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[实用新型]激光切割装置-CN202022860193.1有效
发明人：刘清嫦;黄德权;龙春伟 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本实用新型的激光切割装置，用于手机摄像头的弹片加工，包括底板以及安装于底板上的激光器、位于所述激光器之下方的弹片料盘、第一驱动装置及第二驱动装置，所述第一驱动装置与所述激光器连接以驱动所述激光器在Z方向上移动，所述第二驱动装置与所述弹片料盘连接以驱动所述弹片料盘在X方向或Y方向上移动。本实用新型有效提高切割效率、提高生产效率降低生产成本。
激光切割装置

[发明专利]带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂-CN202010211335.3在审
发明人：杨健 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有光刻胶的物件的清洗方法及光刻胶清洗剂，所述清洗方法包括：将带有光刻胶的物件放入到预先配置的光刻胶清洗剂中浸泡；所述光刻清洗剂包括：有机溶剂和腐蚀抑制剂；所述有机溶剂包括聚氧化丙烯三醇、脂肪醇聚氧乙烯醚和环己酮；所述腐蚀抑制剂包括：氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。本发明能够有效清洗掉物件上的光刻胶。
带有光刻物件清洗方法洗剂

[发明专利]过滤网清洗方法-CN202010211349.5在审
发明人：何小麟 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B01D41/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种过滤网清洗方法，所述方法包括：用碱洗液对过滤网进行正向冲洗；所述碱洗液包括除油剂XDA5；用酸洗液对所述过滤网进行反向冲洗；所述酸洗液包括硝酸、草酸、羟基乙酸、羟基亚乙基二膦酸与硫酸化油；用漂洗液对所述过滤网进行漂洗；用次氯酸钠溶液浸泡所述过滤网；用除盐水清洗所述过滤网。本发明能够提高清洗效果并减少过滤网上的化学药剂残留。
过滤网清洗方法

[发明专利]一种ITO薄膜的制备方法-CN202010211521.7在审
发明人：杨圣合 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜加工技术领域，公开了一种ITO薄膜的制备方法，首先对基片进行预清洗，以除去基片的表面脏污及灰尘，再以铟锡氧化物陶瓷靶为靶材进行预溅射，从而清洗靶面，接着保证处理腔的温度加热至100℃～150℃，并在处理腔的真空度为2.5×10‑1Pa～3.5×10‑1Pa的条件下，按照体积比16：0.5通入氩气和氧气，并以铟锡氧化物陶瓷靶为靶材对基片进行溅射，使基片上形成ITO薄膜，从而得到厚度比较均匀的ITO薄膜，由于其均匀性较好，因此容易导走电荷，有利于提高防静电效果。
一种 ito 薄膜制备方法

[发明专利]磁头驱动臂组合及其制造方法以及磁盘驱动器-CN202010211931.1在审
发明人：李宁 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：本发明公开一种用于磁盘驱动器的磁头驱动臂组合，包括一磁头折片组合、与所述磁头折片组合相连的驱动臂、与所述驱动臂相连的音圈塑封件及轴承。所述音圈塑封件上设有轴承安装孔，所述轴承穿过所述音圈塑封件的轴承安装孔，所述轴承与所述轴承安装孔的内壁通过粘结剂粘结而固定轴承于轴承安装孔中。所述驱动臂是单独的元件，所述驱动臂与所述音圈塑封件及所述磁头折片组合分别通过粘结剂粘结连接。本发明解决了现有磁头驱动臂组合的厚度过高以及装配过程中容易对部件造成变形，从而影响性能的问题，还解决了制造工艺复杂，从而使制造成本高的问题。本发明同时还提供了具有所述磁头驱动臂组合的磁盘驱动器以及所述磁头驱动臂组合的制造方法。
磁头驱动组合及其制造方法以及磁盘驱动器

[发明专利]提高研磨盘加工能力的方法-CN202010207755.4在审
发明人：邓三军 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： B24D7/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种提高研磨盘加工能力的方法，首先在研磨盘的一面上加工凹槽，再将所述凹槽的边缘进行锋利度修整，以防止后续研磨过程中对半导体造成伤害，然后将金刚石粉与研磨油混合，并通过碾压混合后的金刚石粉与研磨油，使其平铺在所述研磨盘设有所述凹槽的一面上，并在使用研磨盘进行研磨前将研磨盘进行预热，使得研磨盘的表层变得坚硬，并且金刚石牢固嵌入研磨盘的表面，从而提高研磨盘加工能力，有利于延长研磨盘的寿命。
提高研磨加工能力方法

[发明专利]一种抗静电塑料管及其制备方法-CN202010114807.3在审
发明人：谢俊华 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C09D133/04 文献下载
摘要：本发明涉及管材技术领域，公开了一种抗静电塑料管及其制备方法，将防静电涂料涂在塑料基材层的外侧壁上，以在塑料基材层的外侧壁上形成复合层，并在所述复合层上安装地线，最后在安装地线后的复合层上形成绝缘层，使得塑料基材层、复合层和绝缘层由内向外设置，从而得到抗静电塑料管，其中，该防静电涂料由丙烯酸树脂、水、导电石墨、硅烷偶联剂、分散剂搅拌均匀得到，该防静电涂料涂消除了塑料管在使用过程中累计的静电荷，此外，复合层的外侧包裹的绝缘层能够防止人们接触导电，同时提高所述抗静电塑料管的抗压强度和耐高温性能，从而延长所述抗静电塑料管的使用寿命。
一种抗静电塑料管及其制备方法

[发明专利]半导体元件表面增加粗糙度的方法-CN202010114811.X在审
发明人：刘晓明 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体元件表面增加粗糙度的方法，包括：在半导体元件的不需要蚀刻的表面设置一层保护膜，并使所述半导体元件的需要蚀刻的表面裸露设置；将所述半导体元件放入处理腔室中，并对所述处理腔室进行抽真空以使所述处理腔室内的压强达到预设压强值；将用于半导体元件蚀刻的混合气体离子化而形成离子束，并导入到所述所述处理腔室中对所述半导体元件进行蚀刻；其中，所述混合气体包括：惰性气体和碳氢化合物气体。本发明能够在半导体的需要增加粗糙度的表面较快速且较好地形成需要达到的粗糙度，且不会伤害半导体其他不需要增加粗糙度的部分的表面。
半导体元件表面增加粗糙方法

[发明专利]半导体的处理方法-CN202010100615.7在审
发明人：黄德权 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体的处理方法，首先将半导体放置在反应腔内，并将氨气和硅烷通入所述反应腔，采用等离子体增强化学气相沉积使所述半导体的表面形成氮化硅层，所述氮化硅层的厚度为去除所述半导体的正面和背面上的氮化硅层，而所述半导体的侧面仍然保留氮化硅层，致密的氮化硅层作为保护膜，改善了半导体侧面的粗糙程度，避免了现有的半导体由于切割工序等原因导致侧面粗糙造成掉落残渣的问题，而且不会带来杂质颗粒，保证了半导体元件的质量。
半导体处理方法

[发明专利]虚设半导体元件的可重复使用方法-CN202010106065.X在审
发明人：刘曙 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种虚设半导体元件的可重复使用方法，其包括：将虚设半导体元件放入密闭的腔室中；对所述腔室抽真空；向抽真空后的所述腔室内通入氨气和硅烷，并使所述腔室内的压强达到预设压强值；对所述腔室内加热，使所述腔室内的温度达到预设温度值；待所述虚设半导体元件的外表面形成氮化硅保护膜后，将所述虚设半导体元件从所述腔室内取出。本发明能够让虚设半导体元件可重复使用以降低生产成本。
虚设半导体元件重复使用方法

[发明专利]半导体基材表面去除氟杂质的方法-CN202010107211.0在审
发明人：邹兴富 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体基材表面去除氟杂质的方法，其包括：将待处理的半导体基材放入腔室中；对所述腔室内加热，以使所述腔室内的温度达到预设温度值，并对所述腔室抽真空，以使所述腔室内的压强达到预设的压强值；在所述半导体基材在所述腔室内放置预定时间后，取出所述半导体基材并将其放入碱溶液中浸泡；取出经过碱溶液浸泡的所述半导体基材并对其进行清洗。本发明能够将半导体基材表面的氟杂质有效去除。
半导体基材表面去除杂质方法

[发明专利]半导体应力消除方法-CN202010086131.1在审
发明人：黄海冰 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体应力消除方法，首先在半导体长型条的正面形成光刻胶层，该光刻胶层起保护和防震作用，然后将形成光刻胶层后的半导体长型条进行烘烤，接着对烘烤后的半导体长型条的背部进行开槽，从而使得作用在半导体长型条整体的内应力能够充分释放，另外，由于开槽的位置为半导体长型条中的相邻两个半导体之间的连接位置，开槽宽度小于0.15mm，而后续正常分离半导体的切割宽度是0.15～0.2mm，因此不会对半导体造成伤害。
半导体应力消除方法

[发明专利]去除基片表面残余物质的方法-CN202010068297.0在审
发明人：马岳 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，公开了一种去除基片表面残余物质的方法，先将基片放置于工艺处理腔的样品台上，再控制样品台带动基片以预设转速旋转，然后将化学溶液喷洒在所述基片的表面上，以使得在基片的表面上形成一层均匀的液体薄膜，化学溶液中的氢氟酸与基片表面的氮化物等残余物质进行反应，从而达到清除效果，另外，化学溶液中混合的二氧化碳可以防止在清洗过程中对基片内部的铜线圈进行腐蚀，而二氟甲烷、氮气和氧气组成的混合气体与基片的表面的残余物进行反应，增强了清洗效果，从而获得良好的去除基片表面残余物质的效果。
去除表面残余物质方法

[发明专利]一种半导体晶圆减薄方法-CN202010034702.7在审
发明人：卢文胜 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆减薄方法，其包括：对半导体晶圆的待减薄的表面进行粗磨，粗磨的深度为预设的第一深度；对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行精磨，精磨的深度为预设的第二深度；所述第二深度小于所述第一深度；用腐蚀液对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行湿法刻蚀，腐蚀的深度为第三深度；所述第三深度小于所述第二深度；所述腐蚀液包括硫酸、氢氟酸和草酸。本发明能够在保证晶圆表面光洁度的前提下，能够用少量的腐蚀液来对半导体晶圆进行快速刻蚀，并且对半导体晶圆的整个减薄的作业时间大大减少，从而能够大大降低对半导体晶圆的减薄成本，并提高了减薄效率。
一种半导体晶圆减薄方法

[发明专利]一种消除半导体形变的方法-CN202010036864.4在审
发明人：胡咏兵 -专利权人： 东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种消除半导体形变的方法，首先将半导体的一面粘接在基板上，半导体的另一面覆盖保护膜，并使基板升温至第一温度，以进行第一阶段热处理，再在基板以预设降温速度降温至常温后，使基板升温至第二温度，以进行第二阶段热处理，通过两个阶段对基板的热处理，以间接对粘接在基板上的半导体进行热处理，从而消除半导体的内应力，进而消除了半导体由于切割等工艺造成的形变。
一种消除半导体形变方法