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- [发明专利]Efuse控制器、Efuse系统及Efuse烧写方法-CN201810814382.X有效
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蒋松鹰;姚炜
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上海艾为电子技术股份有限公司
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2018-07-23
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2023-09-29
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G11C17/16
- 本发明公开了一种Efuse控制器、Efuse系统及Efuse烧写方法，该Efuse控制器，包括：数据整形模块，第一输入端用于接收时钟输入信号，第二输入端用于接收数据输入信号，数据整形模块的输出端输出根据时钟输入信号对数据输入信号整形，生成整形输出信号；计数器，输入端用于接收时钟输入信号，输出端用于输出对时钟输入信号的计数结果；逻辑与门电路，两个输入端中的一个用于接收时钟输入信号，另一个输入端用于接收整形输出信号；逻辑与门电路的输出端用于连接Efuse模块的STROBE信号输入端；译码电路，两个输入端中的一个用于接收计数结果，另一个输入端用于接收整形输出信号；译码电路的输出端用于连接Efuse模块的数据信号输入端。实施本发明能实现简单有效地进行Efuse烧录。
- efuse控制器系统方法
- [发明专利]熔丝烧录方法、装置及电子设备-CN202310776139.4在审
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范芳
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长鑫存储技术有限公司
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2023-06-27
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2023-09-15
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G11C17/16
- 本申请实施例提供一种熔丝烧录方法、装置及电子设备，针对eFuse产品烧录的应用场景，该方法包括：基于烧录地址，对低位熔丝单元进行多次烧录，并多次读取烧录后的低位熔丝单元的熔丝状态，得到多个低位状态值；基于多个低位状态值确定低位烧录结果；若低位烧录结果指示烧录成功，则基于烧录地址，对高位熔丝单元进行多次烧录，并多次读取经过多次烧录后的高位熔丝单元的熔丝状态，得到多个高位状态值；基于多个高位状态值确定高位烧录结果；若高位烧录结果指示烧录成功，则烧录完成。通过多次烧录和多次读取，以及结合低位和高位的烧录结果进行烧录判断，显著提高了烧录的成功率和可靠性，提高了产品良率。
- 熔丝烧录方法装置电子设备
- [发明专利]具有冗余字线的半导体装置-CN202310217014.8在审
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荒井実成
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美光科技公司
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2023-03-07
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2023-09-12
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G11C17/16
- 本申请涉及一种具有冗余字线的半导体装置。本文公开了一种设备，其包含被配置成存储第一地址的第一寄存器电路和被配置成将所述第一地址与第二地址进行比较的比较电路。所述比较电路包含第一和第二电路部分。在第一操作模式中，所述比较电路被配置成在所述第一电路部分检测到所述第一地址的第一位组与所述第二地址的第三位组匹配并且所述第二电路部分检测到所述第一地址的第二位组与所述第二地址的第四位组匹配时激活匹配信号。在第二操作模式中，所述比较电路被配置成在所述第一电路部分检测到所述第一位组与所述第三位组匹配而无论所述第二和第四位组如何时激活所述匹配信号。
- 具有冗余半导体装置
- [发明专利]熔丝单元电路及模数转换器-CN202310754107.4在审
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胡永菲;雷郎成;詹勇;金森磊;万俊珺;廉鹏飞
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重庆吉芯科技有限公司
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2023-06-25
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2023-08-29
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G11C17/16
- 本发明提供一种熔丝单元电路及模数转换器，所述熔丝单元电路包括熔丝、熔断模块、熔丝状态读取模块及输入输出逻辑模块；在本发明中，基于“熔丝+熔断模块+熔丝状态读取模块+输入输出逻辑模块”设计熔丝单元电路，在输入输出逻辑模块内部，将数据信号的读写通路与熔丝状态信号的输出通路相分离，电路结构简单，对应控制逻辑简单；基于数据信号的读写可进行预修调，通过预修调找到最好的修调方案之后，再进行真实修调熔断，有利于减小熔丝单元电路的应用复杂度，提高了修调的灵活性和可靠性，降低了修调成本；修调完成后，可进行熔丝状态信号的输出，便于熔丝实际状态与理想状态的对比验证，进一步提高了修调的可靠性。
- 单元电路转换器
- [发明专利]一种低功耗低开销EFUSE电路-CN202310369175.9在审
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张跃军;李洋;张勇
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宁波大学
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2023-04-10
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2023-08-08
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G11C17/16
- 本发明公开了一种低功耗低开销EFUSE电路，包括存储模块、地址译码模块、数据译码模块、控制模块、电源管理模块、升压模块和输出模块，EFUSE电路在进入工作状态后，具有四种工作模式：休眠模式、待机模式、写数据模式和读数据模式；在休眠状态下，EFUSE电路不与外界交互，静态功耗最小；在待机模式下，EFUSE电路的地址译码模块、存储模块、输出模块和数据译码模块的输出端均输出低电平，此时EFUSE电路处于读写功能切换之间；EFUSE电路结束先从待机模式进入写数据模式，写数据模式结束后，再次进入待机模式，最后再进入读数据模式，读数据模式结束后，EFUSE电路再次进入待机模式，然后进入进入休眠模式；优点是面积较小、漏电功耗较小。
- 一种功耗开销efuse电路
- [发明专利]反熔丝存储器-CN202210048500.7在审
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邱安平
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长鑫存储技术有限公司
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2022-01-17
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2023-07-25
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G11C17/16
- 本申请提供一种反熔丝存储器，运算放大器的反向输入端与偏置电压生成模块的反馈端连接，根据反馈端电压可以获得第二输入端电压，第二输入端与运算放大器的输出端电连接，第二输入端电压作为读取电路的偏置电压；第二供电端与反馈端之间的电路等效监测端与第一供电端之间的电路，反馈端与可调电阻之间的电路等效监测端与反熔丝存储单元之间的电路，如此，偏置电压生成模块生成的偏置电压可有效为读取模块提供准确的偏置电压。读取模块接收偏置电压后，若反熔丝存储单元的击穿电阻值等于可调电阻值，监测端具有等于反转电压的临界电压；根据读取模块输出的电平信号的状态可判断监测端电压与反转电压的关系，进而判断反熔丝存储单元是否被有效击穿。
- 反熔丝存储器
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