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[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202110486421.X有效
发明人：丁文波;叶甜春;罗军;赵杰;薛静 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底的第一表面具有第一区域、第二区域和第三区域；在所述第三区域形成浮栅和控制栅；在所述第一表面内形成源极和漏极；形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一区域和所述第二区域；形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述控制栅的侧壁和所述浮栅的侧壁；其中，在形成所述第一氧化层前，至少对所述第一区域进行非晶化离子注入，将所述第一区域非晶化，以使得所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。本方案可以实现在同一道工艺下在侧壁以及正面生成不同厚度的氧化膜，同时可以提高半导体器件的击穿电压，提高器件性能。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]侧壁互连结构中带散热管道的半导体装置及其制造方法及电子设备-CN202310993834.6在审
发明人：朱慧珑;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种侧壁互连结构中带散热管道的半导体装置及其制造方法及包括这种半导体装置的电子设备。根据实施例，半导体装置可以包括：承载衬底，具有彼此相邻的第一区和第二区；第一区上的半导体器件；以及第二区上的互连结构。互连结构可以包括：电隔离层；电隔离层中在竖直方向上交替设置的互连线层与过孔层，其中，互连线层中设置有互连线，过孔层中设置有过孔，半导体器件中的至少一部分需要电连接的部件与互连结构中相应高度处的互连线和/或过孔在横向上通过各自的侧壁相接触并因此电连接；以及电隔离层中的散热管道，其中，散热管道包括横向延伸部分。
侧壁互连结构散热管道半导体装置及其制造方法电子设备

[发明专利]一种光刻图形的优化方法及装置-CN202210071674.5有效
发明人：吴华标;叶甜春;朱纪军;罗军;李彬鸿;赵杰 -专利权人：锐立平芯微电子（广州）有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种光刻图形的优化方法及装置，该方法用于集成电路器件；具体包括：获取光刻图形的样本数据，样本数据包括所述目标图形区的第一尺寸信息以及所述至少两个材料层的材料信息；基于样本数据生成的第一光罩图形对光刻胶图层进行光刻，生成第一目标图形，第一目标图形的图形尺寸误差大于误差阈值；基于第一目标图形的图形尺寸误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形。本方案可以对图形尺寸误差超过阈值的第一光罩图形进行图形优化，获得图形尺寸误差更小的第二光罩图形，不仅提高了光刻的精度，避免出现光刻胶残留，且提高了后续的工艺窗口，提高产品的良品率。
一种光刻图形优化方法装置

[发明专利]一种半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202110232775.1有效
发明人：张青竹;殷华湘;曹磊;张兆浩;顾杰;田佳佳;李俊杰;姚佳欣;李永亮;张永奎;吴振华;赵鸿滨;罗军;王文武;屠海令;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是由第一半导体形成的，纳米片是由第二半导体形成的，支撑结构的宽度小于纳米片的宽度；环绕式栅极，其环绕于纳米堆栈部周围；本发明半导体器件在纳米片的沟道释放过程中保留了部分牺牲层作为器件支撑结构，可在基本不影响器件亚阈值特性的情况下，大幅增加驱动电流；可维持源漏施加应力，提升器件迁移率；减小器件制备复杂度和电学特性波动性；通过和衬底的连接可以增加导电沟道散热，改善自热效应；通过调节支撑结构的宽度和高度调节器件阈值，工艺上也低了高K介质层和金属栅极的填充要求，有利于实现多阈值调控。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]侧壁互连结构中带散热管道的半导体装置及其制造方法及电子设备-CN202110181463.2有效
发明人：朱慧珑;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种侧壁互连结构中带散热管道的半导体装置及其制造方法及包括这种半导体装置的电子设备。根据实施例，半导体装置可以包括：承载衬底，具有彼此相邻的第一区和第二区；第一区上的半导体器件；以及第二区上的互连结构。互连结构可以包括：电隔离层；电隔离层中的导电结构，其中，半导体器件中的至少一部分需要电连接的部件与互连结构中相应高度处的导电结构在横向上相接触并因此电连接；以及电隔离层中的散热管道。
侧壁互连结构散热管道半导体装置及其制造方法电子设备

[发明专利]金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法-CN202011430362.6有效
发明人：张丹;罗军;许静;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法，该金属互连结构包括互连金属层、钝化层和扩散阻挡层，所述钝化层连接在所述互连金属层和所述扩散阻挡层之间；所述扩散阻挡层为Co基合金层；所述钝化层为利用等离子体(plasma)处理所述扩散阻挡层的表面形成。该金属互连结构通过将扩散阻挡层设置为Co基合金层，可以在减少扩散阻挡层电阻率的同时为互连线保留更多有效体积；而且利用特殊气体对Co基合金层进行等离子体处理，使得其表面形成钝化层，提高阻挡特性。
金属互连结构半导体器件提高扩散阻挡性能方法

[发明专利]六相永磁同步电机的控制装置、方法和系统-CN202110615576.9有效
发明人：王文洲;叶甜春;王云;任广辉;薛静;卢苗 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H02P21/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种六相永磁同步电机的控制装置和方法与六相永磁同步电机系统，装置包括：高速电流检测模块、转子位置检测模块、电流处理模块；其中，电流处理模块分别与高速电流检测模块、和转子位置检测模块电连接；其中，电流处理模块，用于对高速电流检测模块采集的六相电流进行空间矢量解耦生成空间向量，并获取转子位置检测模块输出的转子的当前角度，以及基于空间向量与转子的当前角度生成功率信号控制当前六相永磁同步电机进行驱动。因此，采用本申请实施例，可以实现六相电的全解耦控制，极大的降低了六相永磁同步电机控制器的工程实现难度。
永磁同步电机控制装置方法系统

[发明专利]一种场效应晶体管及其制作方法-CN202310641125.1在审
发明人：许滨滨;叶甜春;李彬鸿;罗军;许静;嵇彤 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种场效应晶体管及其制作方法，该方法中所述源极和所述漏极中至少一个包括层叠的第一电极层、第二电极层和第三电极层，其中，所述第一电极层和所述第三电极层中包括NiSi，所述第二电极层中包括HfO2，从而可以利用第二电极层中的HfO2阻挡第三电极层中的镍原子与有源区中的硅原子相互扩散，进而减缓硅化物在高温下快速团聚形成高阻NiSi2，提高金属电极中包括镍原子时，场效应晶体管的稳定性，即提高NiSi作为场效应晶体管的金属电极时的稳定性，同时利用第二电极层中的HfO2阻挡第三电极层中的镍原子与有源区中的硅原子相互扩散，还可以提高所述第一电极层和有源区之间的接触界面的平滑度。
一种场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种时钟占空比校准电路-CN201811562038.2有效
发明人：王颀;何杰;李子夫;霍宗亮;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03K3/017 文献下载
摘要：本申请提供的一种时钟占空比校准电路，包括：延时线电路、下降沿检测电路、下降沿调制控制电路、下降沿调制电路和插值器电路；通过采用可调的延时单元，在不同工作模式频率下使用对应大小的延时单元，在相同校准精度的前提下，由于延时单元以及对应的下降沿检测逻辑部分的级数固定，则本申请延时线电路和下降沿检测电路的面积和功耗会显著减少；另外，采用固定级数的可调的延时单元，直接将与占空比相关的采样输出信号进行处理后分别输出到下降沿调制电路判断移动方向即可完成下降沿移动，简化了电路的逻辑判断，电路面积和功耗减少的同时也减少了电路完成下降沿移动所需要的时间。
一种时钟校准电路

[发明专利]鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构及测试结构-CN202110798892.4有效
发明人：苏炳熏;杨展悌;叶甜春;罗军;赵杰 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子（广州）有限责任公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种鳍式场效应晶体管源漏寄生电阻分解结构及测试结构，其可实现源漏寄生电阻分开提取，便于进行测试操作，鳍式场效应晶体管包括鳍、分布于鳍的栅极区、源漏极区、接触层、分布于源漏极区两侧的延伸层，相邻两个栅极区之间设置有一个接触层，源漏寄生电阻包括串联的源漏接触电阻、外延生长电阻、延伸电阻、栅极驱动信道电阻，用于对源漏寄生电阻进行测试的测试结构，选取若干个接触层之间的区域作为总测试区，总测试区一端的接触层与驱动电流源连接，另一端的接触层接地，总测试区包括至少三个不同测试区间，不同测试区间通过接触层分隔，且每个测试区间两侧的接触层为电压测试点，不同测试区间的鳍长度沿鳍方向依次递增。
场效应晶体管寄生电阻分解结构测试

[发明专利]一种绝缘体上应变锗锡硅衬底、晶体管及其制备方法-CN202011419129.8有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;孔真真;罗雪;王云;薛静;叶甜春 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘体上应变锗锡硅衬底、晶体管及其制备方法。一种绝缘体上应变锗锡硅衬底的制备方法，包括：在第一衬底上依次堆叠形成第一锗层、Ge1‑x‑ySnxSiy层、第二锗层，并且0≤x＜1，0＜y≤1，x+y≤1；去除第二锗层，在Ge1‑x‑ySnxSiy层的表面形成介质层，获得衬底A；在第二衬底上形成埋氧层，获得衬底B；将衬底A和衬底B键合，之后去除第一衬底、第一锗层。晶体管的制备方法：在绝缘体上应变锗锡硅衬底的Ge1‑x‑ySnxSiy层上制作栅极，并在栅极两侧的Ge1‑x‑ySnxSiy层上进行掺杂以制作源漏极。本发明向半导体层中引入双轴应变，显著增加了衬底制成的晶体管的沟道迁移率。
一种绝缘体应变锗锡硅衬底晶体管及其制备方法

[发明专利]存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备-CN202310470674.7在审
发明人：朱慧珑;叶甜春;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：公开了一种存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备。存储器件可以包括：衬底上竖直叠置的多个器件层，每个器件层包括选择晶体管的有源区的阵列，该阵列包括第一方向上的行和第二方向上的列，有源区包括下源/漏区、沟道部和上源/漏区；在第二方向上排列的多条位线，每一条位线沿着相应的行在第一方向上延伸；竖直叠置且与各器件层对应的多个字线层，每一字线层包括在第一方向上排列的多条字线，每一条字线沿第二方向延伸以至少部分地围绕对应器件层的相应列中的沟道部；从每一条位线竖直延伸的多条子位线，每一条子位线电连接到该位线上方的各器件层中对应行的下源/漏区；以及存储元件，电连接到各有源区的上源/漏区。
存储器件及其制造方法包括电子设备

[发明专利]一种半导体器件的SSTA模型优化方法-CN202110411630.8有效
发明人：苏炳熏;杨展悌;叶甜春;罗军;赵杰;薛静 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子（广州）有限责任公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体器件的SSTA模型优化方法，包括以下步骤：S1：向SSTA输入电晶体上的环形振荡器的路径延迟与其空间位置的假想关系曲线；S2：通过贝叶斯算法对电晶体上的环形振荡器的路径延迟进行学习；S3：使用SSTA对步骤S2中的学习结果进行分析，获取环形振荡器的路径延迟和其空间位置的实际关系曲线；在实际使用时，通过本发明可以对半导体器件制造的关键工艺参数进行排序，来筛选出重要的制程变异参，通过对重要的制程变异参数进行工艺制造过程改善或者材料改善，达到改善工艺良率和高频率MOSFET Amplifier效能提升。
一种半导体器件 ssta 模型优化方法

[发明专利]用于快速评估快恢复二极管性能的基座-CN201611240234.9有效
发明人：程炜涛;许生根;王海军;叶甜春 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于快速评估快恢复二极管性能的基座，其特征是：包括耐高温硬质绝缘固定框架，在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入阳极金属引线框架和阴极金属引线框架，阳极金属引线框架和阴极金属引线框架之间保持一定的距离；所述阳极金属引线框架的部分表面、阴极金属引线框架的部分表面以及耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面在同一平面上，该平面为二极管芯片的贴片平面；所述阳极金属引线框架和阴极金属引线框架各有部分露出与耐高温硬质绝缘固定框架之外，分别形成相互平行的阳极管脚和阴极管脚，阳极管脚和阴极管脚所形成的平行平面与贴片平面平行。本发明所述基座可以对快恢复二极管芯片直接贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。
用于快速评估恢复二极管性能基座

[发明专利]一种FinFET及Fin-SOI的制造方法-CN202211571513.9在审
发明人：黄国泰;叶甜春;陈少民;李彬鸿;王云 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子（广州）有限责任公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及FinFET的制造技术领域,公开了一种FinFET及Fin‑SOI的制造方法，包括以下步骤：S1：在晶圆上制作FinFET的鳍；S2：使用清洗溶液对FinFET进行清洗，增加FinFET的鳍的表面的疏水性，在实际使用时通过增加Fin表面的疏水性，可以降低Fin在干燥工艺中的干燥试剂的表面张力，进而解决FinFET的Fin在干燥工艺中的出现接合缺陷的问题。
一种 finfet fin soi 制造方法

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