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[发明专利]基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺-CN200410101873.8有效
发明人：谢常青;叶甜春;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明一种基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺，属于半导体技术中的微细加工领域，其工艺步骤如下：1.在自支撑薄膜正面上淀积薄铬薄金；2.在薄铬薄金表面上甩电子束胶，电子束曝光、显影；3.将片子放在电镀液中第一次电镀金属；4.片子正面甩X射线光刻胶；5.从自支撑薄膜背面进行X射线曝光、显影；6.继续将片子放在电镀液中第二次电镀金属；7.去胶、去底铬底金，完成高高宽比深亚微米、纳米金属结构制。本发明采用一次正面电子束光刻，一次背面X射线自对准曝光，两次电镀获得高高宽比深亚微米、纳米金属结构，具有很强的实用价值，适合大批量生产。
基于支撑薄膜高高微米纳米金属结构制作工艺

[发明专利]高高宽比深亚微米、纳米金属结构的三层制作工艺-CN200410101872.3无效
发明人：谢常青;叶甜春;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种高高宽比深亚微米、纳米金属结构的三层制作工艺，步骤如下：1.在硅片上淀积薄铬薄金层；2.在薄铬薄金层表面甩底层光刻胶，并前烘固化；3.淀积中间绝缘层；4.涂顶层电子束光刻胶，进行电子束光刻；5.各向异性刻蚀中间绝缘层图形；6.各向异性刻蚀底层光刻胶图形；7.将片子放在电镀液中电镀高高宽比深亚微米、纳米金属结构；8.去除中间绝缘层图形；9.去除底层光刻胶图形；10.去薄铬薄金层，完成高高宽比深亚微米、纳米金属结构。本发明的工艺，采用三层胶图形转移技术，一次正面电子束光刻，二次各向异性刻蚀进行图形转移获得高高宽比深亚微米、纳米金属结构，能满足纳米尺度的微机械系统元件要求，并大批量生产。
高高微米纳米金属结构三层制作工艺

[发明专利]X射线光刻对准标记-CN200310120546.2无效
发明人：王德强;谢常青;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及X射线光刻对准技术领域，特别是涉及一种新的应用于X射线光刻对准的标记。本发明的对准标记，由掩模和硅片上的两部分标记组成，其在掩模上由三个正方框组成，在硅片上由六根正交线条构成，其中，三个正方框由小到大依次相套，且共一中心点，标记做在SiN_X薄膜上；六根正交线条，三根为水平方向等距排列，三根为垂直方向等距排列，标记做在硅片衬底上。本发明的对准标记，对于掩模和硅片的形变都有一定的冗余度，其均值作用能够使对准系统更加准确地获得掩模和硅片标记的位置信息，提高光刻对准系统的对准精度。这种标记可以广泛应用在亚微米与深亚微米工艺当中，例如pHEMT，MMIC等器件和电路的制作。
射线光刻对准标记

[发明专利]X射线掩模与石英环紫外固化装置及使用方法-CN03147402.0无效
发明人：谢常青;叶甜春;陈大鹏;李兵 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2003-07-07 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种X射线掩模与石英环紫外固化装置包括：一X射线掩模工作台，该工作台包括安装在其上的X方向位移手轮、Y方向位移手轮和绕Z轴旋转手轮；一真空夹具位于X射线掩模工作台的下方，该真空夹具通过管道来真空吸附X射线掩模，X射线掩模工作台主要用来放置待紫外固化的X射线掩模；一石英环工作台，该石英环工作台位于X射线掩模工作台的下方，以防止X射线掩模的形变；一紫外光源位于石英环工作台的下方；一平行透镜位于石英环工作台和紫外光源之间；一用于观测对准状况的显微镜位于X射线掩模工作台的上方；所说的X射线掩模工作台、石英环工作台、紫外光源、平行透镜和显微镜均安装在一框架上。
射线石英紫外固化装置使用方法

[发明专利]X射线光刻与光学光刻混合制作T型栅的方法-CN03141108.8无效
发明人：谢常青;叶甜春;陈大鹏;李兵 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2003-06-09 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种X射线光刻与光学光刻混合制作T型栅的方法，其工艺步骤如下：1.在半导体基片上涂上底层X射线光刻胶；2.X射线光刻方法曝光底层X射线光刻胶；3.涂上顶层光学光刻胶；4.光学光刻方法曝光顶层光学光刻胶；5.显影顶层光学光刻胶获得宽栅图形；6.显影底层X射线光刻胶获得栅槽图形；7.蒸发、剥离栅金属，完成T型栅制作。
射线光刻光学混合制作方法

[发明专利]X射线光刻对准标记图形-CN03148990.7无效
发明人：谢常青;叶甜春;陈大鹏;李兵 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2003-07-03 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一套X射线光刻对准标记图形，包括X射线掩模上用于对准的被指定测量图形和半导体基片上用于对准的被指定测量图形。本发明通过采用多线坐标值平均的方法来降低X射线掩模对准标记图形、半导体基片对准标记图形的定位和识别误差，降低X射线光刻的对准误差，提高X射线光刻的对准精度。
射线光刻对准标记图形

[发明专利]可获得纳米T型栅的高电子迁移率晶体管的制作方法-CN03140921.0无效
发明人：谢常青;叶甜春;陈大鹏;李兵 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2003-06-05 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种可获得纳米T型栅的高电子迁移率晶体管的制作工艺，其工艺步骤如下：1.在砷化镓异质结等晶片上光刻有源区图形；2.离子注入或湿法腐蚀制作台面；3.淀积绝缘层；4.光刻栅图形；5.各向异性刻蚀绝缘层；6.各向同性刻蚀绝缘层；7.涂底层光刻胶；8.减薄底层光刻胶；9.常规光刻形成宽栅窗口，套刻在栅槽上；10.去除绝缘层图形；11.腐蚀窗口中栅槽下面的N⁺区；12.蒸发、剥离栅金属；13.钝化并开连线窗口，完成器件制作。
可获得纳米电子迁移率晶体管制作方法

[实用新型]一种高密度等离子体工艺装置-CN95209870.9无效
发明人：刘训春;叶甜春;李晓民;王守武;钱鹤;徐维江;曹振亚;张学 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 1995-05-11 - 公布日： 1997-03-12 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种由低压气体腔的腔座、绝缘罩以及射频线圈等部分组成，用于半导体精细加工的高密度等离子体工艺装置。该装置采用多阶层的塔状绝缘罩体，并使连续连接的一组多匝射频线圈按上下顺序围绕在塔状罩体的各阶层外壁上，其顶层与最下层线圈的线端经匹配电路与一射频电源相连。这样的装置能在更低气压范围内稳定地产生高密度等离子体。
一种高密度等离子体工艺装置

[发明专利]在半导体表面制造T形栅极的方法-CN95101600.8无效
发明人：刘训春;叶甜春;钱鹤;吴德馨;王润梅;曹振亚;张学 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 1995-02-21 - 公布日： 1995-11-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于HEMT等微电子器件生产的在半导体表面制造T形栅电极的方法。它按T形电极顶宽的尺寸在半导体表面的胶层上挖槽，再用淀积和定向刻蚀法使槽内形成介质侧壁，再经淀积金属并剥离栅区以外的胶层与金属层，留下最终的T形栅电极。本发明能用较宽的T形顶尺寸加工图形得到更细的电极底面。它能用稍宽的光刻尺寸加工，实现逼近光学极限的栅长。
半导体表面制造栅极方法

[实用新型]一种X射线图形掩模-CN93244852.6无效
发明人：刘训春;陈梦真;叶甜春;钱鹤;王润梅;王玉玲;孙宝银;曹振亚;欧文;张学 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 1993-11-22 - 公布日： 1994-09-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体器件与集成电路工艺的X射线图形掩模，它在掩模线条的侧边设有能够透过X射线的属侧向支撑体，基片可为氮化硅片，金属图形可以是金属线条形成的图形。这样的结构能够提高掩模的合格率、可靠性以及使用寿命。
一种射线图形

[发明专利]一种金属-半导体场效应晶体管-CN90104646.9无效
发明人：刘训春;王润梅;叶甜春;曹振亚 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 1990-07-19 - 公布日： 1991-11-13 - 主分类号： H01L29/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用侧壁自对准技术制造MESFET的结构，在金属栅电极与漏区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度大于与源区相邻一侧的侧壁绝缘膜厚度，这样的非对称结构能够提高MESFET的性能。
一种金属半导体场效应晶体管

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