[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201780041851.2 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN109478586B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 洪恩珠 | 申请（专利权）人： | 苏州乐琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/62;H01L33/58;H01L33/22;H01L33/00;H01L33/36;H01L33/02 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 实施例提供一种半导体元件，该半导体元件包括：衬底；以及半导体结构，该半导体结构被布置在衬底上，其中半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的光吸收层，并且光吸收层具有1.2至1.5的值作为其上表面的最大外周长度相对于其上表面的最大面积的比率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：衬底；以及半导体结构，所述半导体结构被布置在所述衬底上，其中，所述半导体结构包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；第一电极，所述第一电极被布置在所述第一导电半导体层上并且被电连接到所述第一导电半导体层；第二电极，所述第二电极被布置在所述第二导电半导体层上并且被电连接到所述第二导电半导体层；以及光吸收层，所述光吸收层被布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间，其中，所述光吸收层具有上表面的外围长度与所述上表面的面积的比率，所述比率范围为1.2至1.5。
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- 横川俊哉;大屋满明;山田笃志;矶崎瑛宏 - 松下电器产业株式会社
- 2011-03-25 - 2012-06-20 - H01L33/40
- 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体元件具备：半导体叠层构造(20)，其具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下角度的p型半导体区域；和电极(30)，其设置在p型半导体区域上。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包含Zn层(32)和形成在Zn层(32)上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。
- 用于半导体发光器件的反射性接触-201080032980.3
- J.E.埃普勒 - 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司
- 2010-06-24 - 2012-05-23 - H01L33/40
- 半导体结构包括设置在n型区（20）与p型区（24）之间的发光层（22）。在p型区的一部分上设置有p电极。p电极包括与p型区的第一部分直接接触的反射性第一材料（26）和与邻近于第一部分的p型区的第二部分直接接触的第二材料（30）。第一材料（26）和第二材料（30）在具有相同的厚度的平面层中形成。
- 具有反射结构的半导体发光二极管及其制造方法-201080026730.9
- M·多诺弗里欧;J·艾贝森;Z·J·姚 - 克里公司
- 2010-02-23 - 2012-05-16 - H01L33/40
- 发光二极管包括二极管区域，二极管区域具有相对的第一面(110a)和第二面(110b)，并且在其中包括n型层(112)和p型层(116)，发光二极管还包括电阻性地接触p型层(114)并且在第一面上延伸的阳极接触件(130)，以及电阻性地接触n型层(112)并且也在第一面上延伸的阴极接触件(150)。阳极接触件和/或阴极接触件可以进一步在第一面上提供混合反射结构，混合反射结构被设置用于将从第一面发出的基本上所有的光都反射回第一面。还介绍了相关的制造方法。
- 发光半导体器件及其制造方法-201080024735.8
- 弗拉德斯拉夫·E·鲍格诺夫;马克西姆·A·欧得诺莱多夫;米卡尔·缪洛 - 奥普特冈有限公司
- 2010-06-03 - 2012-05-16 - H01L33/40
- 本发明的发光半导体器件(1)由第III族金属的氮化物制成，并且包括层结构，所述层结构包括n型半导体层(2)、p型半导体层(3)、在n型半导体层和p型半导体层之间的活性区(4)。层结构具有被n型半导体层和p型半导体层之一限定的接触表面(5)，并且还包括附接于接触表面的反射接触结构(6)。根据本发明，反射接触结构(6)包括：第一透明导电氧化物(TCO)接触层(13)，其具有多晶结构，附接于层结构的接触表面(5)；第二透明导电氧化物(TCO)接触层(14)，其具有非结晶结构；以及附接于第二TCO层的金属反射层(15)。
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