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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]包含用于半导体存储器的存储器命令的设备及方法-CN201880063966.6有效
  • 金康永;李炫柳;J·D·波特 - 美光科技公司
  • 2018-09-28 - 2023-10-03 - G11C7/22
  • 本发明描述包括用于半导体存储器的存储器命令的设备及方法。一种实例方法包括：响应于接收时序命令而接收数据时钟信号；响应于接收与所述时序命令相关联的存取命令而执行存取操作；基于所述数据时钟信号来提供存取数据时钟信号；及基于所述数据时钟信号来提供存取数据时钟信号。所述存取命令可与所述相关联时序命令在时间上间隔系统时钟信号的至少一个时钟周期。在一些实例中，所述存取命令可在所述相关联时序命令之前或可在所述相关联时序命令之后。在一些实例中，所述存取命令可紧接在所述相关联时序命令之后或所述相关联时序命令之前。
  • 包含用于半导体存储器命令设备方法
  • [发明专利]自适应字线刷新-CN202310206569.2在审
  • 陆洋;金康永 - 美光科技公司
  • 2023-03-03 - 2023-09-29 - G11C11/406
  • 描述的设备和方法涉及用于可支持非确定性协议的存储器系统的自适应字线刷新。为了帮助管理存储器系统中的电力递送网络，存储器装置可包含可使待近似同时激活或刷新的多个字线的激活交错的逻辑。逻辑电路系统可耦合于待激活的字线之间且延迟激活信号的传播。因此，第一字线群组(例如，在所述逻辑电路系统“之前”)由所述信号激活，但第二字线群组(例如，在所述逻辑电路系统“之后”)的激活经延迟，从而减少峰值电流汲取。额外逻辑电路系统可耦合于字线之间以将所述字线划分为多个群组，进而使通过刷新命令激活的字线的激活交错，这可减少峰值电流汲取和功率消耗。
  • 自适应刷新
  • [发明专利]用于低速存储器操作的方法和设备-CN201910817955.9有效
  • 金康永 - 美光科技公司
  • 2019-08-30 - 2023-09-12 - G11C7/22
  • 本申请案针对低速存储器操作。本发明描述了用于低速存储器操作的方法、系统及装置。与存储器装置相关联的控制器可例如识别系统时钟的时钟模式，并确定所述系统时钟的速度低于阈值。所述控制器可生成(或致使生成)内部数据时钟信号，所述内部数据时钟信号具有比外部数据时钟信号(其可具有基于所述系统时钟速度的速度)更短的周期。此外，所述控制器可使用所述内部数据时钟信号而不是所述外部数据时钟信号来从所述存储器装置生成数据，这可提供减少的等待时间。此外，所述控制器可撤销激活(或致使撤销激活)生成所述外部数据时钟信号的外部数据时钟。此类技术可提供改进的数据带宽，改进的命令带宽及/或减少的功耗。
  • 用于低速存储器操作方法设备
  • [发明专利]动态随机存取存储器多字线直接刷新管理-CN202310048419.3在审
  • 金康永;陆洋 - 美光科技公司
  • 2023-01-17 - 2023-07-25 - G11C11/4078
  • 本公开涉及动态随机存取存储器多字线直接刷新管理。用于响应于存储器排组中的行锤击错误的多字线直接刷新操作的系统和方法。手段包含：通过行锤击缓解组件检测存储器排组中的行锤击错误；以及接着通过行锤击缓解组件触发对所述行锤击错误的响应。此外，存储器控制器基于混叠行计数器策略从模式寄存器接收数据，从而选择待对所述存储器排组内的多个受害者存储器行执行的多字线直接刷新操作的类型，其中所述多个受害者存储器行跨越多个存储器子排组分散。所述手段包含同时对所述多个受害者存储器行执行所选择的多字线直接刷新操作。
  • 动态随机存取存储器多字直接刷新管理
  • [发明专利]DRAM行复制-CN202310048695.X在审
  • 陆洋;何源;金康永 - 美光科技公司
  • 2023-01-17 - 2023-07-25 - G06F3/06
  • 本公开涉及DRAM行复制。动态随机存取存储器采用正常行复制操作或快速行复制操作中的任一者或两者以将所选择数据从存储器的第一行复制到存储器的第二行，而不将所述数据传送到例如中央处理单元或存储器控制器等中间处理器。这两个操作均取决于DRAM的组内的两个单独字线的并发电激活。对于所述快速行复制操作，所述两个单独字线为具有共享位线的DRAM组的共享区段的部分。经由共同位线直接并行地复制位值。对于所述正常行复制操作，所述两个单独字线是共同组而不是共享区段的部分。经由所述组内的通用输入/输出总线串行地复制位值。
  • dram复制
  • [发明专利]用于确定输入时钟信号与多相时钟信号之间的相位关系的设备及方法-CN201880014357.1有效
  • 李炫柳;金康永 - 美光科技公司
  • 2018-02-27 - 2023-06-02 - G11C7/22
  • 本发明揭示用于确定输入时钟信号与多相时钟信号之间的相位关系的设备及方法。实例设备包含：时钟路径，其经配置以接收时钟信号并提供内部时钟信号；及命令路径，其经配置以接收命令并响应于所述内部时钟信号而将所述命令传播穿过所述命令路径且提供具有反映所述时钟信号的时序的时序的内部命令。所述实例设备进一步包含数据时钟路径，所述数据时钟路径经配置以接收数据时钟信号并基于所述数据时钟信号提供多相时钟信号且提供经延迟多相时钟信号，且所述实例设备进一步包含时钟同步电路，所述时钟同步电路经配置以接收所述经延迟多相时钟信号并响应于所述内部命令而锁存所述经延迟多相时钟信号的逻辑电平。
  • 用于确定输入时钟信号多相之间相位关系设备方法
  • [发明专利]可编程列存取-CN202210692969.4在审
  • 李贤见;金康永;宋泽尚 - 美光科技公司
  • 2022-06-17 - 2022-12-20 - G11C8/08
  • 本申请涉及可编程列存取。装置可将电压从存储器阵列中的一个行的存储器单元传递到所述存储器单元的相应数字线。所述电压可指示存储在所述存储器单元处的逻辑值。所述装置可将相应控制信号传送到与所述数字线耦合的一组复用器，其中每个复用器与所述数字线的相应子集耦合。每个复用器可基于所述复用器的所述相应控制信号而耦合所述相应数字线子集中的数字线与所述复用器的相应感测组件。
  • 可编程存取
  • [发明专利]管理地址存取信息-CN202210671319.1在审
  • 宋槿秀;李贤见;金康永 - 美光科技公司
  • 2022-06-14 - 2022-12-16 - G06F12/06
  • 本申请涉及管理地址存取信息。装置可接收用于存储器阵列的地址的命令。基于或响应于所述命令，所述装置可从所述存储器阵列读取第一组标记位。所述第一组标记位可指示用于包含所述地址的一组地址的存取信息。所述装置可基于所述命令及所述地址确定第二组标记位。所述第二组标记位可指示用于所述地址的更新的存取信息。所述装置可基于所述第一组标记位及所述第二组标记位生成码字，并且可将所述码字存储在所述存储器阵列中。
  • 管理地址存取信息
  • [发明专利]多存储器系统中改进的存储器间移动-CN202111001696.6在审
  • S·迪希尔;金康永 - 美光科技公司
  • 2021-08-30 - 2022-03-01 - G06F3/06
  • 本申请案针对多存储器系统中改进的存储器间移动。存储器装置可从主机装置接收将数据从由第一控制器控制的第一存储器移动到由第二控制器控制的第二存储器的命令。所述存储器装置可使用所述第一控制器和所述第二控制器来促进所述数据经由所述主机装置外部的路径从所述第一存储器到所述第二存储器的所述移动。所述存储器装置可向所述主机装置指示何时对所述第一存储器或所述第二存储器暂停活动，和何时对所述第一存储器或第二存储器恢复活动。
  • 存储器系统改进移动
  • [发明专利]使用元数据的事务管理-CN202110879688.5在审
  • C·巴拉普拉姆;金康永;S·S·马利克;宋泽尚 - 美光科技公司
  • 2021-08-02 - 2022-02-18 - G06F3/06
  • 本申请涉及使用元数据的事务管理。在一些实例中，存储器装置可以包含可以具有不同存取时延的易失性存储器和非易失性存储器。所述存储器装置可以从主机装置接收针对位于所述非易失性存储器的地址处的数据的读取命令。响应于所述读取命令，所述存储器装置可以确定所述数据是否存储在所述易失性存储器中。所述存储器装置然后可以向所述主机装置且根据期待时延，传输数据集合和先前所述主机装置请求或所述主机装置未请求所述数据集合的指示。在一些实例中，所述存储器装置还可以传输与所述读取命令和所述地址的散列相关联的标识符。
  • 使用数据事务管理
  • [发明专利]针对封装内存储器的直接测试-CN202110692547.2在审
  • 宋泽尚;李贤见;S·S·马利克;金康永 - 美光科技公司
  • 2021-06-22 - 2022-01-11 - G11C29/18
  • 本申请涉及针对封装内存储器的直接测试。存储器子系统封装可包含非易失性存储器、可经配置为高速缓冲存储器的易失性存储器，以及控制器。存储器子系统可支持对所述非易失性存储器的直接存取以用于使用所述存储器子系统的主机接口而非使用所述封装上的专用接触件来测试所述封装中的所述非易失性存储器。为了确保在测试操作期间的确定性的行为，所述存储器子系统可在启用测试模式进行操作时将从主机装置(例如自动化测试设备)接收到的命令转发到所述非易失性存储器的存储器接口并且绕过高速缓冲存储器相关的电路系统。所述存储器子系统可包含绕过所述高速缓冲存储器的单独的导电路径以用于在测试期间将命令和地址转发到所述存储器接口。
  • 针对封装内存储器直接测试
  • [发明专利]存储器磨损管理-CN202110761207.0在审
  • S·S·马利克;李贤见;C·巴拉普拉姆;宋泽尚;金康永 - 美光科技公司
  • 2021-07-06 - 2022-01-11 - G06F12/02
  • 本申请涉及存储器磨损管理。一种器件可以包含接口控制器和非易失性存储器。所述接口控制器可以管理所述非易失性存储器中的存储器库的磨损均衡程序。例如，所述接口控制器可以选择存储器库中的行用于所述磨损均衡程序。所述接口控制器可以将来自所述行的数据存储在所述接口控制器中的缓冲器中。所述接口控制器然后可以将所述数据传递到所述非易失性存储器，使得所述非易失性存储器可以将所述数据写入到所述存储器库的第二行。
  • 存储器磨损管理
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