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[发明专利]用于补偿输入接收器电路处的串扰噪声的设备和方法-CN202280011491.2在审
发明人： R·斯里拉曼尼;D·B·彭妮 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C7/02 文献下载
摘要：信号线的输入接收器电路可从其它信号线接收输入以减少所述信号线上存在的串扰噪声。在一些实例中，所述输入接收器电路可包含具有可编程宽度的晶体管。在一些实例中，所述输入接收器电路可包含具有可编程电流的偏压电流产生器。可基于另一信号线引入的串扰噪声的量来编程所述宽度和/或电流。在一些实例中，所述输入接收器电路可包含电阻和/或电容。在一些实例中，所述电阻器和/或电容器可为可编程的。可基于所述信号线上的所述串扰噪声的持续时间来编程所述电阻和/或电容。
用于补偿输入接收器电路噪声设备方法

[发明专利]通过对第一存储器单元和第二存储器单元进行编程来存储一个数据值-CN202310123743.7在审
发明人： U·迪温琴佐 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：公开了用于通过对第一存储器单元和第二存储器单元进行编程来存储一个数据值的设备、方法和系统。所述第一存储器单元和所述第二存储器单元可各自经编程到第一数据状态、第二数据状态或第三数据状态，且所述一个数据值可对应于所述第一存储器单元和所述第二存储器单元经编程到的所述第一数据状态、所述第二数据状态或所述第三数据状态的组合，其中所述第一存储器单元可编程到的所述第一数据状态、所述第二数据状态或所述第三数据状态和所述第二存储器单元可编程到的所述第一数据状态、所述第二数据状态或所述第三数据状态的两个组合无资格对应于所述一个数据值。
通过第一存储器单元第二进行编程存储一个数据

[发明专利]从多个输入电源提供共享电流的调节器-CN202310216959.8在审
发明人： E·H·布伊扬;J·那拉达西;S·R·萨比内尔;M·莫斯托瓦 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本申请涉及从多个输入电源提供共享电流的调节器。本公开的各种实施例涉及用于从多个输入电源提供共享电流的调节器的设备及方法。调节器可包含第一部分，其经配置以接收第一电源电压并且通过负载输出从所述第一电源电压汲取的第一电流；及第二部分，其经配置以接收第二电源电压。所述调节器可包含电流控制电路，所述电流控制电路经配置以响应于对应于所述负载的负载电流满足特定标准而起始分流，使得随后在所述第一电源电压与所述第二电源电压之间共享所述负载电流。
输入电源提供共享电流调节器

[发明专利]具有冗余字线的半导体装置-CN202310217014.8在审
发明人：荒井実成 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有冗余字线的半导体装置。本文公开了一种设备，其包含被配置成存储第一地址的第一寄存器电路和被配置成将所述第一地址与第二地址进行比较的比较电路。所述比较电路包含第一和第二电路部分。在第一操作模式中，所述比较电路被配置成在所述第一电路部分检测到所述第一地址的第一位组与所述第二地址的第三位组匹配并且所述第二电路部分检测到所述第一地址的第二位组与所述第二地址的第四位组匹配时激活匹配信号。在第二操作模式中，所述比较电路被配置成在所述第一电路部分检测到所述第一位组与所述第三位组匹配而无论所述第二和第四位组如何时激活所述匹配信号。
具有冗余半导体装置

[发明专利]用于切割半导体装置的结构和方法-CN202310219471.0在审
发明人：王韦章;R·科蒂;R·K·邦萨;权荣熤;杨博智;V·巴瓦那西 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本公开涉及用于切割半导体装置的结构和方法。公开用于将半导体晶片分离成个别裸片的结构和方法。半导体晶片或面板可包含划片结中的裂痕辅助结构。所述裂痕辅助结构可包含至少部分地延伸穿过所述晶片的厚度的多个竖直壁。在一些实施例中，所述多个竖直壁可耦合到弱界面。所述弱界面可引导在切割工艺期间在沿着所述壁的方向上形成的裂痕远离有源电路系统。在切割之后，所得半导体装置可包含至少部分地延伸穿过所述半导体装置的厚度的多个竖直壁。所述多个竖直壁中的每一个可包含大体上平行于所述半导体装置的侧壁延伸的至少一部分。
用于切割半导体装置结构方法

[发明专利]基于扫描的电压频率调节-CN202310148330.4在审
发明人： L·兹洛特尼科;L·明茨;Y·温博格 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06F1/3296 文献下载
摘要：本发明公开一种用于基于扫描的电压频率调节的实例方法，所述方法可包含以多个相应电压值对单片系统SoC执行多个高速扫描操作。所述实例方法可包含将从所述多个高速扫描操作中的至少一个收集的数据输入到数据库中。所述输入数据与所述相应多个电压值相关联。所述实例方法可包含确定所述相应多个电压值中的所述SoC的参数达到阈值时的特定电压值。所述实例方法可包含指示所述数据库中的所述所确定特定电压。所述数据库中的所述指示的所确定特定电压可用于使用所述SoC来执行一或多个操作。
基于扫描电压频率调节

[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统-CN202310231881.7在审
发明人：罗双强;J·D·霍普金斯;陈洁薇;J·D·格林利 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包含堆叠结构、狭槽结构和电介质材料。所述堆叠结构包含各自包含布置成层面的导电材料和绝缘材料的竖直交替序列的块。所述块中的至少一个包含阵列区和阶梯区，所述阵列区包含存储器单元串，所述阶梯区包含插入于阶梯结构与所述阵列区之间的顶峰子区。所述顶峰子区内的所述层面的最上部边界位于所述阵列区内的所述层面的最上部边界之下。所述狭槽结构插入于所述堆叠结构的所述块之间。所述电介质材料在所述堆叠结构的所述块上方和之间延伸。位于所述顶峰子区之上的所述电介质材料的部分的厚度大于位于所述阵列区之上的所述电介质材料的额外部分的厚度。
形成微电子装置方法以及相关存储器电子系统

[发明专利]用于非易失性存储器的电力架构-CN202210100174.X有效
发明人：林其松;许帅;J·S·帕里;J·宾福特;M·皮卡尔迪;梁卿 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请针对用于非易失性存储器的电力架构。存储器装置可经配置以在第一模式和第二模式(例如，低电力模式)中操作。当在所述第一模式中操作时，可经由调节器将电压从电源(例如，电力管理集成电路)供应到存储器阵列和一或多个相关联组件。当所述存储器装置转变为在所述第二模式中操作时，由所述电源供应的所述组件中的一些可由电荷泵供电。与所述存储器阵列相关联的控制信息可存储到由电荷泵供电的所述一或多个组件(例如，到高速缓冲存储器)。
用于非易失性存储器电力架构

[发明专利]命令地址输入缓冲器偏置电流减小-CN201880040451.4有效
发明人： G·霍韦 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种存储器装置(10)可包含存储数据的一或多个存储器组(12)和一或多个输入缓冲器(50)。所述输入缓冲器(50)可接收存取所述一或多个存储器组(12)的命令地址信号。所述存储器装置(10)可在第一操作模式或第二操作模式中的一个中操作。所述一或多个输入缓冲器(50)可当所述存储器装置(10)在所述第一操作模式中时在第一偏置电流下操作，或当所述存储器装置(10)在所述第二操作模式中时在第二偏置电流下操作，并且所述第一偏置电流可大于所述第二偏置电流。
命令地址输入缓冲器偏置电流减小

[发明专利]用于裸片上存储器终止的方法和采用所述方法的存储器装置和系统-CN201880075123.8有效
发明人： E·J·斯特夫;T·H·金斯利;M·A·布莱瑟 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供涉及具有裸片上终止ODT的存储器操作的方法、系统和设备。存储器装置可被配置成在第二部分(例如，排)处的通信期间在第一部分(例如，排)处提供ODT。举例来说，存储器装置可接收指示第一部分执行第一通信的第一命令。所述装置可从所述第一部分发射指示第二部分进入ODT模式的信号。所述装置可在所述第二部分处于所述ODT模式中时执行所述第一部分与主机的所述第一通信。可在耦合到所述第二部分的ODT I/O端子的所述第一部分的ODT I/O端子处提供所述信号。
用于裸片上存储器终止方法采用装置系统

[发明专利]以编程方式识别自主车辆的个性-CN201880082399.9有效
发明人： R·R·N·比尔比 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B60W30/14 文献下载
摘要：公开了用于向自主车辆分配个性的系统和方法。在一个实施例中，公开了一种方法，所述方法包括：从自主车辆接收数据；基于所述数据生成表示所述自主车辆的向量；将所述向量分类为一或多个个性；接收来自用户的搜索查询；响应于所述搜索查询基于分配给一或多个自主车辆的个性来识别所述一或多个自主车辆，所述一或多个自主车辆包含所述自主车辆；以及将所述一或多个自主车辆发送给所述用户。
编程方式识别自主车辆个性

[发明专利]具有防开裂结构的半导体装置-CN201911182224.8有效
发明人： S·U·阿里芬;全炫锡;杨胜伟;川北计三 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本文揭示了具有包含防开裂结构的金属化结构的半导体装置以及相关联系统和方法。在一个实施例中，半导体装置包含形成于半导体衬底上方的金属化结构。所述金属化结构可包含经由一或多个导电材料层电耦合到所述半导体衬底的结合衬垫，以及至少部分地在所述导电材料周围的绝缘材料，例如低κ电介质材料。所述金属化结构可进一步包含定位于所述结合衬垫下方在所述结合衬垫与所述半导体衬底之间的防开裂结构。所述防开裂结构可包含(a)在所述结合衬垫与所述半导体衬底之间横向延伸的金属栅格，和(b)在所述金属栅格与所述结合衬垫之间竖直延伸的障壁部件。
具有开裂结构半导体装置

[发明专利]具有行命中率/刷新管理机制的设备及其操作方法-CN201910740646.6有效
发明人： J·E·阿尔茨海默 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有行命中率/刷新管理机制的设备及其操作方法。所述设备包含：行锤击刷新RHR电路，所述RHR电路被配置成：窃取第一所窃取周期以实施RHR操作或其一部分，并且在一或多个操作周期之后窃取第二所窃取周期，所述第二所窃取周期用于实施所述RHR操作或其不同的部分。
具有命中率刷新管理机制设备及其操作方法

[发明专利]用于低速存储器操作的方法和设备-CN201910817955.9有效
发明人：金康永 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：本申请案针对低速存储器操作。本发明描述了用于低速存储器操作的方法、系统及装置。与存储器装置相关联的控制器可例如识别系统时钟的时钟模式，并确定所述系统时钟的速度低于阈值。所述控制器可生成(或致使生成)内部数据时钟信号，所述内部数据时钟信号具有比外部数据时钟信号(其可具有基于所述系统时钟速度的速度)更短的周期。此外，所述控制器可使用所述内部数据时钟信号而不是所述外部数据时钟信号来从所述存储器装置生成数据，这可提供减少的等待时间。此外，所述控制器可撤销激活(或致使撤销激活)生成所述外部数据时钟信号的外部数据时钟。此类技术可提供改进的数据带宽，改进的命令带宽及/或减少的功耗。
用于低速存储器操作方法设备

[发明专利]用于可重新配置的存储器架构和电子存储器设备的方法-CN201811011108.5有效
发明人： B·基思;J·B·约翰逊 -专利权人： 美光科技公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请案涉及用于可重新配置的存储器架构和电子存储器设备的方法。本申请案是针对可重新配置的存储器架构。本文中描述用于可重新配置的存储器装置的技术，所述存储器装置可基于用来耦合所述存储器装置与主机装置的插入物的类型而配置。所述可重新配置的存储器装置可包含多个组件以获得多个配置。可基于所述存储器装置中使用的插入物的类型启动/撤销启动可重新配置的存储器裸片的各种组件。举例来说，如果使用第一类型的插入物(例如，高密度插入物)，则数据通道可为八个数据引脚宽。相比之下，如果使用第二类型的插入物(例如，基于有机物的插入物)，则所述数据通道可为四个数据引脚宽。由此，可重新配置的存储器装置可包含在一些配置中不活动的数据引脚和相关驱动器。
用于重新配置存储器架构电子设备方法