专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种晶圆级、高质量的氮化硼/石墨烯异质结薄膜的制备方法-CN202011087287.8有效
  • 胡平安;杨慧慧;谭必英;张士超;苏震;刘得昌;汪礼丽 - 哈尔滨工业大学
  • 2020-10-12 - 2023-10-27 - C23C16/26
  • 本发明公开了一种晶圆级、高质量的氮化硼/石墨烯异质结薄膜的制备方法;它的制备方法为:步骤一:通过表面催化生长方法,在金属表面制备出连续的六方氮化硼薄膜;步骤二:通过等离子体刻蚀技术,将金属箔片一侧表面处的六方氮化硼薄膜除去;步骤三:将该金属箔片折叠为袋状进行密封;步骤四:将该金属袋置于管式炉中,升高到一定温度并通入高浓度含碳气体,实现碳原子由外表面向内表面的扩散,并在降温过程中析出,在金属与六方氮化硼界面处生成石墨烯;步骤五:将该金属袋剪开并水平铺开,转移至目标衬底表面,即可得到六方氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜。本发明的制备工艺适用性高,工艺参数窗口较宽;相比传统通过外延或扩散方式来制备异质结的方法,本方法有效避免原子间的掺杂现象,同时可获得晶圆级,高质量的垂直氮化硼/石墨烯异质结薄膜。
  • 一种晶圆级质量氮化石墨烯异质结薄膜制备方法
  • [发明专利]一种提高负极材料电化学性能的化学气相沉积设备-CN202310897239.2在审
  • 李敏锋;杨宇乐;姜志忠 - 浙江维思通新材料有限公司
  • 2023-07-21 - 2023-10-24 - C23C16/26
  • 本发明涉及气相沉积设备技术领域,具体涉及一种提高负极材料电化学性能的化学气相沉积设备,包括反应箱,所述反应箱的顶端设置有盖板,所述盖板的上方设置有储料箱,所述储料箱的底端固定安装有连通管,所述连通管穿过所述盖板,并与所述反应箱连通,所述反应箱的一侧设置有气体混合器,所述气体混合器的输出端固定安装有进气管,所述进气管与所述气体混合器连通,所述进气管的侧端固定安装有控制阀,所述反应箱的一侧固定安装有加热器,所述反应箱位于所述加热器的上方固定安装有温度控制器。本发明所述的一种提高负极材料电化学性能的化学气相沉积设备,连接性强,便于对排出热气进行利用,节约资源,提高负极材料电化学性能。
  • 一种提高负极材料电化学性能化学沉积设备
  • [发明专利]一种平整堆垛转移二维材料的方法-CN202210683738.7在审
  • 高力波;袁国文;刘伟林;郑航;姚冰 - 南京大学
  • 2022-06-16 - 2023-10-24 - C23C16/26
  • 本发明公开了一种平整堆垛转移二维材料的方法,本发明首先通过旋转和加热辅助相结合,再调控转移溶液对二维材料的浸润性,实现了晶圆级的二维材料到目标衬底上的无损、超平整的转移。同时,在实现单次转移超平整二维材料的基础上,重复上述的转移步骤,实现堆垛转移出了晶圆级、超平整的双层、多层的二维材料范德华同质和异质结构。本发明涉及的针对二维材料的平整堆垛转移技术操作简单,对规模化转移并获得晶圆级、高质量的二维材料范德华异质结提供了一种简单、有效的制备方案。此外,制备出的晶圆级、超平整的范德华同质和异质结构,也将对实现二维材料的新功能、新原理探索以及加快未来功能应用、推动社会进步,奠定材料制备技术上的支持。
  • 一种平整堆垛转移二维材料方法
  • [发明专利]一种石墨烯复合薄膜制备装置及其制备方法-CN202310839144.5在审
  • 陶勇 - 陶勇
  • 2023-07-10 - 2023-10-13 - C23C16/26
  • 本发明涉及一种石墨烯复合薄膜制备装置及其制备方法,包括机体、炉管、存取口、存取平台板、密封堵块、圆弧延伸板、定位滑槽、弹性基底片、金属基底膜和滑动锚块,采用上述圆弧延伸板和弹性基底片结构,实现通过在弹性基底片表面贴附金属基底膜,为石墨烯薄膜的生长提供金属基质,利用圆弧延伸板与密封堵块将弹性基底片挤压弯曲,实现将大面积的弹性基底片通过存取口实现从侧面放入炉管内,便于弹性基底片的存取替换的同时,有利于大面积的石墨烯薄膜的制备,有效提高石墨烯薄膜的制备效率。
  • 一种石墨复合薄膜制备装置及其方法
  • [发明专利]一种大面积DLC镀层均匀沉积方法-CN202310782435.5在审
  • 苏东艺 - 广州今泰科技股份有限公司
  • 2023-06-29 - 2023-10-10 - C23C16/26
  • 本发明公开了一种大面积DLC镀层均匀沉积方法,制膜过程中其镀件采用如下装挂方式:四片衬板围成空心方笼,且在相邻两衬板的直角连接处留设开口,使用时两镀件待镀面相对地分装在对设的一组衬板上,衬板四周超出镀件,超出部分与镀件的待镀面取平,模拟待镀面向外延伸;制膜过程中的负偏压施加于衬板和镀件上,使空心方笼周身四个方向都产生辉光放电,通过放电量叠加形成空心阴极放电效应镀膜区,采用电磁场增强PECVD法,借助空心阴极放电效应技术,制得符合静电耗散表面电阻值的掺Si类金刚石保护膜。本发明提供了一种均匀沉积指定静电耗散级电阻率值的大面积DLC镀层的方法,有利于拓展DLC在半导体封装领域大尺寸平面工件上的应用。
  • 一种大面积dlc镀层均匀沉积方法
  • [发明专利]基于浮动催化CVD的CNT薄膜及制备方法-CN202310807294.8在审
  • 潘建新;张陆贤 - 广德天运新技术股份有限公司
  • 2023-07-04 - 2023-09-22 - C23C16/26
  • 本发明涉及一种基于浮动催化CVD的CNT薄膜及制备方法,浮动催化CVD的CNT薄膜包括有:CNT薄膜基体,CNT薄膜基体的外表面贴附设置有纳米金属薄膜,纳米金属薄膜的外表面层状过渡金属硫族化合物薄膜;在厚度方向的低维化所带来的尺度效应,赋予其极佳的柔性变形性能,通过充分优化沉积工艺条件,调控薄膜材料的成分和显微组织结构,使其具有最佳的电学性能和柔性变形性能,行双面沉积过渡金属硫族化合物薄膜,使复合材料在微观上具有极佳的阻滞裂纹扩展的能力,因而提高了其抗弯折疲劳性能;同时,CNT薄膜在微观上形成了高导电通道,大大提高了复合薄膜材料的电导率,通过超快焦耳热相应实现CNT薄膜表面镀纳米金属膜获得应用范围更广效果更好的CNT薄膜。
  • 基于浮动催化cvdcnt薄膜制备方法
  • [发明专利]基于CNT薄膜焦耳热响应行为的功能性复合膜及制备方法-CN202310807284.4在审
  • 潘建新;张陆贤 - 广德天运新技术股份有限公司
  • 2023-07-04 - 2023-09-22 - C23C16/26
  • 本发明涉及一种基于CNT薄膜焦耳热响应行为的功能性复合膜及制备方法,功能性复合膜包括有若干层CNT薄膜,CNT薄膜的基底上蒸发沉积有纳米金属膜层,CNT薄膜与纳米金属膜层之间合成设置有金属碳化物层,通过先在CNT薄膜表面涂覆纳米金属颗粒再蒸发沉积而形成纳米金属膜层,最终焦耳热响应合成金属碳化物层;在CNT薄膜的基础上通过焦耳热响应方式蒸发纳米金属颗粒而在CNT薄膜表面形成纳米金属膜,并通过牺牲薄膜骨架碳的方式,在惰性气氛中合成金属碳化物进而获得基于CNT薄膜焦耳热响应行为的功能性复合膜,使复合材料在微观上具有极佳的阻滞裂纹扩展的能力,因而提高了其抗弯折疲劳性能,同时,CNT薄膜在微观上形成了高导电通道,显著提高材料的导电导热性。
  • 基于cnt薄膜焦耳响应行为功能复合制备方法
  • [发明专利]用于临近催化化学气相沉积的装置和方法-CN201711296987.6有效
  • 郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;郭光灿 - 中国科学技术大学
  • 2017-12-08 - 2023-09-22 - C23C16/26
  • 本申请提供用于临近催化化学气相沉积的装置及方法,所述装置包括:在竖直方向上设置的上加热器和下加热器;用于控制它们升降的电机;在下加热器表面上的用于安放基底的样品台;在样品台和上加热器之间的水平导轨;和用于安放催化剂的载板,所述载板和所述样品台之间为用于临近催化化学气相沉积的反应区;其中上下加热器用于对反应区提供二维材料生长所需的温度。通过利用本发明的装置和方法,可以使得在催化剂表面催化得到的二维材料的活性物质扩散到基底,使得在基底上沉积所需的薄膜;同时可以在不具有催化功能的基底上生长强烈依赖催化剂的二维材料的薄膜或异质结。
  • 用于临近催化化学沉积装置方法

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