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[发明专利]裸片上终止架构-CN201880054339.6有效
发明人： K·马组德尔;M-H·贝 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：方法和装置(10)在命令接口(14)处接收命令且使用被配置成实施所述命令的控制电路(21)。路由管线(100)被配置成将所述命令从所述命令接口(14)转译和路由到所述控制电路(21)。所述路由管线(100、150)包含时钟电路(114)。所述时钟电路(114)包含时钟延迟线(152)和从所述时钟延迟线(152)导出的多个克隆延迟线(158)。所述克隆延迟线(158)中的每一个专用于多个命令类型中的一个命令类型。所述路由管线(100、150)还包含延迟电路(122)，所述延迟电路被配置成利用所述克隆延迟线(158)使所述半导体装置(10)的数据引脚信号移位或使所述半导体装置(10)的数据选通引脚信号移位。
裸片上终止架构

[发明专利]压电喷墨裸片堆叠-CN201180071942.3有效
发明人： T.S.克鲁斯-乌里贝;J.E.谢菲林;T.亚马施塔;S.J.乔伊 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： B41J2/175 文献下载
摘要：一种压电喷墨裸片堆叠，包括：电路裸片，其被堆叠在基底裸片上；压电致动器裸片，其被堆叠在所述电路裸片上；以及帽裸片，其被堆叠在所述压电致动器裸片上。在从所述电路裸片到所述帽裸片的次序中的每个裸片比先前的裸片窄。
压电喷墨堆叠

[实用新型]半导体器件-CN202221987060.3有效
发明人： A·艾伯蒂内蒂;M·阿莱西 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件，包括：衬底；布置在衬底上的第一半导体裸片；布置在衬底上的第二半导体裸片；激光直接成型LDS材料封装，模制到布置在衬底上的第一半导体裸片和第二半导体裸片上，具有与衬底相对的表面；至少一个导电裸片到裸片耦合结构，在第一半导体裸片和第二半导体裸片之间，至少一个裸片到裸片耦合结构包括：裸片通孔激光器，构造为在LDS材料封装的、与衬底相对的表面与第一半导体裸片和第二半导体裸片之间穿过LDS材料；裸片到裸片线激光器，构造在LDS材料封装的、与衬底相对的表面处并且耦合裸片通孔；以及导电激光诱导正向转移LIFT材料，构造在LDS材料封装中的裸片通孔上和在裸片通孔之间延伸的裸片到裸片线上。
半导体器件

[发明专利]穿硅通孔桥接互连件-CN200980124405.3有效
发明人：阿尔温德·钱德拉舍卡兰 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种集成电路桥接互连系统包括第一裸片及第二裸片，所述第一裸片及第二裸片是以并排配置提供且通过桥接裸片相互电互连。所述桥接裸片包括穿硅通孔(TSV)以将所述桥接裸片上的导电互连线连接到所述第一裸片及所述第二裸片。可在所述桥接裸片上提供有源电路，而非互连线。至少一个或一个以上额外裸片可堆叠于所述桥接裸片上且互连到所述桥接裸片。
穿硅通孔桥接互连

[发明专利]半导体通信设备及方法-CN201180017420.5有效
发明人：布伦特·基斯;克里斯托弗·K·莫尔扎诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：各种实施例包含设备、堆叠式装置及在接口裸片上形成裸片堆叠的方法。在一个此种设备中，裸片堆叠包含至少第一裸片及第二裸片以及将所述第一裸片及所述第二裸片耦合到共用控制裸片的导电路径。在一些实施例中，所述导电路径可经布置以与所述堆叠的交替裸片上的电路连接。在其它实施例中，多个裸片堆叠可布置于单个接口裸片上，且所述裸片中的一些或所有裸片可具有交错的导电路径。
半导体通信设备方法

[发明专利]耦合半导体裸片的方法和对应的半导体器件-CN202210909718.7在审
发明人： A·艾伯蒂内蒂;M·阿莱西 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及耦合半导体裸片的方法和对应的半导体器件。激光直接成型(LDS)材料封装被模制到其上布置有第一半导体裸片和第二半导体裸片的衬底上。激光束能量被应用于LDS材料封装的表面，以在其中构造穿过LDS材料延伸到第一半导体裸片和第二半导体裸片的裸片通孔和在裸片通孔之间的LDS材料的表面处延伸的裸片到裸片线。激光诱导正向转移(LIFT)处理被应用于将导电材料转移到裸片通孔和在裸片通孔之间延伸的裸片到裸片线。无电镀生长在裸片通孔上和裸片到裸片线上的导电材料层有助于改进经由LIFT处理转移的导电材料的粘附性。
耦合半导体方法对应半导体器件

[发明专利]一种异构裸片系统集成芯片结构及其制作方法-CN202110808994.X有效
发明人：蔺光磊 -专利权人：芯知微（上海）电子科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种异构裸片系统集成芯片结构及其制作方法，方法包括：提供晶圆片，晶圆片中形成有多个第一裸片，第一裸片顶部形成外接焊线板和第一焊线板；在第一裸片上、第一焊线板远离外接焊线板一侧形成第一可固化粘接层；在第二裸片上形成有第二焊线板；将第二裸片粘接在第一裸片上的第一可固化粘接层上，第二裸片上的第二焊线板与第一裸片上的第一焊线板隔空垂直相对，在第一裸片上的第一焊线板与第二裸片上的第二焊线板之间形成空腔；在空腔内形成导电互连结构；沿各个第一裸片与晶圆片之间分割区域切割第一裸片；与外接焊线板形成外接互连线；胶封第一裸片顶面和第二裸片侧面。
一种异构裸片系统集成芯片结构及其制作方法

[发明专利]用于多层3D集成的裸片堆叠-CN201980025193.7在审
发明人：拉胡尔·阿加瓦尔;米林德·S·巴格瓦特 -专利权人：超威半导体公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：公开各种裸片堆叠以及创建所述裸片堆叠的方法。在一个方面中，提供一种制造方法，包括将第一半导体裸片(40)安装在第一半导体晶片(185)的第二半导体裸片(35)上。将所述第二半导体裸片从所述第一半导体晶片切单以产生第一裸片堆叠。将所述第一裸片堆叠的所述第二半导体裸片安装在第二半导体晶片(205)的第三半导体裸片(30)上。将所述第三半导体裸片从所述第二半导体晶片切单以产生第二裸片堆叠。将所述第二裸片堆叠安装在第三半导体晶片(225)的第四半导体裸片(25)上。
用于多层集成堆叠

[发明专利]裸片安装系统及裸片安装方法-CN201480077454.7有效
发明人：中山幸则;中井健二;吉冈谕 -专利权人：株式会社富士
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：裸片安装系统将裸片供给装置(12)设置于元件安装机(11)，利用元件安装机(11)的安装头(15)吸附从裸片供给装置(12)供给的裸片(22)并向电路基板(17)安装，对拍摄切割片(29)上的裸片(22)的相机(41)的拍摄图像进行处理而识别出裸片(22)的位置，通过供给头移动机构(34)使供给头(33)移动到裸片吸附位置，利用供给头(33)吸附裸片(22)并使供给头(33)上下翻转，并且通过供给头移动机构(34)使供给头(33)移动到裸片交接位置，在该元件交接位置利用元件安装机(11)的安装头(15)吸附供给头(33)上的裸片(22)并向电路基板(17)安装。此时，将裸片交接位置设定在能够并行地执行利用安装头(15)吸附供给头(33)上的裸片(22)的裸片交接动作和利用相机(41)拍摄切割片(29)上的裸片(22)的裸片拍摄动作的位置。
安装系统方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和对应的半导体器件-CN202011399633.6在审
发明人： F·G·齐格利奥利;A·平图斯;P·马格尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：塑料材料衬底具有用于半导体裸片的裸片安装位置。在塑料材料衬底的选择区域上形成金属迹线，其中金属迹线提供用于耦合到半导体裸片的导电路径。半导体裸片被附接到裸片安装位置上。被附接到裸片安装位置上的半导体裸片被电键合到形成在塑料材料衬底上的金属迹线中的所选择的金属迹线。封装材料被模制到被附接到裸片安装位置上的半导体裸片上。
制造半导体器件方法对应

[发明专利]集成器件及其制造方法-CN201410043366.7无效
发明人：玛利安·乌德瑞-斯班内;法瑞尔·玛瑞纳斯科;庄裕贤 -专利权人：凹凸电子（武汉）有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：该集成器件包括裸片垫、主裸片、叠式裸片以及塑封材料，其中主裸片包括粘合在裸片垫上的第一表面和第二表面，叠式裸片通过粘合膜粘合至主裸片的第二表面，主裸片和叠式裸片包括硅晶体，塑封材料用于封装裸片垫、主裸片以及叠式裸片本发明的集成器件结构有效地缓解了因塑封材料的收缩而施加在主裸片上的应力，屏蔽了来自塑封材料中较硬颗粒的不均匀压力，并且平缓了主裸片上的温度梯度。
集成器件及其制造方法

[发明专利]耦合半导体裸片的方法、使用的工具和对应的半导体器件-CN202210904043.7在审
发明人： D·维特洛;M·德赖 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及耦合半导体裸片的方法、使用的工具和对应的半导体器件。激光直接成型LDS材料的封装被模制到第一半导体裸片和第二半导体裸片上。第一半导体裸片与第二半导体裸片之间的裸片到裸片的耦合形成件包括：裸片过孔，延伸通过LDS材料以到达第一半导体裸片和第二半导体裸片；以及裸片到裸片的线，在裸片过孔之间封装的表面处延伸。在激光激活和成型针对裸片过孔和裸片到裸片的线的封装的表面的所选位置之后，位置与提供导电路径的电极接触。通过暴露于携带金属阳离子的电解质，金属材料被电解生长到封装的位置上。电极然后与在其上电解生长金属材料的位置脱离接触。
耦合半导体方法使用工具对应半导体器件

[发明专利]一种基于chiplet架构的网络处理器-CN202211584145.1在审
发明人：李晓霖;郝沁汾;刘宏伟 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司;芯光智网集成电路设计(无锡)有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H04L67/10 文献下载
摘要：本申请的目的在于提供一种基于chiplet架构的网络处理器，所述处理器包括网络任务处理裸片和若干个计算裸片；所述计算裸片与网络任务处理裸片连接，将网络处理任务卸载到网络任务处理裸片上；计算裸片将数据发送到网络任务处理裸片；网络任务处理裸片从计算裸片或外部网络接收数据后，进行相应的网络处理并发送到计算裸片或外部网络。本申请通过将计算裸片和网络任务处理裸片封装在同一个封装内，能够获得TB/s级别的互连带宽。计算裸片将网络处理任务卸载到同一封装内的其他裸片上，使得计算裸片只需处理通用的计算任务，从而释放CPU的计算资源，提高CPU的算能力。
一种基于 chiplet 架构网络处理器

[发明专利]用于多个存储器集成电路系统的分布式分组终止-CN202110248714.4在审
发明人： J·T·孔特拉斯;S·拉金德拉;S·莫宾;R·A·扎凯 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：设备包含均匀存储器裸片堆叠和存储控制器。所述均匀存储器裸片堆叠中的每一均匀存储器裸片通过线接合串联耦合到传输线以形成传输路径。每一存储器裸片包含连接到所述传输线的裸片上终止电阻电路。所述裸片上终止电阻电路提供最小终止电阻。所述存储控制器寻址目标均匀存储器裸片用于操作。所述存储控制器启用沿着所述传输路径的多个均匀存储器裸片的所述裸片上终止电阻电路。在为所述多个均匀存储器裸片启用所述裸片上终止电阻电路的情况下所述存储控制器将用于所述操作的数据信号传输到所述目标均匀存储器裸片。
用于存储器集成电路系统分布式分组终止

[发明专利]具有多个衬底和裸片堆叠的半导体装置-CN202210386732.3在审
发明人：张振辉;黄宏远;赫姆·P·塔克亚尔;倪胜锦;陈奕武 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本文中公开了具有多个衬底和裸片堆叠的半导体装置，以及相关联系统和方法。在一些实施例中，一种半导体装置包含封装衬底，以及安装在所述封装衬底上且包含多个第一存储器裸片的第一裸片堆叠。所述装置可包含安装在所述第一裸片堆叠上的衬底，所述衬底包含多个路由元件。所述装置还可包含安装在所述衬底上的第二裸片堆叠，所述第二裸片堆叠包含多个第二存储器裸片。所述装置可进一步包含安装在所述衬底上的控制器裸片。所述控制器裸片可被配置成经由所述衬底的所述路由元件与所述第二裸片堆叠通信。所述装置可包含包封所述第一裸片堆叠、所述第二裸片堆叠、所述衬底和所述控制器裸片的模制材料。
具有衬底堆叠半导体装置

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