202010903850.8在审
发明人：彭忠华 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，公开了一种半导体改善型变的方法，包括：在半导体的正面涂覆一层光刻胶，并对涂胶后的半导体进行烘烤；使用切割刀片从半导体的背面进行开槽加工；其中，开槽的位置处于每两个元器件单元之间的切割道区域，开槽的宽度小于或等于所述切割道区域的宽度；去除开槽后的半导体上的光刻胶。采用本发明实施例，能够对半导体进行开槽处理，从而使得作用在半导体整体的内应力能被充分释放，取得较好的改善型变效果。
半导体改善方法

[发明专利]卡簧送料装置-CN202010846775.6在审
发明人：邓三军 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种卡簧送料装置包括驱动装置和吸取装置，所述吸取装置与所述驱动装置连接，所述吸取装置包括用于吸取卡簧的真空吸嘴，借由驱动所述驱动装置，以带动所述真空吸嘴将卡簧吸取至预设位置，从而实现卡簧送料，避免了现有技术通过多段式的直线传输时的卡壳问题。
卡簧装置

[发明专利]卡簧自动开启装置-CN202010846829.9在审
发明人：邓三军 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种卡簧自动开启装置，包括固定座、撑开件和驱动杆，所述撑开件连接在所述固定座上，借由驱动所述驱动杆，以带动所述卡簧沿所述驱动杆的轴线方向并朝靠近所述撑开件的方向移动，当所述卡簧移动至所述撑开件时，所述卡簧的开口被撑开，无需手动即可方便地自动打开卡簧，有效提高了作业效率。
卡簧自动开启装置

[发明专利]自动供料装置-CN202010848162.6在审
发明人：陈儒 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： B65G17/12 文献下载
摘要：本发明涉及供料技术领域，公开了一种自动供料装置，包括传输组件、第一限位板、第二限位板和多个传递仓，所述传输组件包括传送带，所述传递仓用于放置物料；所述第一限位板和所述第二限位板分别位于所述传送带的两侧，所述第一限位板和所述第二限位板之间的距离与所述传递仓的宽度相适配，借由驱动所述传送带转动，以带动多个所述传递仓在所述传送带上依次移动至取料位置，使得传递仓能够在移动的过程中保持正确的方向，使得传递仓上的物料到达取料位置时的方位是一致的，便于供料。
自动供料装置

[发明专利]一种半导体表面处理方法-CN202010765273.0在审
发明人：何际福 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体表面处理方法，包括：对半导体表面进行预清洗；将半导体放置于浓度为5％的硫酸溶液中清洗5min；将半导体放置于温度为50℃～60℃的去离子水中漂洗20min～30min，并烘干；将半导体放入真空溅射炉中，采用溅射方式在半导体衬底的表面镀上铝，并在温度为350℃、氮气流量为8.5L/min的条件下进行硅铝合金处理，相应形成第一合金层；抽真空至真空度为9Pa～10‑1Pa，采用50％～60％的电流对半导体进行离子轰击清洗，抽真空至真空度为5*10‑2Pa～5*10‑3Pa，通入氩气，启动镍靶溅射45min～50min完成镀镍，启动锡靶溅射20min～25min完成镀锡，相应形成第二合金层；采用溅射方式在第二合金层的表面镀上金，相应形成导电层。采用本发明的技术方案能够有效防止半导体晶片损坏，提高成品率，并且避免环境污染。
一种半导体表面处理方法

[发明专利]一种晶圆表面加工的方法-CN202010765288.7在审
发明人：龙命潮 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆表面加工的方法，其包括：采用第一目数的砂轮对晶圆的表面进行粗磨，粗磨的深度为预设的第一深度；采用第二目数的砂轮对所述晶圆的表面进行精磨，精磨的深度为预设的第二深度；所述第二深度小于所述第一深度，所述第二目数大于第一目数；用腐蚀液对所述晶圆的表面进行刻蚀，刻蚀的深度为预设的第三深度；所述第三深度小于所述第二深度；所述腐蚀液包括由硝酸、氢氟酸和冰乙酸组成的混酸液。本发明能够在保证晶圆表面光洁度的前提下，用少量的腐蚀液即可对半导体晶圆的表面进行快速刻蚀，能够有效减少晶圆表面加工过程中化学试剂的消耗，并且大大减少晶圆表面加工的作业时间，从而能够大大降低对晶圆表面加工的成本。
一种表面加工方法

[发明专利]基板表面的抛光方法-CN202010765312.7在审
发明人：黄海冰 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，公开了一种基板表面的抛光方法，该方法包括：将基板固定在工艺腔的样品台的基座上；用化学液对所述基板的表面进行处理；其中，所述化学液为溶有二氧化碳气体的氢氟酸溶液；在用化学液对所述基板的表面进行处理的同时，向所述工艺腔通入混合气体；其中，所述混合气体由二氟甲烷、氮气和氧气组成，所述混合气体中的二氟甲烷、氮气和氧气的体积比为16:3:1。采用本发明实施例，能够在保护基板内的铜结构的同时，可有效去除刻蚀后基片表面产生的残余物，具有良好的抛光效果。
表面抛光方法

[发明专利]一种半导体冷却处理方法-CN202010768232.7在审
发明人：李万品 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体冷却处理方法，包括：将热处理炉的外部与真空管连接，且所述真空管外接真空泵；控制所述热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃；将待冷却的半导体放入所述热处理炉中，并通过所述真空泵抽真空，使得所述热处理炉的内部的真空度稳定在‑0.75MPa～‑0.25MPa；将氩气通入所述热处理炉中，并控制所述热处理炉的内部的温度稳定在110℃～130℃，以及控制所述热处理炉的内部的真空度稳定在‑0.01MPa～‑0.05MPa；将所述半导体冷却处理200min～250min。采用本发明的技术方案能够使半导体在无外界压力的情况下进行冷却，从而大大减少半导体冷却时产生的热应力。
一种半导体冷却处理方法

[发明专利]晶圆双面减薄方法-CN202010213142.1在审
发明人：刘尖华 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆双面减薄方法，所述方法包括：将保护胶涂在晶圆的正面，并使所述晶圆的背面裸露；通过研磨装置并用含有第一研磨粉的碱性研磨液对所述晶圆进行粗磨；对所述晶圆进行清洗；通过研磨装置并用含有第二研磨粉的碱性研磨液对所述晶圆进行精磨；对所述晶圆进行清洗，并将所述晶圆的正面的保护胶去除；将所述晶圆放入研磨机中并用第三研磨粉对所述晶圆的正面与背面进行精磨；其中，第三研磨粉的直径小于或等于第二研磨粉，第二研磨粉的直径小于第一研磨粉。本发明能够提高对晶圆减薄的加工的精细度。
双面方法